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公开(公告)号：CN102132426B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200980133530.0
申请日：2009-08-28
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L25/0753 , H01L27/15 , H01L27/153 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/12032 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种当透光性电极层发生断线时，可以确保电流路径而避免半导体发光元件自身发生接通不良的半导体发光元件。半导体发光元件(10)包含：基板(11)上的第1半导体层(12)；第1半导体层(12)上的发光层(13)；发光层(13)上的第2半导体层(14)；绝缘体层(15)，其设置于第2半导体层(14)上的一部分区域并且包含孔部(19)；透光性电极层(16)，其没有覆盖孔部(19)而覆盖绝缘体层(15)的上面以及第2半导体层(14)；以及第2焊垫电极(18)，其通过孔部(19)而与第2半导体层(14)相接触，并且在夹着透光性电极层(16)而与绝缘体层(15)相对向的位置上与透光性电极层(16)相接触。第2焊垫电极(18)与第2半导体层(14)的接触电阻大于透光性电极层(16)与第2半导体层(14)的接触电阻。
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公开(公告)号：CN107026185A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201611198485.5
申请日：2016-12-22
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L27/15 , H01L33/40 , H01L33/62 , H01L33/46 , H01L25/075
CPC classification number: H01L27/153 , H01L25/0753 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/62
Abstract: 本发明涉及抑制电极中所采用的金属材料的迁移、且提高光提取效率的发光元件。发光元件(1)具备：基板(11)；发光单元(101)等，它们设置于基板的上表面侧；光反射性电极(13)，其设置于发光单元等的上表面；第一绝缘层，其连续地将发光单元等的侧面及该侧面之间、和光反射性电极的侧面及上表面的一部分覆盖；配线电极等，其将发光单元等串联连接，并隔着第一绝缘层而将发光单元等的侧面以及该侧面之间覆盖；以及光反射性金属层等，它们隔着第一绝缘层将相邻的两个发光单元等的侧面以及该侧面之间覆盖，并与发光单元等未导通。光反射性金属层等的一部分隔着第一绝缘层将在发光单元等的上表面设置的光反射性电极的上表面的一部分覆盖。
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公开(公告)号：CN106067500A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610708521.1
申请日：2011-08-05
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/32 , Y10T428/24 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明提供一种可构成光提取效率优异的氮化物半导体发光元件的氮化物半导体发光元件用的蓝宝石基板。该蓝宝石基板是在一主面包含多个凸部，在该一主面成长氮化物半导体而形成氮化物半导体发光元件，且将多个凸部以如下方式配置：在包含多个凸部的底面的平面内在任意位置向任意方向画直线时，该直线通过至少任一凸部内。
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公开(公告)号：CN103069541B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201180038776.7
申请日：2011-08-05
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/32
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/32 , Y10T428/24 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明提供一种可构成光提取效率优异的氮化物半导体发光元件的氮化物半导体发光元件用的蓝宝石基板。该蓝宝石基板是在一主面包含多个凸部，在该一主面成长氮化物半导体而形成氮化物半导体发光元件，且将多个凸部以如下方式配置：在包含多个凸部的底面的平面内在任意位置向任意方向画直线时，该直线通过至少任一凸部内。
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公开(公告)号：CN111192950B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN201911111311.4
申请日：2019-11-14
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H10H20/856 , H10H20/851
Abstract: 本发明提供一种发光元件、发光装置以及发光元件的制造方法，能够提高发光特性。根据实施方式，发光元件包括：光反射部件、第一、第二半导体层积体、基板以及波长转换部件。光反射部件包括第一、第二区域。第一半导体层积体设置在第一区域与第二区域之间，射出具有第一峰值波长的第一光。第二半导体层积体设置在第一半导体层积体与第二区域之间，射出具有第二峰值波长的第二光。基板设置在第一、第二半导体层积体之间。波长转换部件包括第一～第三部分。波长转换部件生成具有第三峰值波长的第三光。第一区域的一部分处在第一部分与第一半导体层积体的一部分之间。第二区域的一部分处在第二部分与第二半导体层积体的一部分之间。第一光及第二光在基板传播，并射入第三部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108206226A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711347059.8
申请日：2017-12-15
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L21/268 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/145 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/44 , H01L2933/0025 , H01L33/14
Abstract: 一种发光元件的制造方法及发光元件，能减轻漏电流的产生。发光元件的制造方法具有：准备从下方朝向上方依次具有衬底、含有n型杂质的n侧氮化物半导体层、含有p型杂质的p侧氮化物半导体层的半导体晶片的工序；通过对衬底照射激光，在衬底上形成加工改性部的工序；通过分割衬底上形成有加工改性部的半导体晶片，得到多个发光元件的工序，其中，在准备半导体晶片的工序和在衬底上形成加工改性部的工序之间依次具有：在p侧氮化物半导体层的上表面的包含成为多个发光元件的区域的边界的区域形成保护层的工序；通过对半导体晶片进行退火，在未形成保护层的区域使p侧氮化物半导体层低电阻化的工序。
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公开(公告)号：CN106067502A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610711173.3
申请日：2011-08-05
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/32 , Y10T428/24 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明提供一种可构成光提取效率优异的氮化物半导体发光元件的氮化物半导体发光元件用的蓝宝石基板。该蓝宝石基板是在一主面包含多个凸部，在该一主面成长氮化物半导体而形成氮化物半导体发光元件，且将多个凸部以如下方式配置：在包含多个凸部的底面的平面内在任意位置向任意方向画直线时，该直线通过至少任一凸部内。
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公开(公告)号：CN106067501A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610709257.3
申请日：2011-08-05
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/10 , H01L33/20 , H01L33/32 , Y10T428/24 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明提供一种可构成光提取效率优异的氮化物半导体发光元件的氮化物半导体发光元件用的蓝宝石基板。该蓝宝石基板是在一主面包含多个凸部，在该一主面成长氮化物半导体而形成氮化物半导体发光元件，且将多个凸部以如下方式配置：在包含多个凸部的底面的平面内在任意位置向任意方向画直线时，该直线通过至少任一凸部内。
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公开(公告)号：CN108206226B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN201711347059.8
申请日：2017-12-15
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 一种发光元件的制造方法及发光元件，能减轻漏电流的产生。发光元件的制造方法具有：准备从下方朝向上方依次具有衬底、含有n型杂质的n侧氮化物半导体层、含有p型杂质的p侧氮化物半导体层的半导体晶片的工序；通过对衬底照射激光，在衬底上形成加工改性部的工序；通过分割衬底上形成有加工改性部的半导体晶片，得到多个发光元件的工序，其中，在准备半导体晶片的工序和在衬底上形成加工改性部的工序之间依次具有：在p侧氮化物半导体层的上表面的包含成为多个发光元件的区域的边界的区域形成保护层的工序；通过对半导体晶片进行退火，在未形成保护层的区域使p侧氮化物半导体层低电阻化的工序。
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公开(公告)号：CN111192950A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911111311.4
申请日：2019-11-14
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光元件、发光装置以及发光元件的制造方法，能够提高发光特性。根据实施方式，发光元件包括：光反射部件、第一、第二半导体层积体、基板以及波长转换部件。光反射部件包括第一、第二区域。第一半导体层积体设置在第一区域与第二区域之间，射出具有第一峰值波长的第一光。第二半导体层积体设置在第一半导体层积体与第二区域之间，射出具有第二峰值波长的第二光。基板设置在第一、第二半导体层积体之间。波长转换部件包括第一～第三部分。波长转换部件生成具有第三峰值波长的第三光。第一区域的一部分处在第一部分与第一半导体层积体的一部分之间。第二区域的一部分处在第二部分与第二半导体层积体的一部分之间。第一光及第二光在基板传播，并射入第三部分。
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