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公开(公告)号：CN119275088A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411385187.1
申请日：2024-09-30
Applicant: 张亮
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种湿法晶圆干燥中实现更高线宽径深比的方法，包括：包括：S1、形成基底层，并预先放入待干燥的晶圆槽体内；S2、形成引力层，利用可控的团聚分子链间引力差所形成引力将水导出；S3、形成保护层，利用选取的惰性气体布设于引力层的上方，对引力层进行稳定性的保持。本发明利用选定的干水以及超纯水的表面张力差，以及干水本身适用于半导体制造的优异物理绝缘性，低沸点，高蒸气压，高密度等特点，来形成超纯水（DIW）和干水（Perfluor）界面，通过该界面的马兰戈尼效应及毛细管效应来实现干燥，相比较采用现有技术中采用IPA和DIW表面张力差进行晶圆的干燥处理的方式，可实现较高宽深比的电路线宽清洗后的微观干燥要求，并避免易燃易爆问题。
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