公开(公告)号：CN1169196C

公开(公告)日：2004-09-29

申请号：CN98101062.8

申请日：1998-04-01

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 青木秀充

IPC: H01L21/302

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/06 ,  H01L21/02063

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，该方法利用清洗液来清洗具有接触孔的半导体器件，该清洗液可以调整掺杂氧化膜和非掺杂氧化膜之间的蚀刻速率，由此能够使半导体器件在清洗时其形状基本上不发生变化，并且能够使清洗能力长时间保持稳定。该清洗液是将有机酸铵盐加入到由氢氧化铵、过氧化氢和水组成的混合液(NH4OH:H2O2:H2O)中而制成的。所加入的有机酸铵盐是从乙酸铵、柠檬酸铵、甲酸铵和草酸铵中选出的一种或几种盐。有机酸铵盐为加入浓度为0.1mol/l到20mol/l。

公开(公告)号：CN1137510C

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN99122372.1

申请日：1999-11-04

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 青木秀充

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，在半导体衬底的背面形成一阻挡膜5，例如硅氧化膜或类似膜。然后在半导体衬底的主表面上形成一铜基金属膜。

公开(公告)号：CN1397990A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN02140706.1

申请日：2002-07-12

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  中别府健一 ,  富盛浩昭 ,  竹胁利至 ,  弘长伸夫 ,  国岛浩之

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C11D7/261 ,  C11D7/263 ,  C11D7/264 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3218 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/5013 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76844 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53242 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件的制造方法，用于在半导体基片上形成布线层，接着通过清洗可以防止布线的洗脱和氧化，以及在制造方法中使用的处理液。在等离子体环境中形成铜布线、在铜布线上的中间层膜和在中间层膜中形成的开口，以露出铜布线表面。IPA喷射在半导体器件上，然后用胺溶剂对半导体器件进行处理，以去除蚀刻残留物。再次用IPA清洗半导体器件，以去除余留的胺，然后用碱性的处理液进行清洁。而后用纯水或者二氧化碳水清洗，并进行干燥。

公开(公告)号：CN1311351A

公开(公告)日：2001-09-05

申请号：CN01104252.4

申请日：2001-02-23

Applicant: 日本电气株式会社 ,  关东化学株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  渡边香织 ,  石川典夫 ,  森清人

IPC: C23F1/30

Abstract: 本发明提供一种去除剂,该去除剂包括(a)硝酸铈(Ⅳ)盐和(b)选自硝酸、高氯酸和乙酸构成的组中的至少一种酸。

公开(公告)号：CN1196571A

公开(公告)日：1998-10-21

申请号：CN98101062.8

申请日：1998-04-01

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 青木秀充

IPC: H01L21/302

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/06 ,  H01L21/02063

Abstract: 本发明提供了一种半导体清洗液,它能够使半导体器件在清洗时其形状基本上不发生变化,并且能够使清洗能力长时间保护稳定。该清洗液是将有机酸铵盐加入到由氢氧化铵、过氧化氢和水组成的混合液(NH4OH:H2O2:H2O)中而制成的。所加入的有机酸铵盐是从乙酸铵、柠檬酸铵、甲酸铵和草酸铵中选出的一种或几种盐。有机酸铵盐的加入浓度为0.1mol/l到20mol/l。

公开(公告)号：CN100527364C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200610132139.7

申请日：2004-06-04

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 富盛浩昭 ,  青木秀充 ,  岩本敏幸

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31111 ,  H01L28/40 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 提供一种用于制造半导体器件的方法。根据本发明，可以刻蚀高-k膜，以提供希望的几何形状，而不损坏硅底层材料。通过热氧化在硅衬底(50)上形成氧化硅薄膜(52)，以及在其上形成包括HfSiOx的高介电常数绝缘膜(54)。此后，通过抗蚀剂层(58)的掩模，通过干法刻蚀分阶段有选择地除去多晶硅层(56)和高介电常数绝缘膜(54)，以及随后，通过多晶硅层(56)的掩模，通过湿法刻蚀有选择地除去介电常数绝缘膜(54)和氧化硅膜(52)的剩余部分。蚀刻剂溶液采用磷酸和硫酸的液体混合物。蚀刻剂溶液的温度优选等于或小于200℃，更优选等于或小于180℃。

公开(公告)号：CN1975991A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610132139.7

申请日：2004-06-04

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 富盛浩昭 ,  青木秀充 ,  岩本敏幸

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31111 ,  H01L28/40 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 提供一种用于制造半导体器件的方法。根据本发明，可以刻蚀高－k膜，以提供希望的几何形状，而不损坏硅底层材料。通过热氧化在硅衬底(50)上形成氧化硅薄膜(52)，以及在其上形成包括HfSiOx的高介电常数绝缘膜(54)。此后，通过抗蚀剂层(58)的掩模，通过干法刻蚀分阶段有选择地除去多晶硅层(56)和高介电常数绝缘膜(54)，以及随后，通过多晶硅层(56)的掩模，通过湿法刻蚀有选择地除去介电常数绝缘膜(54)和氧化硅膜(52)的剩余部分。蚀刻剂溶液采用磷酸和硫酸的液体混合物。蚀刻剂溶液的温度优选等于或小于200℃，更优选等于或小于180℃。

公开(公告)号：CN1391263A

公开(公告)日：2003-01-15

申请号：CN02123010.2

申请日：2002-06-13

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  富盛浩昭

IPC: H01L21/304 ,  B08B3/02

CPC classification number: H01L21/02074 ,  B08B3/04 ,  C02F2103/346 ,  G03F7/422 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/31133

Abstract: 本发明涉及清洗晶片的清洗水和清洗晶片的清洗方法，根据本发明，使晶片旋转，同时将清洗水从喷嘴喷射到该晶片表面上。该清洗水是一种水溶液，其中在水中溶解了1－2.5ppm的氢气，并具有附加的少量氢氧化铵。该清洗水具有7.5－8.0的pH值，－0.6到－0.45V的氧化－还原电位，和不大于1MΩ·cm的电阻率。并且该清洗水是还原水。

公开(公告)号：CN1253376A

公开(公告)日：2000-05-17

申请号：CN99122372.1

申请日：1999-11-04

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 青木秀充

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/53228 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造半导体器件的方法,在半导体衬底的背面形成一阻挡膜5,例如硅氧化膜或类似膜。然后在半导体衬底的主表面上形成一铜基金属膜。

公开(公告)号：CN1129746A

公开(公告)日：1996-08-28

申请号：CN95118325.7

申请日：1995-10-27

Applicant: 日本电气株式会社 ,  奥加诺株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  山中弘次 ,  今冈孝之 ,  二木高志 ,  山下幸福

IPC: C25B1/10 ,  C25B9/00

CPC classification number: C02F1/4618 ,  C02F1/444 ,  C02F9/00 ,  C02F2001/46133 ,  C02F2201/4611 ,  C02F2201/46195 ,  C02F2209/04 ,  C02F2209/06 ,  Y02E60/366

Abstract: 一种电解水制造装置，包括：阳极；阴极；阳极室；阴极室；在阴极室和阴极室之间由一对隔膜分隔开而设置的中间室；向该三室分别供给各自原水的供给管道；排出处理液的排出管道；在由前述阳极室接出的排出管上设有酸添加装置；同时在由前述阴极室接出的排出管上设有碱添加装置，并使所添加的电解质的组成、浓度、添加量、pH值中的至少任意一种参数可控。