公开(公告)号：CN101450995B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200810182570.1

申请日：2008-12-05

Applicant: 成均馆大学校产学协力团

Inventor： 郑东根 ,  李晟宇 ,  禹知亨

IPC: C08G77/50 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768

CPC classification number: B05D1/62 ,  B05D3/0254

Abstract: 本发明公开了一种低介电常数等离子聚合薄膜，其使用直链有机/无机前驱体的低介电常数等离子聚合薄膜和通过等离子增强化学气相沉积和使用RTA装置退火来制造。该低介电常数等离子聚合薄膜由于具有非常高的热稳定性、低的介电常数和优良的机械性能，可有效用于具有该薄膜结构的多层金属薄膜的制备。

公开(公告)号：CN101450995A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810182570.1

申请日：2008-12-05

Applicant: 成均馆大学校产学协力团

Inventor： 郑东根 ,  李晟宇 ,  禹知亨

IPC: C08G77/50 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768

CPC classification number: B05D1/62 ,  B05D3/0254

Abstract: 本发明公开了一种低介电常数等离子聚合薄膜，其使用直链有机/无机前驱体的低介电常数等离子聚合薄膜和通过等离子增强化学气相沉积和使用RTA装置退火来制造。该低介电常数等离子聚合薄膜由于具有非常高的热稳定性、低的介电常数和优良的机械性能，可有效用于具有该薄膜结构的多层金属薄膜的制备。