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公开(公告)号：CN104749718B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201410844544.6
申请日：2014-12-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G02B6/4214 , G01J1/0209 , G01J1/0407 , G02B6/4202
Abstract: 提供了一种具有波导的集成光电子器件和系统以及其制造方法。集成电子器件由第一表面和第二表面界定，并且包括：由半导体材料制成的本体，在本体内部形成在探测器和发射器之间选择的至少一个光电子部件；以及光学路径，该光学路径至少部分地为引导类型的并且在第一表面和第二表面之间延伸，光学路径穿过本体。光电子部件通过光学路径光学耦合到自由空间的第一部分和自由空间的第二部分，该自由空间的第一部分和第二部分被分别布置在第一表面上方和第二表面下方。
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公开(公告)号：CN106323513B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201510829024.2
申请日：2015-11-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及测量设备的差分法向压力的压力传感器设备及相关方法。一种压力传感器设备，位于测量机械参数的材料内。压力传感器设备可包括IC，IC包括：环形振荡器，具有包括第一掺杂和第二掺杂压敏电阻器对的反相器级。每个压敏电阻器对均可以包括相对垂直布置且具有相同电阻值的两个压敏电阻器。每个压敏电阻器对均可以具有响应于压力的第一和第二电阻值。IC可包括输出接口，耦合至环形振荡器，并且被配置为生成基于第一和第二电阻值以及表示垂直于IC的压力的压力输出信号。
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公开(公告)号：CN106323513A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510829024.2
申请日：2015-11-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及测量设备的差分法向压力的压力传感器设备及相关方法。一种压力传感器设备，位于测量机械参数的材料内。压力传感器设备可包括IC，IC包括：环形振荡器，具有包括第一掺杂和第二掺杂压敏电阻器对的反相器级。每个压敏电阻器对均可以包括相对垂直布置且具有相同电阻值的两个压敏电阻器。每个压敏电阻器对均可以具有响应于压力的第一和第二电阻值。IC可包括输出接口，耦合至环形振荡器，并且被配置为生成基于第一和第二电阻值以及表示垂直于IC的压力的压力输出信号。
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公开(公告)号：CN104749718A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410844544.6
申请日：2014-12-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G02B6/4214 , G01J1/0209 , G01J1/0407 , G02B6/4202
Abstract: 提供了一种具有波导的集成光电子器件和系统以及其制造方法。集成电子器件由第一表面和第二表面界定，并且包括：由半导体材料制成的本体，在本体内部形成在探测器和发射器之间选择的至少一个光电子部件；以及光学路径，该光学路径至少部分地为引导类型的并且在第一表面和第二表面之间延伸，光学路径穿过本体。光电子部件通过光学路径光学耦合到自由空间的第一部分和自由空间的第二部分，该自由空间的第一部分和第二部分被分别布置在第一表面上方和第二表面下方。
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公开(公告)号：CN106328646B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201510824958.7
申请日：2015-11-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L29/8605
Abstract: 本申请涉及包括半导体电阻器和电阻补偿电路的集成电路及相关方法。集成电路可包括半导体衬底以及半导体电阻器。半导体电阻器可包括在半导体衬底中并具有第一导电性类型的阱、在阱中具有L形并具有第二导电性类型的第一电阻性区域、以及与第一电阻性区域相关联的调节元件。集成电路还可包括在半导体衬底上的电阻补偿电路。电阻补偿电路可以被配置为测量第一电阻性区域的初始电阻，并基于测得的初始电阻在调节元件处产生电压，以调节第一电阻性区域的工作电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104380159B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201380032245.6
申请日：2013-07-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L31/02327 , G02B6/12002 , G02B6/12004 , G02B6/43 , H01L31/103 , H01L31/125
Abstract: 一种集成电子器件由第一表面(S1)和第二表面(S2)界定，并且包括：由半导体材料制成的本体(2)，在本体内部形成在探测器(30)和发射器(130)之间选择的至少一个光电子部件；以及光学路径(OP)，该光学路径至少部分地为引导类型的并且在第一表面和第二表面之间延伸，光学路径穿过本体。光电子部件通过光学路径光学耦合到自由空间的第一部分和自由空间的第二部分，该自由空间的第一部分和第二部分被分别布置在第一表面上方和第二表面下方。
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公开(公告)号：CN106328646A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510824958.7
申请日：2015-11-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L29/8605
Abstract: 本申请涉及包括半导体电阻器和电阻补偿电路的集成电路及相关方法。集成电路可包括半导体衬底以及半导体电阻器。半导体电阻器可包括在半导体衬底中并具有第一导电性类型的阱、在阱中具有L形并具有第二导电性类型的第一电阻性区域、以及与第一电阻性区域相关联的调节元件。集成电路还可包括在半导体衬底上的电阻补偿电路。电阻补偿电路可以被配置为测量第一电阻性区域的初始电阻，并基于测得的初始电阻在调节元件处产生电压，以调节第一电阻性区域的工作电阻。
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公开(公告)号：CN104380159A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201380032245.6
申请日：2013-07-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L31/02327 , G02B6/12002 , G02B6/12004 , G02B6/43 , H01L31/103 , H01L31/125
Abstract: 一种集成电子器件由第一表面(S1)和第二表面(S2)界定，并且包括：由半导体材料制成的本体(2)，在本体内部形成在探测器(30)和发射器(130)之间选择的至少一个光电子部件；以及光学路径(OP)，该光学路径至少部分地为引导类型的并且在第一表面和第二表面之间延伸，光学路径穿过本体。光电子部件通过光学路径光学耦合到自由空间的第一部分和自由空间的第二部分，该自由空间的第一部分和第二部分被分别布置在第一表面上方和第二表面下方。
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公开(公告)号：CN206132282U
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201520948134.6
申请日：2015-11-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01L9/0052 , G01L9/065
Abstract: 本公开涉及压力传感器设备。一种压力传感器设备，位于测量机械参数的材料内。压力传感器设备可包括IC，IC包括：环形振荡器，具有包括第一掺杂和第二掺杂压敏电阻器对的反相器级。每个压敏电阻器对均可以包括相对垂直布置且具有相同电阻值的两个压敏电阻器。每个压敏电阻器对均可以具有响应于压力的第一和第二电阻值。IC可包括输出接口，耦合至环形振荡器，并且被配置为生成基于第一和第二电阻值以及表示垂直于IC的压力的压力输出信号。
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公开(公告)号：CN205194698U
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201520946630.8
申请日：2015-11-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本申请涉及集成电路。集成电路可包括半导体衬底以及半导体电阻器。半导体电阻器可包括在半导体衬底中并具有第一导电性类型的阱、在阱中具有L形并具有第二导电性类型的第一电阻性区域、以及与第一电阻性区域相关联的调节元件。集成电路还可包括在半导体衬底上的电阻补偿电路。电阻补偿电路可以被配置为测量第一电阻性区域的初始电阻，并基于测得的初始电阻在调节元件处产生电压，以调节第一电阻性区域的工作电阻。根据本实用新型的方案，可以提供一种能够减小/消除平面应力影响的改进的集成电路。
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