公开(公告)号：TW587285B

公开(公告)日：2004-05-11

申请号：TW090114929

申请日：2001-06-20

Applicant: 日本ASM股份有限公司 ASM JAPAN K. K.

Inventor： 清水亮 ,  尾崎 文紀 FUMITOSHI OZAKI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/76807 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/5222 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種處理半導體基底的方法，包括以含有氟化氫或含有氟化氫與水之氣體來蝕刻一層含氟的二氧化矽層(SiOF)。此方法可以用來在半導體基底中形成中空結構之內層絕緣層。

Abstract in simplified Chinese: 一种处理半导体基底的方法，包括以含有氟化氢或含有氟化氢与水之气体来蚀刻一层含氟的二氧化硅层(SiOF)。此方法可以用来在半导体基底中形成中空结构之内层绝缘层。