公开(公告)号：CN1110096C

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN94114815.7

申请日：1994-07-25

Applicant: 新潟精密株式会社

Inventor： 池田毅 ,  中西努 ,  冈本明

IPC: H01L27/01 ,  H01L29/92 ,  H01L23/522 ,  H01G4/40 ,  H03H7/01 ,  H03B5/18

CPC classification number: H03H7/0115 ,  H01L27/08 ,  H01L2924/0002 ,  H03B5/1841 ,  H03H7/0123 ,  H03H2001/0064 ,  H03H2001/0071 ,  H03H2001/0078 ,  H01L2924/00

Abstract: LC元件、半导体装置及其制作方法。LC元件在Si基片(30)上夹以绝缘层(26)形成指定形状的栅电极(10)，给栅电极加电压形成沟道(22)，由沟道(22)把形成在基片(30)表面附近隔开的位置上的第一扩散区(12)和第二扩散区(14)连接起来。沟道(22)和栅电极(10)都起电感器导体的作用，以分布参数的方式形成电容器。这种LC元件在较宽频段内具有良好的衰减特性。可用MOS制作技术简单制造，可作为基片一部分，而省去后部工序中的部件装配作业。