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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1955770A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610132062.3
申请日：2006-10-23
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: G02B6/4298 , G02B6/262 , G02B6/3845
Abstract: 一种光学部件，包括：具有纤芯和包层的光纤；连接到所述光纤出口端的光导保持构件；包含荧光物质的波长转换构件；以及设置在所述光纤出口端与所述波长转换构件之间、或所述光导保持构件与所述波长转换构件之间的反射装置。不像利用传统光学部件那样通过降低反射来提高光学输出，而是相反，实际上是通过产生反射来提高光学输出。因此，可以通过除了形成降低菲涅耳反射的光学膜以外的方法来提高光学输出。
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公开(公告)号：CN101257186A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810080896.3
申请日：2008-02-26
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光器元件，其具有包含第一氮化物半导体层、活性层、第二氮化物半导体层的氮化物半导体层、和与该氮化物半导体层的共振器面接触的第一保护膜，其中，至少与共振器面的活性层接触的第一保护膜是具有比上述第一保护膜的最大膜厚薄的区域的氮化物半导体层激光器元件。
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公开(公告)号：CN116435869A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202211560742.0
申请日：2022-12-07
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 目的在于提供抑制了端面损伤的产生的氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件具备第一导电型的第一氮化物半导体层、与该第一导电型不同的导电型即第二导电型的第二氮化物半导体层、配置于所述第一氮化物半导体层与所述第二氮化物半导体层之间的有源层、与该有源层的所述第二氮化物半导体层的一侧的面相交的光出射侧端面以及光反射侧端面、设于所述光出射侧端面的保护膜，该保护膜从所述光出射侧端面的一侧起依次具备包含铝以及/或者镓与氧的结晶性的第一膜、由氮化膜构成的结晶性的第二膜、包含铝与氧的第三膜。
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公开(公告)号：CN101257186B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200810080896.3
申请日：2008-02-26
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光器元件，其具有包含第一氮化物半导体层、活性层、第二氮化物半导体层的氮化物半导体层、和与该氮化物半导体层的共振器面接触的第一保护膜，其中，至少与共振器面的活性层接触的第一保护膜是具有比上述第一保护膜的最大膜厚薄的区域的氮化物半导体层激光器元件。
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公开(公告)号：CN100589002C
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200610132062.3
申请日：2006-10-23
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: G02B6/4298 , G02B6/262 , G02B6/3845
Abstract: 一种光学部件，包括：具有纤芯和包层的光纤；连接到所述光纤出口端的光导保持构件；包含荧光物质的波长转换构件；以及设置在所述光纤出口端与所述波长转换构件之间、或所述光导保持构件与所述波长转换构件之间的反射装置。不像利用传统光学部件那样通过降低反射来提高光学输出，而是相反，实际上是通过产生反射来提高光学输出。因此，可以通过除了形成降低菲涅耳反射的光学膜以外的方法来提高光学输出。
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