公开(公告)号：TWI538388B

公开(公告)日：2016-06-11

申请号：TW100100795

申请日：2011-01-10

Applicant: 微晶片科技公司 ,  MICROCHIP TECHNOLOGY INC.

Inventor： 小林文 ,  KOBAYASHI, BUN ,  席里 史帝文 ,  SCHELL, STEVEN ,  金永漢 ,  KIM, YONGHAN CHRIS ,  周裴明 ,  CHOW, PEI-MING DANIEL ,  張懋中 ,  CHANG, MAU-CHUNG FRANK

IPC: H03F1/32 ,  H03F3/19

CPC classification number: H03F3/195 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/0277 ,  H03F1/302 ,  H03F1/34 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/144 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/27 ,  H03F2203/7206 ,  H03F2203/7236 ,  H03G1/0035

公开(公告)号：TWI364162B

公开(公告)日：2012-05-11

申请号：TW097137482

申请日：2008-09-30

Applicant: 微晶片科技公司

Inventor： 小林文

IPC: H03F

CPC classification number: H03F3/211 ,  H03F1/302 ,  H03F1/565 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/451 ,  H03F2203/21139 ,  H03F2203/21157 ,  H03F2203/21178 ,  H03H7/38

Abstract: 一種射頻功率放大器包括多個放大器胞元。各個放大器胞元包括一雙極電晶體及一基極電路，其包含一射頻耦合電容器、一偏壓電阻器、一基極電容器、及一基極電阻器。該基極電路發送直流偏壓電流及一射頻信號至該雙極電晶體之基極來提供選擇性頻率響應。該基極電路可使用堆疊電容器之結構實施。

Abstract in simplified Chinese: 一种射频功率放大器包括多个放大器胞元。各个放大器胞元包括一双极晶体管及一基极电路，其包含一射频耦合电容器、一偏压电阻器、一基极电容器、及一基极电阻器。该基极电路发送直流偏压电流及一射频信号至该双极晶体管之基极来提供选择性频率响应。该基极电路可使用堆栈电容器之结构实施。