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公开(公告)号：CN1334570A
公开(公告)日：2002-02-06
申请号：CN01123605.1
申请日：2001-07-25
Applicant: 日本板硝子株式会社
IPC: H01B5/14 , C03C17/245
CPC classification number: G06F3/045 , C23C14/086 , H01B1/08 , H01H13/785 , H01H2201/028 , H01H2209/084
Abstract: 使用氧化铟/氧化锡靶在含有氩气和氧气的混合气气氛下在透明绝缘基板上实施溅射而制备具有透明导电膜的基板的方法中,其中,在混合气中氧气对氩气的比率是在0.016－0.018的合适范围之内,透明导电膜的载流子密度变得最大,同时随着氧气对氩气的比率增长迁移度逐渐升高。透明薄膜的表面电阻,其是载流子密度和迁移度之积的倒数,1/(载流子密度×迁移度),当氧气比率是在上述的合适范围之内时,它达到最小值。这样,薄膜的结晶被促进且薄膜在热处理之前和热处理之后的表面电阻的百分比变化可保持在±10%之内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1318892C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN02802353.6
申请日：2002-07-05
Applicant: 日本板硝子株式会社
IPC: G02F1/1333 , G09F9/30 , H01B5/14
CPC classification number: G02F1/13439 , G02F1/133514 , G02F2001/133519
Abstract: 本发明提供一种耐碱性和密合性优良的带有ITO膜的基板。该带有ITO膜的基板是在玻璃基板(101)的表面上按照如下的顺序依次层合滤色片(102)、有机保护膜(103)、中间层(104a)、(104b)和形成了电极图案的ITO膜(105)而得到的结构。中间层(104a)是通过使用Ar作为导入气体的高频溅射法在有机保护膜(103)的表面上成膜的、难于溶解于碱中的金属氧化物构成，中间层(104b)是通过反应溅射法或高频溅射法成膜的、难于溶解于碱中的金属氧化物或金属氮化物构成。
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公开(公告)号：CN1525946A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN02813704.3
申请日：2002-05-30
Applicant: 日本板硝子株式会社
CPC classification number: C03C17/36 , C03C17/3618 , C03C17/3642 , C03C17/3657 , C03C17/3668 , C03C2217/78 , C03C2217/948 , H01L51/52 , H01L51/5206
Abstract: 有机EL元件10由带ITO膜的基板4(所述带ITO膜的基板4由玻璃基板1、成膜在所述玻璃基板1的表面用于碱钝化的SiO2膜2、及成膜在SiO2膜2表面的ITO膜3构成)、成膜在ITO膜3的表面用于高效地将空穴注入发光层6的空穴传递层5、成膜在空穴传递层5的表面用于将电子注入发光层6的金属薄膜层7、利用被注入的空穴与电子的再结合而发光的发光层6构成。将玻璃基板1的表面平滑性控制在0nm≤Rz≤4nm的范围内。由此，能够不产生非发光点，并使耐久性提高。
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公开(公告)号：CN1277775C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN02813704.3
申请日：2002-05-30
Applicant: 日本板硝子株式会社
CPC classification number: C03C17/36 , C03C17/3618 , C03C17/3642 , C03C17/3657 , C03C17/3668 , C03C2217/78 , C03C2217/948 , H01L51/52 , H01L51/5206
Abstract: 有机EL元件10由带ITO膜的基板4(所述带ITO膜的基板4由玻璃基板1、成膜在所述玻璃基板1的表面用于碱钝化的SiO2膜2、及成膜在SiO2膜2表面的ITO膜3构成)、成膜在ITO膜3的表面用于高效地将空穴注入发光层6的空穴传递层5、成膜在发光层6的表面用于将电子注入发光层6的金属薄膜层7、利用被注入的空穴与电子的再结合而发光的发光层6构成。将玻璃基板1的表面平滑性控制在0nm≤Rz≤4nm的范围内。由此，能够不产生非发光点，并使耐久性提高。
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公开(公告)号：CN1220217C
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN01123605.1
申请日：2001-07-25
Applicant: 日本板硝子株式会社
IPC: H01B5/14 , C03C17/245
CPC classification number: G06F3/045 , C23C14/086 , H01B1/08 , H01H13/785 , H01H2201/028 , H01H2209/084
Abstract: 使用氧化铟/氧化锡靶在含有氩气和氧气的混合气气氛下在透明绝缘基板上实施溅射而制备具有透明导电膜的基板的方法中，其中，在混合气中氧气对氩气的比率是在0.016-0.018的合适范围之内，透明导电膜的载流子密度变得最大，同时随着氧气对氩气的比率增长迁移度逐渐升高。透明薄膜的表面电阻，其是载流子密度和迁移度之积的倒数，1/(载流子密度×迁移度)，当氧气比率是在上述的合适范围之内时，它达到最小值。这样，薄膜的结晶被促进且薄膜在热处理之前和热处理之后的表面电阻的百分比变化可保持在±10%之内。
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公开(公告)号：CN1464991A
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN02802353.6
申请日：2002-07-05
Applicant: 日本板硝子株式会社
IPC: G02F1/1333 , G09F9/30 , H01B5/14
CPC classification number: G02F1/13439 , G02F1/133514 , G02F2001/133519
Abstract: 本发明提供一种耐碱性和密合性优良的带有ITO膜的基板。该带有ITO膜的基板是在玻璃基板(101)的表面上按照如下的顺序依次层合滤色片(102)、有机保护膜(103)、中间层(104a)、(104b)和形成了电极图案的ITO膜(105)而得到的结构。中间层(104a)是通过使用Ar作为导入气体的高频溅射法在有机保护膜(103)的表面上成膜的、难于溶解于碱中的金属氧化物构成，中间层(104b)是通过反应溅射法或高频溅射法成膜的、难于溶解于碱中的金属氧化物或金属氮化物构成。
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