公开(公告)号：CN100375250C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN03814610.X

申请日：2003-05-27

Applicant: 巴斯福股份公司

Inventor： R·梅利斯 ,  M·伯尔纳 ,  L·阿尔诺德 ,  A·巴尔科 ,  R·莱茵

IPC: H01L21/3213 ,  C09D9/00 ,  C09G1/04 ,  G03F7/42

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  Y10S438/963

Abstract: 本发明涉及在半导体元件生产过程中用以从金属表面，特别是从铝或含铝的表面清除所谓“侧壁残留物”的组合物。

公开(公告)号：CN1711349B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200380102813.1

申请日：2003-10-10

Applicant: 巴斯福股份公司

Inventor： M·伯尔纳 ,  G·基利安 ,  R·莱茵 ,  L·阿尔诺德 ,  M·舒斯特 ,  A·利奥波德

IPC: C11D7/06 ,  C11D7/32 ,  C11D3/39 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/06 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3245 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明涉及表面处理组合物和用其处理底物表面的方法。更具体地，本发明涉及主要组分为液体介质的表面处理组合物，其防止底物表面被表面处理组合物中的金属杂质污染并且稳定地提供极其洁净的底物表面，还涉及使用该组合物处理底物表面的方法。该组合物包括水、过氧化氢、碱性化合物和2，2-双(羟乙基)-(亚氨基三)-(羟甲基)甲烷和/或氨三乙酸。

公开(公告)号：CN1711349A

公开(公告)日：2005-12-21

申请号：CN200380102813.1

申请日：2003-10-10

Applicant: 巴斯福股份公司

Inventor： M·伯尔纳 ,  G·基利安 ,  R·莱茵 ,  L·阿尔诺德 ,  M·舒斯特 ,  A·利奥波德

IPC: C11D7/06 ,  C11D7/32 ,  C11D3/39 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/06 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3245 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明涉及表面处理组合物和用其处理底物表面的方法。更具体地，本发明涉及主要组分为液体介质的表面处理组合物，其防止底物表面被表面处理组合物中的金属杂质污染并且稳定地提供极其洁净的底物表面，还涉及使用该组合物处理底物表面的方法。该组合物包括水、过氧化氢、碱性化合物和2，2－双(羟乙基)－(亚氨基三)－(羟甲基)甲烷和/或氨三乙酸。