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公开(公告)号：CN111554526B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010410609.1
申请日：2020-05-15
Applicant: 成都信息工程大学 , 四川星科乔利科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种电沉积制备疏松多孔泡沫镍基底超级电容器的方法，包括在电沉积前将工作电极放入无水乙醇中浸润，然后再将浸润后的工作电极直接放入前驱体溶液中进行电沉积制备电极。本发明的方法利用无水乙醇促进二氧化锰基在三维多孔泡沫镍上沉积，制备的二氧化锰基具有明显的疏松多孔结构，相比于传统电沉积法，具有更优异的电化学性能，而且无水乙醇改善工艺具有方便快捷，成本低等优点。
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公开(公告)号：CN111554526A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010410609.1
申请日：2020-05-15
Applicant: 成都信息工程大学 , 四川星科乔利科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种电沉积制备疏松多孔泡沫镍基底超级电容器的方法，包括在电沉积前将工作电极放入无水乙醇中浸润，然后再将浸润后的工作电极直接放入前驱体溶液中进行电沉积制备电极。本发明的方法利用无水乙醇促进二氧化锰基在三维多孔泡沫镍上沉积，制备的二氧化锰基具有明显的疏松多孔结构，相比于传统电沉积法，具有更优异的电化学性能，而且无水乙醇改善工艺具有方便快捷，成本低等优点。
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公开(公告)号：CN111326657A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010156155.X
申请日：2020-03-09
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种CsPbBr3/CsPb2Br5复合薄膜及其制备方法，其包括：(1)将CsPbBr3粉末置于坩埚中，通过真空蒸发镀膜工艺在基片制得薄膜样品；(2)将载有所述薄膜样品的基片取出并将其与滴加有DMSO液体的空白基片一同放入蒸发皿中，将蒸发皿密封后加热至100-150℃，保温15-20min后，解除密封，自然冷却至室温，制得CsPbBr3/CsPb2Br5复合薄膜。本发明采用CsPbBr3粉末，一种原料一步蒸发制得CsPbBr3和CsPb2Br5复合物薄膜，使制备工艺大大简化；并且在退火过程中，采用DMSO或DMF蒸汽辅助，150oC以下便可极大提高薄膜的结晶特性和光电响应特性，无需高温。
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公开(公告)号：CN115036142A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210678291.4
申请日：2022-06-16
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明属于储能元件技术领域，公开了二氧化锰电极及其制备方法和应用。本发明以三维泡沫镍作为基底在NiSO4，Na2SO4混合溶液进行电还原，构筑了具有纳米核状结构的泡沫镍上还原镍基底(rNi Base)。随后再将rNi Base作为基底，在Na+，K+，NH4+三种不同一价阳离子预插层处理条件下分别电沉积二氧化锰，最终得到了具有特殊纳米菜花状结构的rNi/MnO2&Na+电极，该电极特殊的纳米结构提升了其电化学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105806389A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610184727.9
申请日：2016-03-25
Applicant: 成都信息工程大学 , 成都中泰元创科技有限公司 , 樊昌元
IPC: G01D18/00
CPC classification number: G01D18/00
Abstract: 本发明公开了一种人影高炮模拟系统及控制方法，所述系统为：机械底盘上设置有两个模拟炮管，所述机械底盘下部设置有控制机械底盘在水平方向运动的方位旋转机构、控制机械底盘在垂直方向运动的俯仰旋转机构，所述方位旋转机构通过第一减速器连接到方位驱动机构，所述俯仰旋转机构通过第二减速器连接到俯仰驱动机构，所述机械底盘下部还设置有用于模拟所述人影高炮模拟系统震动的震动器；所述控制方法主要是通过触屏软件中与PLC相对应的数据寄存器相关联，填写需要设置的数值，当所有需要进行设置的参数都设置好之后，点击触摸屏上的相应启动按钮执行相应动作。本发明大大缩减高炮作业数据采集器的测试成本、周期，也使得测试更加方便。
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公开(公告)号：CN115036142B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202210678291.4
申请日：2022-06-16
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明属于储能元件技术领域，公开了二氧化锰电极及其制备方法和应用。本发明以三维泡沫镍作为基底在NiSO4，Na2SO4混合溶液进行电还原，构筑了具有纳米核状结构的泡沫镍上还原镍基底(rNi Base)。随后再将rNi Base作为基底，在Na+，K+，NH4+三种不同一价阳离子预插层处理条件下分别电沉积二氧化锰，最终得到了具有特殊纳米菜花状结构的rNi/MnO2&Na+电极，该电极特殊的纳米结构提升了其电化学性能。
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公开(公告)号：CN111326657B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010156155.X
申请日：2020-03-09
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种CsPbBr3/CsPb2Br5复合薄膜及其制备方法，其包括：(1)将CsPbBr3粉末置于坩埚中，通过真空蒸发镀膜工艺在基片制得薄膜样品；(2)将载有所述薄膜样品的基片取出并将其与滴加有DMSO液体的空白基片一同放入蒸发皿中，将蒸发皿密封后加热至100‑150℃，保温15‑20min后，解除密封，自然冷却至室温，制得CsPbBr3/CsPb2Br5复合薄膜。本发明采用CsPbBr3粉末，一种原料一步蒸发制得CsPbBr3和CsPb2Br5复合物薄膜，使制备工艺大大简化；并且在退火过程中，采用DMSO或DMF蒸汽辅助，150oC以下便可极大提高薄膜的结晶特性和光电响应特性，无需高温。
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公开(公告)号：CN105806389B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201610184727.9
申请日：2016-03-25
Applicant: 成都信息工程大学 , 成都中泰元创科技有限公司 , 樊昌元
IPC: G01D18/00
Abstract: 本发明公开了一种人影高炮模拟系统及控制方法，所述系统为：机械底盘上设置有两个模拟炮管，所述机械底盘下部设置有控制机械底盘在水平方向运动的方位旋转机构、控制机械底盘在垂直方向运动的俯仰旋转机构，所述方位旋转机构通过第一减速器连接到方位驱动机构，所述俯仰旋转机构通过第二减速器连接到俯仰驱动机构，所述机械底盘下部还设置有用于模拟所述人影高炮模拟系统震动的震动器；所述控制方法主要是通过触屏软件中与PLC相对应的数据寄存器相关联，填写需要设置的数值，当所有需要进行设置的参数都设置好之后，点击触摸屏上的相应启动按钮执行相应动作。本发明大大缩减高炮作业数据采集器的测试成本、周期，也使得测试更加方便。
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公开(公告)号：CN205483011U
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201620243227.3
申请日：2016-03-25
Applicant: 成都信息工程大学 , 成都中泰元创科技有限公司 , 樊昌元
IPC: G01D18/00
Abstract: 本实用新型公开了一种人影高炮模拟系统，其结构为：机械底盘上设置有两个模拟炮管，所述机械底盘下部设置有控制机械底盘在水平方向运动的方位旋转机构、控制机械底盘在垂直方向运动的俯仰旋转机构，所述方位旋转机构通过第一减速器连接到方位驱动机构，所述俯仰旋转机构通过第二减速器连接到俯仰驱动机构，所述机械底盘下部还设置有用于模拟所述人影高炮模拟系统震动的震动器。本实用新型大大缩减高炮作业数据采集器的测试成本、周期，也使得测试更加方便。
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