公开(公告)号：CN100495652C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200580049424.6

申请日：2005-04-11

Applicant: 斗山MECATEC株式会社

Inventor： 尹镇老 ,  金振泰

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明涉及一种半导体晶片清洁系统，包括：预清洁站，通过预先在晶片上喷射去离子水而去除晶片上的颗粒；第一清洁站，通过摩擦旋转与晶片前后表面接触的一对刷子并通过独立设置的化学物喷射器将化学物喷射在晶片上，用于第一次清洁残余的颗粒；第一冲洗站，通过在向第一清洁站第一次清洁的晶片上喷射清洁液体进行冲洗；第二清洁站，利用与第一清洁站相同的结构和方式，通过独立设置的化学物喷射器将化学物喷射到在第一冲洗站第一次冲洗清洁的晶片上，第二次清洁晶片前后表面残余的颗粒；第二冲洗站，通过向在第二清洁站第二次清洁的晶片上喷射清洁液体进行冲洗；以及干燥站，利用通过高速旋转第二冲洗站冲洗的晶片所产生的离心力干燥残余的清洁液体。根据本发明，通过在分别且独立地设置的清洁站和冲洗站中进行表面抛光晶片的清洁操作和冲洗操作，使晶片进入每个清洁站的等待时间最短，从而通过解决整个晶片制造工艺中的延迟现象而显著地提高晶片生产率。

公开(公告)号：CN101180711A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200580049424.6

申请日：2005-04-11

Applicant: 斗山MECATEC株式会社

Inventor： 尹镇老 ,  金振泰

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明涉及一种半导体晶片清洁系统，包括：预清洁站，通过预先在晶片上喷射去离子水而去除晶片上的颗粒；第一清洁站，通过摩擦旋转与晶片前后表面接触的一对刷子并通过独立设置的化学物喷射器将化学物喷射在晶片上，用于第一次清洁残余的颗粒；第一冲洗站，通过在向第一清洁站第一次清洁的晶片上喷射清洁液体进行冲洗；第二清洁站，利用与第一清洁站相同的结构和方式，通过独立设置的化学物喷射器将化学物喷射到在第一冲洗站第一次冲洗清洁的晶片上，第二次清洁晶片前后表面残余的颗粒；第二冲洗站，通过向在第二清洁站第二次清洁的晶片上喷射清洁液体进行冲洗；以及干燥站，利用通过高速旋转第二冲洗站冲洗的晶片所产生的离心力干燥残余的清洁液体。根据本发明，通过在分别且独立地设置的清洁站和冲洗站中进行表面抛光晶片的清洁操作和冲洗操作，使晶片进入每个清洁站的等待时间最短，从而通过解决整个晶片制造工艺中的延迟现象而显著地提高晶片生产率。