公开(公告)号：CN101525233B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN200910118396.9

申请日：2009-03-05

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 山崎正人 ,  平光秀明 ,  堀口学 ,  浜口幸弘 ,  山际胜也 ,  光冈健 ,  大林和重 ,  俵良太郎 ,  平田智大

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/16 ,  C04B35/49 ,  C04B35/495

Abstract: 本发明涉及压电陶瓷材料、压电元件以及非共振型爆震传感器。根据本发明的实施方案的压电陶瓷材料具有由下式表示的组成：Pbm{Zr1-x-y-zTixSny(Sb1-nNbn)z}O3，其中1.000≤m≤1.075、0.470≤x＜0.490、0.020≤y≤0.040、0＜n＜1.000以及0＜z≤0.025，且微晶尺寸为30至39nm。

公开(公告)号：CN101525233A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910118396.9

申请日：2009-03-05

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 山崎正人 ,  平光秀明 ,  堀口学 ,  浜口幸弘 ,  山际胜也 ,  光冈健 ,  大林和重 ,  俵良太郎 ,  平田智大

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/495 ,  H01L41/08 ,  H01L41/16

Abstract: 本发明涉及压电陶瓷材料、压电元件以及非共振型爆震传感器。根据本发明的实施方案的压电陶瓷材料具有由下式表示的组成：Pbm{Zr1－x－y－zTixSny(Sb1－nNbn)z}O3，其中1.000≤m≤1.075、0.470≤x＜0.490、0.020≤y≤0.040、0＜n＜1.000以及0＜z≤0.025，且微晶尺寸为30至39nm。