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公开(公告)号：CN111480223B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201880080996.8
申请日：2018-12-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/02
Abstract: 当基板存在时，具有用于保持该基板的顶表面的可移动的基板支撑件被与静止的盖环连同使用，以调节阴影效应以在沉积处理期间控制基板边缘均匀性。盖环通过电隔离的间隔件而保持静止，该间隔件与半导体处理腔室的处理空间中的接地屏蔽件接合。控制器响应于盖环的顶表面上的沉积材料而调节基板支撑件，以保持阴影效应和基板边缘均匀性。
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公开(公告)号：CN109321890A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811141495.4
申请日：2016-07-01
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供处理配件及包含此处理配件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，处理配件包括沉积环，所述沉积环被配置而设置在基板支撑件上，所述基板支撑件被设计为用于支撑具有给定宽度的基板，所述沉积环包含：环形带，所述环形带被配置为搁置在所述基板支撑件的下突出部分上；内唇，所述内唇从所述环形带的内缘向上延伸，其中所述内唇的内表面与所述环形带的内表面一起形成具有小于所述给定宽度的宽度的中央开口，并且其中所述环形带的上表面与所述内唇的上表面之间的深度是介于约24mm与约38mm之间；通道，所述通道设置在所述环形带的径向外侧；及外唇，所述外唇向上延伸且设置在所述通道的径向外侧。
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公开(公告)号：CN108028184B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201680052197.0
申请日：2016-09-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/203 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供处理配件屏蔽件和包含所述处理配件屏蔽件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，经配置于处理腔室中使用的单件式处理配件屏蔽件用于处理具有给定直径的基板，所述单件式处理配件屏蔽件包括：具有上部和下部的圆柱体；设置在所述上部内的环形传热沟道；和盖环部，所述盖环部从所述下部径向向内延伸且具有从所述盖环部的底表面延伸的环形腿部，其中所述环形腿部经配置而与沉积环界面连接以在所述底表面和所述沉积环之间形成迂曲路径。
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公开(公告)号：CN110036136A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201780075172.7
申请日：2017-11-16
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文中提供了工艺配件及并入所述工艺配件的工艺腔室的实施方式。在一些实施方式中，一种工艺配件包括：配接器，具有配接器主体及在所述配接器主体的径向内侧的屏蔽部；传热通道，形成于所述配接器主体中；遮蔽环，耦接到所述配接器，使得所述配接器的所述屏蔽部延伸于所述遮蔽环的一部分之上；及陶瓷绝缘体，设置在所述遮蔽环与所述配接器之间以将所述遮蔽环与所述配接器电隔离。
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公开(公告)号：CN112805815B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN201980065400.1
申请日：2019-09-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乔斯林甘·罗摩林甘 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 张富宏 , 威廉·约翰森
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 此处提供用于处理基板的方法及装置。在一些实施方式中，用于控制处理腔室中气体流动的遮板包含：封闭壁体，该封闭壁体具有上端及下端，该封闭壁体在该下端处界定该遮板的第一开口且在该上端处界定该遮板的第二开口，其中该第二开口从该第一开口偏移；及顶部壁，该顶部壁设置于该封闭壁体的该上端的一部分顶上，位于该第一开口上方的一位置，以与该封闭壁体的该上端的其余部分一起界定该第二开口，其中该遮板经构造以经由该第一开口使来自该第二开口的气体流动转向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117867462A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311689865.9
申请日：2016-07-01
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供处理配件及包含此处理配件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，处理配件包括沉积环，所述沉积环被配置而设置在基板支撑件上，所述基板支撑件被设计为用于支撑具有给定宽度的基板，所述沉积环包含：环形带，所述环形带被配置为搁置在所述基板支撑件的下突出部分上；内唇，所述内唇从所述环形带的内缘向上延伸，其中所述内唇的内表面与所述环形带的内表面一起形成具有小于所述给定宽度的宽度的中央开口，并且其中所述环形带的上表面与所述内唇的上表面之间的深度是介于约24mm与约38mm之间；通道，所述通道设置在所述环形带的径向外侧；及外唇，所述外唇向上延伸且设置在所述通道的径向外侧。
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公开(公告)号：CN110036136B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201780075172.7
申请日：2017-11-16
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文中提供了工艺配件及并入所述工艺配件的工艺腔室的实施方式。在一些实施方式中，一种工艺配件包括：配接器，具有配接器主体及在所述配接器主体的径向内侧的屏蔽部；传热通道，形成于所述配接器主体中；遮蔽环，耦接到所述配接器，使得所述配接器的所述屏蔽部延伸于所述遮蔽环的一部分之上；及陶瓷绝缘体，设置在所述遮蔽环与所述配接器之间以将所述遮蔽环与所述配接器电隔离。
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公开(公告)号：CN105009252A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480010134.X
申请日：2014-03-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/68735 , C23C16/045 , C23C16/4585 , H01J37/32642
Abstract: 本文提供用于处理基板的方法与装置的实施方式。在一些实施方式中，一种用于基板处理腔室的处理配件可包括：环，所述环具有主体及从主体径向向内延伸的唇部，其中所述主体具有形成在主体的底部内的第一环形通道；环形导电屏蔽件，所述环形导电屏蔽件具有下方向内延伸突出部分，所述下方向内延伸突出部分终止于向上延伸部分，所述向上延伸部分被配置以与环的第一环形通道接合；及导电构件，当环设置在导电屏蔽件上时，所述导电构件将环电气耦接至导电屏蔽件。
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公开(公告)号：CN112805815A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980065400.1
申请日：2019-09-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乔斯林甘·罗摩林甘 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 张富宏 , 威廉·约翰森
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 此处提供用于处理基板的方法及装置。在一些实施方式中，用于控制处理腔室中气体流动的遮板包含：封闭壁体，该封闭壁体具有上端及下端，该封闭壁体在该下端处界定该遮板的第一开口且在该上端处界定该遮板的第二开口，其中该第二开口从该第一开口偏移；及顶部壁，该顶部壁设置于该封闭壁体的该上端的一部分顶上，位于该第一开口上方的一位置，以与该封闭壁体的该上端的其余部分一起界定该第二开口，其中该遮板经构造以经由该第一开口使来自该第二开口的气体流动转向。
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公开(公告)号：CN111480223A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201880080996.8
申请日：2018-12-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/02
Abstract: 当基板存在时，具有用于保持该基板的顶表面的可移动的基板支撑件被与静止的盖环连同使用，以调节阴影效应以在沉积处理期间控制基板边缘均匀性。盖环通过电隔离的间隔件而保持静止，该间隔件与半导体处理腔室的处理空间中的接地屏蔽件接合。控制器响应于盖环的顶表面上的沉积材料而调节基板支撑件，以保持阴影效应和基板边缘均匀性。
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