公开(公告)号：TW200303932A

公开(公告)日：2003-09-16

申请号：TW092102509

申请日：2003-02-07

Applicant: 日本ASM股份有限公司 ASM JAPAN K. K.

Inventor： 直人 NAOTO TSUJI ,  森幸博 ,  高橋聰 SATOSHI TAKAHASHI ,  松下清廣 KIYOHIRO MATSUSHITA ,  深澤篤毅 ATSUKI FUKAZAWA ,  麥克 圖德 MICHAEL TODD

IPC: C23C ,  H01L

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633 ,  Y10S438/91

Abstract: 一種形成具有高機械強度之含矽絕緣層之方法，包括步驟(a)導入一反應氣體到放置有一基底的一反應室中，其中該反應氣體包括(l)包括含有可交鍵官能基之含矽碳氫化物的氣體源，(ii)交鍵氣體，以及(iii)惰性氣體；(b)施加射頻電源以在該反應室內部產生電漿反應空間；以及(c)控制該反應氣體之流動以及該射頻電源之強度。

Abstract in simplified Chinese: 一种形成具有高机械强度之含硅绝缘层之方法，包括步骤(a)导入一反应气体到放置有一基底的一反应室中，其中该反应气体包括(l)包括含有可交键官能基之含硅碳氢化物的气体源，(ii)交键气体，以及(iii)惰性气体；(b)施加射频电源以在该反应室内部产生等离子反应空间；以及(c)控制该反应气体之流动以及该射频电源之强度。