公开(公告)号：CN108575098B

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN201780008263.9

申请日：2017-02-06

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： D·巴苏 ,  H·L·爱德华兹 ,  R·A·杰克逊 ,  M·A·加德纳

IPC: H01L31/052 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/103 ,  G01J1/02 ,  G01J1/04 ,  G01J1/42

Abstract: 在所描述的示例中，集成电路(100)包括基板(102)、光电二极管(110)和菲涅耳结构(120)。光电二极管(110)形成在基板(102)上，并且光电二极管(110)具有p‑n结(116)。菲涅耳结构(120)形成在光电二极管(110)上方，并且菲涅耳结构(120)限定定位在p‑n结(116)的附近区域内的聚焦区(122)。一方面，菲涅耳结构(120)可以包括充当衍射装置的沟槽图案(132、134、136、138)以用于将入射光子重定向并且集中到聚焦区(124)。另一方面，菲涅耳结构(120)可以包括充当衍射装置的布线图案以用于将入射光子重定向并且集中到聚焦区(122)。又一方面，菲涅耳结构(120)可以包括充当折射装置的透明电介质图案以用于将入射光子重定向并且集中到聚焦区(122)。

公开(公告)号：CN108575098A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201780008263.9

申请日：2017-02-06

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： D·巴苏 ,  H·L·爱德华兹 ,  R·A·杰克逊 ,  M·A·加德纳

IPC: H01L31/052 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/103 ,  G01J1/02 ,  G01J1/04 ,  G01J1/42

CPC classification number: H01L31/02327 ,  G01J1/02 ,  G01J1/0209 ,  G01J1/0411 ,  G01J1/42 ,  H01L25/167 ,  H01L31/103

Abstract: 在所描述的示例中，集成电路(100)包括基板(102)、光电二极管(110)和菲涅耳结构(120)。光电二极管(110)形成在基板(102)上，并且光电二极管(110)具有p-n结(116)。菲涅耳结构(120)形成在光电二极管(110)上方，并且菲涅耳结构(120)限定定位在p-n结(116)的附近区域内的聚焦区(122)。一方面，菲涅耳结构(120)可以包括充当衍射装置的沟槽图案(132、134、136、138)以用于将入射光子重定向并且集中到聚焦区(124)。另一方面，菲涅耳结构(120)可以包括充当衍射装置的布线图案以用于将入射光子重定向并且集中到聚焦区(122)。又一方面，菲涅耳结构(120)可以包括充当折射装置的透明电介质图案以用于将入射光子重定向并且集中到聚焦区(122)。