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公开(公告)号：CN102449771B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201080022733.5
申请日：2010-05-27
Applicant: 帝人株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0529 , H01L51/0004 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0562 , Y10T428/24355 , Y10T428/265 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供能够获得具有优异的半导体特性的有机半导体膜的烷基硅烷层叠体。这样的层叠体能够用于有机薄膜晶体管。所述烷基硅烷层叠体含有表面具有羟基的基底层(Sub)、以及在该基底层上形成的烷基硅烷薄膜(AS)，烷基硅烷薄膜的临界表面能Ec和烷基硅烷的碳原子数x满足下述式(1)：Ec≤29.00-0.63x(mN/m)(1)。而且，本发明还提供具有这样的烷基硅烷层叠体(Sub、AS)的薄膜晶体管(10)。
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公开(公告)号：CN1292097A
公开(公告)日：2001-04-18
申请号：CN99803463.0
申请日：1999-10-29
Applicant: 帝人株式会社
IPC: G02B5/30 , G02F1/1335 , C08J5/18
CPC classification number: G02B1/10 , G02B5/305 , G02B5/3083 , G02F1/133553 , G02F1/13363 , G02F2001/133637 , G02F2001/133638 , G02F2202/40 , G02F2203/02 , G02F2413/01 , G02F2413/02 , G02F2413/08 , Y10T428/31507
Abstract: 由单片高分子取向膜构成的相位差膜、其特征在于在波长450nm和550nm的相位差满足下述式(1)和/或(2)且吸水率为1重量%以下。R(450)/R(550)
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公开(公告)号：CN112469815A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201980048888.7
申请日：2019-07-30
Applicant: JCR制药股份有限公司 , 帝人株式会社
IPC: C12N5/0775 , A61K35/28 , A61P37/02 , A61P29/00 , A61P19/02 , A61P1/00 , A61P9/10 , A61P25/00 , A61P1/16 , A61P7/04 , A61P31/04 , A61P17/06 , A61P37/06
Abstract: 本发明公开了能够作为药剂给用于人的多能干细胞富集的牙髓来源细胞及其制造方法。该制造方法为富集了多能干细胞的牙髓来源细胞的制造方法，其包括：(a)用蛋白酶消化牙髓而制备牙髓的悬浮物的步骤；(b)对该悬浮物进行培养而使该悬浮物中包含的多能干细胞增殖的步骤；(c)使该增殖后的多能干细胞在悬浮于第一冷冻保存液中的状态下冷冻的步骤；(d)使该冷冻后的多能干细胞解冻的步骤；(e)将该解冻后的多能干细胞在粘附于粒子表面的状态下进行培养而使多能干细胞在该粒子表面增殖的步骤；和(f)使该粒子与蛋白酶接触而将粘附于该粒子表面的多能干细胞从该粒子上分离、从而制备多能干细胞的悬浮物的步骤。
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公开(公告)号：CN1175287C
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN99803463.0
申请日：1999-10-29
Applicant: 帝人株式会社
IPC: G02B5/30 , G02F1/1335 , C08J5/18
CPC classification number: G02B1/10 , G02B5/305 , G02B5/3083 , G02F1/133553 , G02F1/13363 , G02F2001/133637 , G02F2001/133638 , G02F2202/40 , G02F2203/02 , G02F2413/01 , G02F2413/02 , G02F2413/08 , Y10T428/31507
Abstract: 由单片高分子取向膜构成的相位差膜、其特征在于在波长450nm和550nm的相位差满足下述式(1)和/或(2)且吸水率为1重量%以下。R(450)/R(550)＜1 (1)K(450)/K(550)＜1 (2)[式中，R(450)和R(550)分别是高分子取向膜在波长450nm和550nm的面内相位差，K(450)和K(550)分别是由高分子取向膜在波长450nm和550nm的K＝[nz-(nx+ny)/2]×d(式中，nx、ny、nz是高分子取向膜的三维折射率分别在其x轴、y轴、z轴方向的折射率，d为膜厚)计算的值。]还提供了用此相位差膜的叠层相位差膜、液晶显示装置。
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公开(公告)号：CN1201171C
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN01801769.X
申请日：2001-04-24
Applicant: 帝人株式会社
CPC classification number: C08J5/18 , C08J2367/02 , C08L69/00 , G02B5/3083
Abstract: 制造相位差薄膜的方法，该方法包括以调整的混合比将相互相容的至少两种聚合物(A)和(B)混合，并使得到的混合物成型为薄膜。聚合物(A)和(B)是共聚物，其包含两种共同的重复单元，在共聚单体单元比例上相互不同。通过本方法，可容易地以工业规模制造出具有所需波长色散性的相位差薄膜。相位差波长色散性可得到高度控制。因此，该相位差薄膜具有高质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1383495A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN01801769.X
申请日：2001-04-24
Applicant: 帝人株式会社
IPC: G02B5/30 , C08J5/18 , C08L69/00 , C08L101/0069
CPC classification number: C08J5/18 , C08J2367/02 , C08L69/00 , G02B5/3083
Abstract: 制造相位差薄膜的方法,该方法包括以调整的混合比将相互相容的至少两种聚合物(A)和(B)混合,并使得到的混合物成型为薄膜。聚合物(A)和(B)是共聚物,其包含两种共同的重复单元,在共聚单体单元比例上相互不同。通过本方法,可容易地以工业规模制造出具有所需波长色散性的相位差薄膜。相位差波长色散性可得到高度控制。因此,该相位差薄膜具有高质量。
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公开(公告)号：CN102870202A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201180023666.3
申请日：2011-04-27
Applicant: 帝人株式会社
IPC: H01L21/368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0512 , H01L51/0004 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 第1个本发明的有机半导体膜（10），相对的两个表面侧（11、12）的电荷迁移率之比｛（电荷迁移率大的表面侧的电荷迁移率）/（电荷迁移率小的表面侧的电荷迁移率）｝的值为1以上且小于10，而且将在硅晶片上通过旋涂制作的相同厚度及材料的有机半导体膜的峰高度作为基准时，相对X射线反射峰高度为2.0以上。第2个本发明的有机半导体膜（10），相对的两个表面侧（11、12）的电荷迁移率之比｛（电荷迁移率大的表面侧的电荷迁移率）/（电荷迁移率小的表面侧的电荷迁移率）｝的值为2以上。
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公开(公告)号：CN102449771A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080022733.5
申请日：2010-05-27
Applicant: 帝人株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0529 , H01L51/0004 , H01L51/052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0562 , Y10T428/24355 , Y10T428/265 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供能够获得具有优异的半导体特性的有机半导体膜的烷基硅烷层叠体。这样的层叠体能够用于有机薄膜晶体管。所述烷基硅烷层叠体含有表面具有羟基的基底层(Sub)、以及在该基底层上形成的烷基硅烷薄膜(AS)，烷基硅烷薄膜的临界表面能Ec和烷基硅烷的碳原子数x满足下述式(1)：Ec≤29.00-0.63x(mN/m)(1)。而且，本发明还提供具有这样的烷基硅烷层叠体(Sub、AS)的薄膜晶体管(10)。
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公开(公告)号：CN1989451A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200580024783.6
申请日：2005-07-20
Applicant: 帝人株式会社
Inventor： 串田尚
CPC classification number: G02B5/3033 , G03B21/604
Abstract: 本发明的屏幕包含取向膜，该取向膜具有对直线偏振光的散射最大的方向(散射轴)和散射最小的方向(透射轴)、在包含高分子的基质中含有高分子微粒，该高分子微粒的折射率在特定范围，该基质和高分子微粒满足特定的关系。被投影的图像明亮、品质高、几乎没有干扰条纹或眩光，上述屏幕作为透射型或反射型投影仪屏幕极为有用。
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公开(公告)号：CN1192256C
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN00802077.9
申请日：2000-07-28
Applicant: 帝人株式会社
IPC: G02B5/30 , C08G64/06 , G02F1/1335 , C08J5/18 , C08L25/04
CPC classification number: G02B5/3083 , G02F1/13363 , G02F1/133634 , G02F2001/133637 , G02F2413/02 , Y10T428/10 , Y10T428/1005 , Y10T428/1036
Abstract: 一种相位差薄膜，其中包含一片聚合物薄膜，在400～800nm的波长范围内有其相位差值为正值的波长范围和其相位差值为负值的波长范围，满足式(1)|R(400)|≥10nm和式(2)|R(700)|≥10nm中至少一个，且水吸收作用不大于1%(质量)。
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