公开(公告)号：CN105706219A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201480060466.9

申请日：2014-10-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 金·韦洛尔 ,  迪内士·卡纳瓦德 ,  列昂尼德·M·特蒂特斯特 ,  诺曼·L·塔姆 ,  阿伦·缪尔·亨特

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/02

CPC classification number: G01J5/505 ,  G01J5/0007 ,  G01J5/0806 ,  G01J2005/0077 ,  G02B13/14 ,  H05B3/0047

Abstract: 本发明的实施方式一般关于用在处理腔室(诸如RTP腔室)中监控基板温度均匀性的方法及装置。基板温度的监控利用耦合至具有广角透镜的探头的红外线摄影机。所述广角透镜被定位于所述探头中并利用弹簧固定，且所述广角透镜能够承受高温处理。所述广角透镜促成了在单一图像中观察所述基板的实质上整个表面。所述基板的所述图像可与参考图像比较，以促成灯调整，若必要的话，以产生所述基板的均匀加热。

公开(公告)号：CN114127524B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202080044820.4

申请日：2020-05-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 金·拉姆库马尔·韦洛尔 ,  列昂尼德·M·特蒂特斯特 ,  马修·D·斯科特奈伊-卡斯尔

IPC: G01J5/48 ,  G01J5/00 ,  G01J5/02 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种用于测量位于半导体处理环境中的基板温度的方法及设备。基板具有顶表面及边缘表面，并且定位于半导体处理环境内的规定位置中。被定向为观察基板的边缘表面的一个侧面的红外照相机经触发以获得基板的边缘表面的一个侧面的红外图像。红外图像经处理以获得基板的温度轮廓。

公开(公告)号：CN114127524A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080044820.4

申请日：2020-05-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 金·拉姆库马尔·韦洛尔 ,  列昂尼德·M·特蒂特斯特 ,  马修·D·斯科特奈伊-卡斯尔

IPC: G01J5/48 ,  G01J5/02 ,  H01L21/67 ,  H04N5/33

Abstract: 公开了一种用于测量位于半导体处理环境中的基板温度的方法及设备。基板具有顶表面及边缘表面，并且定位于半导体处理环境内的规定位置中。被定向为观察基板的边缘表面的一个侧面的红外照相机经触发以获得基板的边缘表面的一个侧面的红外图像。红外图像经处理以获得基板的温度轮廓。