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公开(公告)号：CN107743529B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201680034786.6
申请日：2016-06-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 用于处理基板的装置及方法包括注射器单元，该注射器单元包括沿该注射器单元的长度延伸的前反应气体端口、沿该注射器单元的该长度延伸的后反应气体端口以及在该前反应气体端口及该后反应气体端口周围形成边界且封闭该前反应气体端口及该后反应气体端口的合并真空端口。
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公开(公告)号：CN108140578B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201680061712.1
申请日：2016-10-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/205 , H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 用于沉积膜的方法包含使基板表面暴露于有机基毒化剂，以相对于特征的底部优先抑制在特征的顶部的膜生长并沉积膜。可以使基板暴露于毒化剂任意次数以促进在特征中由下而上的膜生长。
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公开(公告)号：CN107075679A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580053168.1
申请日：2015-10-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46
Abstract: 一种用于在基板处理腔室中使用的加热模块。加热模块具有外壳，外壳中具有加热源。加热模块可以是设置于基座组件上方的气体分布组件的一部分，以直接加热基座的顶表面和晶片。加热模块可具有恒定的或可变的功率输出。描述了使用加热模块处理晶片的处理腔室及方法。
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公开(公告)号：CN108369896A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680072606.3
申请日：2016-12-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/027 , H01L21/324 , G03F7/20
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/045 , C23C16/45527 , C23C16/50 , C23C16/56 , H01L21/02208 , H01L21/02211 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02337 , H01L21/0234 , H01L21/76224
Abstract: 用于填充半导体特征的间隙的方法包括将基板表面暴露于前驱物和反应物并暴露于退火环境以降低沉积的膜的湿法蚀刻速率比率，并且填充间隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107743529A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201680034786.6
申请日：2016-06-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45502 , C23C16/45546 , C23C16/45563
Abstract: 用于处理基板的装置及方法包括注射器单元，该注射器单元包括沿该注射器单元的长度延伸的前反应气体端口、沿该注射器单元的该长度延伸的后反应气体端口以及在该前反应气体端口及该后反应气体端口周围形成边界且封闭该前反应气体端口及该后反应气体端口的合并真空端口。
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公开(公告)号：CN107658249B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201710997020.4
申请日：2015-11-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本申请公开了包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统。本文描述一种用于在处理系统中处理基板的设备和方法，所述处理系统包含沉积腔室、处理腔室以及隔离区域，所述隔离区域将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。所述沉积腔室将膜沉积在基板上。所述处理腔室从所述沉积腔室接收所述基板，并且利用膜特性更改装置来更改沉积在所述沉积腔室中的所述膜。提供了根据以上实施例以及其他实施例的处理系统和方法。
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公开(公告)号：CN108028164A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680052156.1
申请日：2016-09-09
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/32623 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32651 , H01J37/32752
Abstract: 一种等离子体源组件，包括壳体；与壳体电连通的阻隔板，与壳体电连通的阻隔板，该阻隔板具有限定场域的内周边缘、外周边缘、第一侧和第二侧，细长槽在所述场域内并且延伸穿过所述阻隔板，细长槽具有长度与宽度；以及在壳体内的RF热电极，RF热电极具有正面和背面，内周端和外周端，RF热电极的正面与阻隔板隔开以限定间隙。
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公开(公告)号：CN107658249A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710997020.4
申请日：2015-11-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67207 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/67213 , H01L21/67709 , H01L21/6776
Abstract: 本申请公开了包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统。本文描述一种用于在处理系统中处理基板的设备和方法，所述处理系统包含沉积腔室、处理腔室以及隔离区域，所述隔离区域将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。所述沉积腔室将膜沉积在基板上。所述处理腔室从所述沉积腔室接收所述基板，并且利用膜特性更改装置来更改沉积在所述沉积腔室中的所述膜。提供了根据以上实施例以及其他实施例的处理系统和方法。
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公开(公告)号：CN108028164B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201680052156.1
申请日：2016-09-09
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种等离子体源组件，包括壳体；与壳体电连通的阻隔板，与壳体电连通的阻隔板，该阻隔板具有限定场域的内周边缘、外周边缘、第一侧和第二侧，细长槽在所述场域内并且延伸穿过所述阻隔板，细长槽具有长度与宽度；以及在壳体内的RF热电极，RF热电极具有正面和背面，内周端和外周端，RF热电极的正面与阻隔板隔开以限定间隙。
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