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公开(公告)号：CN106304597B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201610852971.8
申请日：2014-02-03
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件。一种气体注入系统包括：(a)侧部气体气室；(b)耦接于所述侧部气体气室的多数N个气体入口；(c)从所述气室径向向内延伸的数个侧部气体出口；(d)N通道气体流率控制器，所述N通道气体流率控制器具有分别耦接于所述N个气体入口的N个输出；及(e)M通道气体流率控制器，所述M通道气体流率控制器具有M个输出，所述M个输出的个别一者耦接于所述可调整的气体喷嘴与所述N通道气体流率控制器的气体输入。
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公开(公告)号：CN107164742A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710469677.3
申请日：2012-02-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4412
Abstract: 本申请公开了具有共享腔的真空腔室。本揭示案的实施例大体关于真空处理腔室，这些真空处理腔室具有不同泵送要求且经由单个前级真空管线连接至共享泵送系统。在一个实施例中，真空处理腔室包括耦接至单个高传导前级真空管线的高传导泵送管道及低传导泵送管道。在另一实施例中，多个非平衡腔室组可藉由最终的前级真空管线连接至公共泵送系统。
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公开(公告)号：CN107221487B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201710469815.8
申请日：2014-02-03
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/45561 , C23C16/45578 , C23C16/4558 , H01J37/32082
Abstract: 一种等离子体反应器的环形盖板具有上层及下层气体分配通道，该等气体分配通道沿着相等长度路径从气体供应接线分配气体至顶部气体喷嘴的各自的气体分配通道。
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公开(公告)号：CN103891417B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201280051755.3
申请日：2012-10-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/24 , H05H1/28 , H01L21/205
Abstract: 于此提供一种用于处理基板的设备。于一些实施例中，设备包含：第一导电本体，绕处理腔室的内部容积中的基板支撑件而设置；第一导电环，具有内缘及外缘，该内缘耦接至第一导电本体的第一端，该外缘自内缘径向向外而设置；第二导电本体，耦接至第一导电环的外缘，并具有至少一部分设于第一导电环上，其中第二导电环的至少一部分和第一导电环部分地界定第一导电环上的第一区域；及加热器，经配置成加热第一导电本体、第二导电本体及第一导电环。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107424901A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710705541.8
申请日：2014-02-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 描述具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件。一种气体注入系统包括：(a)侧部气体气室；(b)耦接于所述侧部气体气室的多数N个气体入口；(c)从所述气室径向向内延伸的数个侧部气体出口；(d)N通道气体流率控制器，所述N通道气体流率控制器具有分别耦接于所述N个气体入口的N个输出；及(e)M通道气体流率控制器，所述M通道气体流率控制器具有M个输出，所述M个输出的个别一者耦接于所述可调整的气体喷嘴与所述N通道气体流率控制器的气体输入。
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公开(公告)号：CN103370768B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201280008689.1
申请日：2012-02-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: C23C16/4412
Abstract: 本揭示案的实施例大体关于真空处理腔室，这些真空处理腔室具有不同泵送要求且经由单个前级真空管线连接至共享泵送系统。在一个实施例中，真空处理腔室包括耦接至单个高传导前级真空管线的高传导泵送管道及低传导泵送管道。在另一实施例中，多个非平衡腔室组可藉由最终的前级真空管线连接至公共泵送系统。
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公开(公告)号：CN106304597A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610852971.8
申请日：2014-02-03
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/45561 , C23C16/45563 , C23C16/45578 , H01J37/3244 , H05H1/34
Abstract: 描述具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件。一种气体注入系统包括：(a)侧部气体气室；(b)耦接于所述侧部气体气室的多数N个气体入口；(c)从所述气室径向向内延伸的数个侧部气体出口；(d)N通道气体流率控制器，所述N通道气体流率控制器具有分别耦接于所述N个气体入口的N个输出；及(e)M通道气体流率控制器，所述M通道气体流率控制器具有M个输出，所述M个输出的个别一者耦接于所述可调整的气体喷嘴与所述N通道气体流率控制器的气体输入。
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公开(公告)号：CN104012185A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201280062489.4
申请日：2012-10-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/34 , H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/6833 , H01J37/32642 , H01J37/32715 , H01L21/6831 , H02N13/00 , Y10T279/23
Abstract: 本发明中提供一种处理基板的装置。在一些实施例中，一种处理基板的装置可包括：基板支座，该基板支座包含设置于该基板支座内并具有周缘及第一表面的第一电极；设置于该第一电极的该第一表面上方的基板支座表面；以及第二电极，该第二电极设置于该基板支座内并径向延伸越过该第一电极的该周缘，其中该第二电极具有第二表面，该第二表面设置于该第一电极的该第一表面周围与上方。
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公开(公告)号：CN107424901B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201710705541.8
申请日：2014-02-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 描述具有方位角与径向分布控制的多区域气体注入组件。一种气体注入系统包括：(a)侧部气体气室；(b)耦接于所述侧部气体气室的多数N个气体入口；(c)从所述气室径向向内延伸的数个侧部气体出口；(d)N通道气体流率控制器，所述N通道气体流率控制器具有分别耦接于所述N个气体入口的N个输出；及(e)M通道气体流率控制器，所述M通道气体流率控制器具有M个输出，所述M个输出的个别一者耦接于所述可调整的气体喷嘴与所述N通道气体流率控制器的气体输入。
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