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公开(公告)号：CN1088917C
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN96109802.3
申请日：1996-09-16
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3116 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B2005/3996
Abstract: 一磁致电阻元件通常包括：依次相连的一抗铁磁性层、一第一铁磁性层、一非磁性层和一第二铁磁性层。代替非磁性层，磁致电阻元件可以包括一钴层、一非磁性层和一钴层的组合层。抗铁磁性层是由镍氧化物、镍氧化物和钴氧化物的混合物、或镍氧化物和钴氧化物的叠片制作的。铁磁性层有1-10毫微米厚，元件有0.1-1微米高。非磁性层有2-3毫微米厚，抗铁磁性层有5-30毫微米厚。磁致电阻元件有一适当的交叉点，输出很好的再现信号，并有对应于输出信号的所要求的半波长。
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公开(公告)号：CN101213462B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200680024139.3
申请日：2006-06-29
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: G01R29/08 , G01R31/308
CPC classification number: G01R15/247
Abstract: 本发明提供一种电场/磁场传感器及它们的制造方法，通过气浮沉积法将法布里佩洛型谐振器结构的电气光学膜直接形成在光纤维的顶端部的研磨面而得到所述电场传感器。
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公开(公告)号：CN101213462A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200680024139.3
申请日：2006-06-29
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: G01R29/08 , G01R31/308
CPC classification number: G01R15/247
Abstract: 本发明提供一种电场/磁场传感器及它们的制造方法，通过气浮沉积法将法布里佩洛型谐振器结构的电气光学膜直接形成在光纤维的顶端部的研磨面而得到所述电场传感器。
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公开(公告)号：CN1161577A
公开(公告)日：1997-10-08
申请号：CN96109802.3
申请日：1996-09-16
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3116 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B2005/3996
Abstract: 一磁致电阻元件通常包括：依次相连的一抗铁磁性层、一第一铁磁性层、一非磁性层和一第二铁磁性层。代替非磁性层，磁致电阻元件可以包括一钴层、一非磁性层和一钴层的组合层。抗铁磁性层是由镍氧化物、镍氧化物和钴氧化物的混合物、或镍氧化物和钴氧化物的叠片制作的。铁磁性层有1-10毫微米厚，元件有0.1-1微米高。非磁性层有2-3毫微米厚，抗铁磁性层有5-30毫微米厚。磁致电阻元件有一适当的交叉点，输出很好的再现信号，并有对应于输出信号的所要求的半波长。
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