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公开(公告)号：CN101248379B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200580009284.X
申请日：2005-03-24
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司 , 大卫·佩德 , 普拉卡什·约托斯卡 , 马格利特·吉龙 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 威普库马·帕特尔 , 索哈姆·帕塔克 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
Inventor： 大卫·佩德 , 普拉卡什·约托斯卡 , 马格利特·吉龙 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 威普库马·帕特尔 , 索哈姆·帕塔克 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
CPC classification number: G02B6/12004 , G02B6/125 , G02B2006/12061 , G02B2006/12097 , G02B2006/12104 , G02B2006/12176 , G02B2006/12195
Abstract: 一种装置使用在SOI结构中的图案化几何结构，所述装置用于提供光交叉区，所述光交叉区在基于SOI结构中形成的波导之间，选择其以降低信号重叠区域中的串扰效果。优选地，光信号固定以沿正交方向传播(或具有不同的波长)以最小化串扰效果。所述SOI结构的几何结构被图案化，包括预定的锥和/或反射表面，以导引/调整传播的光信号。可形成在所述光交叉区域内的图案化波导区域，其包括叠加的多晶硅段，以进一步指引所述传播的束，以及改善所述交叉装置的耦合效率。
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公开(公告)号：CN101371175B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200780002232.9
申请日：2007-01-11
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司
Inventor： 马格利特·吉龙 , 普拉卡什·约托斯卡 , 约翰·芳曼 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 玛丽·纳多
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02B6/4231
Abstract: 一种用于提供光耦合进和耦合出相对薄的硅波导的装置，所述相对薄的硅波导在SOI结构的SOI层中形成，所述装置包括透镜元件和在SOI结构中界定的、用于以高效的方式提供光耦合的参考表面。波导的输入可来自光纤或光发送器件(激光器)。相似的耦合装置可用在薄的硅波导与输出光纤(单模光纤或多模光纤)之间。
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公开(公告)号：CN101283300B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200580035638.8
申请日：2005-10-19
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司
CPC classification number: G02F1/025 , G02B6/3586 , G02B6/3588 , G02B6/3594 , G02F1/0123 , G02F2201/58 , G02F2203/21
Abstract: 通过使用单片光电反馈装置，提供了对于基于SOI的光电系统的可靠性和使用寿命的改进，该单片光电反馈装置监控光电系统内的一个或更多个光信号，并提供电反馈信号以调整选择的光学设备的运行参数。例如，可以控制输入信号耦合方向。可选地，光学调制器、开关、滤波器或衰减器可以通过创造性单片反馈装置的功效受到闭环反馈控制。反馈装置还可以包括连接到控制电子器件的校准/查找表，以提供用于分析此系统性能的基准信号。
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公开(公告)号：CN101248379A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200580009284.X
申请日：2005-03-24
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司 , 大卫·佩德 , 普拉卡什·约托斯卡 , 马格利特·吉龙 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 威普库马·帕特尔 , 索哈姆·帕塔克 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
Inventor： 大卫·佩德 , 普拉卡什·约托斯卡 , 马格利特·吉龙 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 威普库马·帕特尔 , 索哈姆·帕塔克 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
CPC classification number: G02B6/12004 , G02B6/125 , G02B2006/12061 , G02B2006/12097 , G02B2006/12104 , G02B2006/12176 , G02B2006/12195
Abstract: 一种装置使用在SOI结构中的图案化几何结构，所述装置用于提供光交叉区，所述光交叉区在基于SOI结构中形成的波导管之间，选择其以降低信号重叠区域中的串扰效果。优选地，光信号固定以沿正交方向传播(或具有不同的波长)以最小化串扰效果。所述SOI结构的几何结构被图案化，包括预定的锥和/或反射表面，以导引/调整传播的光信号。可形成在所述光交叉区域内的图案化波导区域，其包括叠加的多晶硅段，以进一步指引所述传播的束，以及改善所述交叉装置的耦合效率。
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公开(公告)号：CN101142505A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200580005637.9
申请日：2005-02-28
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司 , 普拉卡什·约托斯卡 , 马格利特·吉龙 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 威普库马·帕特尔 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 索哈姆·帕塔克 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
Inventor： 普拉卡什·约托斯卡 , 马格利特·吉龙 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 威普库马·帕特尔 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 索哈姆·帕塔克 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
CPC classification number: G02B6/12004 , G02F1/025 , G02F1/292 , G02F2001/294
Abstract: 一种用于在两维主动控制SOI基光学结构内的光的操控的装置，其使用在硅－绝缘体－硅电容(SISCAP)结构的SOI层和多晶硅层内形成的掺杂区域。所述区域被对应掺杂以形成有源器件，其中电势在所述对应掺杂区域间的施加用于改变受影响区的反射指数，以及改变通过所述区域传播的光信号的特性。可有利地形成所述掺杂区域，以显示任何期望的“形状”(例如透镜、棱镜、布拉格光栅等)，以操控传播的束，所述传播的束随这些器件的已知特性而变化。在SISCAP形成的SOI基光学元件(例如马赫曾德尔干涉仪、环形谐振器、光开关等)内可包括本发明的一个或更多有源器件，以形成有源的可调谐元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100359367C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200480007925.3
申请日：2004-03-23
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司
Inventor： 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 马格利特·吉龙 , 普拉卡什·约托斯卡 , 威普库马·帕特尔 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 索哈姆·帕塔克 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
CPC classification number: G02F1/025 , G02B2006/12142 , G02B2006/12159 , G02F1/2257
Abstract: 基于形成来部分覆盖第二导电性类型的体区域的第一导电性的栅区域的硅基电光调制器(30)，具有在栅区域和体区域(12，10)的接触部分之间插入的相对较薄电介质层(10)。调制器可以在SOI平台形成，在SOI结构的相对较薄的硅表面层中形成体区域并且用覆盖SOI结构的相对较薄的硅层(10)形成栅区域。控制栅区域和体区域的掺杂用以在电介质层的上面和下面形成轻掺杂区域，从而定义了器件(16)的有源区域。有利的是，在该有源器件区域中光电场基本与自由载流子浓度区域一致。从而调制信号的应用引起电介质层两侧的自由载流子同时积累，耗尽或者反型，产生高速的工作。
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公开(公告)号：CN101052905A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200480010730.4
申请日：2004-04-23
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司
Inventor： 普拉卡什·约托斯卡 , 马格利特·吉龙 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 威普库马·帕特尔 , 卡尔潘都·夏斯特里 , 索哈姆·帕塔克 , 凯瑟琳·A·亚努舍弗斯奇
CPC classification number: G02B6/136 , G02B6/12007 , G02B6/122 , G02B6/124 , G02B6/125 , G02B6/2813 , G02B2006/12061 , G02B2006/12097 , G02B2006/12102 , G02B2006/12104 , G02B2006/12107 , G02B2006/12147 , G02B2006/12159 , G02B2006/12173
Abstract: 一组平面的、二维的光学设备，其能够在SOI结构的亚微米表面层上或者在SOI表面层和覆盖的聚硅层的亚微米厚组合物上制备。可以应用传统的覆盖/蚀刻技术在SOI平台上形成各种有源和无源设备。可以对设备的各个区进行掺杂以形成有源设备结构。另外，聚硅层可以被单独图形化，为传输的光信号提供有效模指数变化区。
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公开(公告)号：CN101578544B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200780037086.3
申请日：2007-10-09
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司
Inventor： 泡利尔斯·明道加斯·莫欣斯基斯 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 普拉卡什·约托斯卡
IPC: G02B26/00
CPC classification number: G02F1/2255 , G02F1/0121 , H04B10/5051 , H04B10/50575
Abstract: 一种光调制器，构成为包括用于动态调整调制器内的光信号路径的有效长度的可调驱动装置。每个调制器臂被分割为多段，每段耦合到单独的电信号驱动器。因此，在任意时刻对于每个调制器臂而言，每个臂的有效长度将是被启动的驱动器数量的函数。反馈装置可与多个驱动器一同使用，通过测量作为光功率函数的消光比，并相应地“开启”或“关闭”单独的驱动器，来动态调整调制器的操作。
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公开(公告)号：CN101371175A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780002232.9
申请日：2007-01-11
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司
Inventor： 马格利特·吉龙 , 普拉卡什·约托斯卡 , 约翰·芳曼 , 罗伯特·凯斯·蒙特哥莫里 , 玛丽·纳多
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02B6/4231
Abstract: 一种用于提供光耦合进和耦合出相对薄的硅波导的装置，所述相对薄的硅波导在SOI结构的SOI层中形成，所述装置包括透镜元件和在SOI结构中界定的、用于以高效的方式提供光耦合的参考表面。波导的输入可来自光纤或光发送器件(激光器)。相似的耦合装置可用在薄的硅波导与输出光纤(单模光纤或多模光纤)之间。
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公开(公告)号：CN101283300A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200580035638.8
申请日：2005-10-19
Applicant: 斯欧普迪克尔股份有限公司
CPC classification number: G02F1/025 , G02B6/3586 , G02B6/3588 , G02B6/3594 , G02F1/0123 , G02F2201/58 , G02F2203/21
Abstract: 通过使用单片光电反馈装置，提供了对于基于SOI的光电系统的可靠性和使用寿命的改进，该单片光电反馈装置监控光电系统内的一个或更多个光信号，并提供电反馈信号以调整选择的光学设备的运行参数。例如，可以控制输入信号耦合方向。可选地，光学调制器、开关、滤波器或衰减器可以通过创造性单片反馈装置的功效受到闭环反馈控制。反馈装置还可以包括连接到控制电子器件的校准/查找表，以提供用于分析此系统性能的基准信号。
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