公开(公告)号：CN102965025B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201210434219.3

申请日：2006-11-09

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 西山雅也 ,  深泽正人 ,  阿久津利明 ,  榎本和宏 ,  芦泽寅之助 ,  大槻裕人

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种氧化硅用研磨剂、其用途以及研磨方法。本发明的氧化硅用研磨剂为用于研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，包括研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水，所述多晶硅研磨抑制剂包括从聚乙烯吡咯烷酮或者含有乙烯吡咯烷酮的共聚物选出的聚乙烯吡咯烷酮类。

公开(公告)号：CN101560373B

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN200910203503.8

申请日：2006-11-09

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 西山雅也 ,  深泽正人 ,  阿久津利明 ,  榎本和宏 ,  芦泽寅之助 ,  大槻裕人

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明涉及一种氧化硅用研磨剂、添加液以及研磨方法。本发明的研磨剂为用以研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，含有研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水，作为所述研磨抑制剂，优选使用：炔系二醇的氧化乙烯加成物、具有炔键的水溶性有机化合物、烷氧基化直链脂肪醇中的任一种，或者聚乙烯吡咯烷酮或含有乙烯吡咯烷酮的共聚物。本发明的研磨剂于半导体制造方法中可高速研磨多晶硅膜上的氧化硅膜，并且在多晶硅膜露出时可抑制对多晶硅膜的研磨。

公开(公告)号：CN102585765B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201110430594.6

申请日：2005-07-20

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 深泽正人 ,  小山直之 ,  仓田靖 ,  芳贺浩二 ,  阿久津利明 ,  大槻裕人

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明为CMP研磨剂以及衬底的研磨方法。本发明的CMP研磨剂含氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水而成，水溶性高分子是，使用阳离子性偶氮化合物及其盐中至少一种作为聚合引发剂，使含有具有不饱和双键的羧酸及其盐中至少一种的单体自由基聚合，在末端导入了阳离子性偶氮化物形成的聚合物，阳离子性偶氮化合物及其盐为选自2，2’-偶氮双[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]盐酸盐、2，2’-偶氮双[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]、2，2’-偶氮双[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]盐酸盐、2，2’-偶氮双[2-(-2-咪唑啉-2-基)丙烷]硫酸盐水合物、2，2’-偶氮双[2-(3，4，5，6-四氢嘧啶-2-基)丙烷]盐酸盐、2，2’-偶氮双{2-[1-(2-羟乙基)-2-咪唑啉-2-基]丙烷}盐酸盐、2，2’-偶氮双[2-脒基丙烷]盐酸盐和2，2’-偶氮双(2-甲基丙酰胺肟)中的至少一种。