公开(公告)号：CN1961093A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200480041262.7

申请日：2004-11-23

Applicant: 弗劳恩霍弗实用研究促进协会

Inventor： C·沙尔东 ,  M·法兰 ,  M·克鲁格 ,  N·希勒 ,  S·施特拉赫

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  B05D7/24

CPC classification number: C23C14/10 ,  B05D1/62 ,  C23C14/081 ,  C23C16/401

Abstract: 本发明涉及通过用叠层真空涂覆基材以制备超阻挡层体系的方法，该叠层由修整层和透明陶瓷层以交替层体系形成，但在由溅射涂覆的两层透明陶瓷层之间至少具有一层修整层，在淀积修整层时，将单体引入运行有磁控管等离子体的抽真空的涂覆室中。

公开(公告)号：CN1961093B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200480041262.7

申请日：2004-11-23

Applicant: 弗劳恩霍弗实用研究促进协会

Inventor： C·沙尔东 ,  M·法兰 ,  M·克鲁格 ,  N·希勒 ,  S·施特拉赫

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  B05D7/24

CPC classification number: C23C14/10 ,  B05D1/62 ,  C23C14/081 ,  C23C16/401

Abstract: 本发明涉及通过用叠层真空涂覆基材以制备超阻挡层体系的方法，该叠层由修整层和透明陶瓷层以交替层体系形成，但在由溅射涂覆的两层透明陶瓷层之间至少具有一层修整层，在淀积修整层时，将单体引入运行有磁控管等离子体的抽真空的涂覆室中。