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公开(公告)号：JP2017062452A
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：JP2015233275
申请日：2015-11-30
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 【課題】パターン間隙、パターン位置等による配線パターンのライン幅等の変動に加え、製造プロセスの状態変化による配線パターンのライン幅の変動に対しても、露光データをより高精度に補正して対応可能とすることにより、微細回路形成時のライン幅精度を向上させる。 【解決手段】元データと実パターンデータとの差分に基づいて、前記元データ又は露光データの補正データを作成する工程(C)が、前記実パターンデータと前記元データとの差分から差分データを作成する工程(C−1)と、この差分データと前記差分を生じさせる因子との関係から、前記差分を生じさせる因子と差分を抑制するための前記元データの補正量又は前記露光データの補正量との関係を規定した複数の補正関数を作成する工程(C−2)と、この複数の補正関数を合成した補正関数を作成する工程(C−3)とを有し、前記複数の補正関数を作成する工程(C−2)では、複数の補正関数が、前記実パターン基板の面内の領域毎に作成される。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6421968B2
公开(公告)日：2018-11-14
申请号：JP2014012344
申请日：2014-01-27
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H05K3/46
CPC classification number: H01P5/085 , H01P3/06 , H01P3/08 , H01P11/003 , H01P11/005 , H05K1/0237 , H05K3/429 , H05K3/4652 , H05K2201/09509 , H05K2201/09581 , H05K2201/09809 , H05K2201/10287 , H05K2201/10356 , Y10T29/49167
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公开(公告)号：JP2016110137A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2015233273
申请日：2015-11-30
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 【課題】パターン間隙、パターンサイズ、パターン厚さ、パターン位置等による配線パターンのライン幅等の配線パターン仕様の変動に加え、感光性レジスト、現像液、エッチング液等の製造ラインの状態変化による配線パターンのライン幅の比較的早い変動に対しても、露光データを補正して対応可能とすることにより、微細回路形成時のライン幅精度を向上させる。 【解決手段】配線パターンAの元データ作成手段と、露光データAを作成する露光データ作成手段と、露光パターンAを露光するパターン露光手段と、現像パターンAを形成する現像パターン形成手段と、実パターンAを形成する実パターン形成手段と、実パターンデータAと元データAとの差分データ作成手段と、前記差分Aを生じさせる因子と差分Aを抑制するための前記露光データAの補正量Aとの関係を規定した一次補正関数を作成する一次補正関数作成手段と、を有する配線パターン形成システム。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：通过校正曝光数据来提高微观电路形成期间线宽的精度，以便应对来自生产线状态变化的布线图案的线宽的相对快速变化，例如 除了根据图案间隔，图案尺寸，图案厚度，图案位置等之类的布线图案的布线图案的布线图案的规格的波动之外，还可以使用光敏抗蚀剂，显影剂或蚀刻剂。 ：布线图案形成系统包括原始数据创建装置，其创建布线图案A的原始数据，产生曝光数据A的曝光数据创建装置，曝光图案A变亮的图案曝光装置，形成曝光图案形成装置的显影图案形成装置 显影图案A，实际图案形成装置，其形成实际图案A，差异数据创建装置，其在第th之间产生差异数据 实际图案数据A和原始数据A，初始校正功能创建装置，其创建规定了导致差值A的因子与抑制差异A所需的曝光数据A的校正量A之间的关系的主要校正函数 图1
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JP6226169B2
公开(公告)日：2017-11-08
申请号：JP2013122664
申请日：2013-06-11
Applicant: 日立化成株式会社
CPC classification number: H01B7/0216 , H01B3/305 , H01B3/306 , H01B3/445 , H01P3/00 , H01P3/082 , H01P3/088 , H05K3/103 , H01P3/06 , H05K1/0237 , H05K1/0298
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公开(公告)号：JP2017063169A
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：JP2015233276
申请日：2015-11-30
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H05K3/00
Abstract: 【課題】パターン間隙等による配線パターンのライン幅等の変動に加え、製造プロセスの状態変化による配線パターンのライン幅の変動に対しても、露光データをより高精度に補正して対応可能とすることにより、微細回路形成時のライン幅精度を向上させる。 【解決手段】元データと実パターンデータとの差分に基づいて、前記元データ又は露光データの補正データを作成する工程(C)が、前記実パターンデータと前記元データとの差分から差分データを作成する工程(C−1)と、この差分データと前記差分を生じさせる因子との関係から、前記差分を生じさせる因子と差分を抑制するための前記元データの補正量又は前記露光データの補正量との関係を規定した複数の補正関数を作成する工程(C−2)と、この複数の補正関数を合成した補正関数を作成する工程(C−3)とを有する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2017026710A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2015143080
申请日：2015-07-17
Applicant: 日立化成株式会社 , 株式会社SCREENホールディングス
Abstract: 【課題】下底データの手動測定による手間を低減させつつ、露光データ補正量の誤差を抑制し、回路幅精度を向上させる。 【解決手段】設計データに基づく露光データを用いた回路加工により得られた第1の実パターンの上底から得られたデータに基づく第1の上底データを取得し、第1の実パターンの下底から得られたデータに基づく下底データを取得し、第1の上底データと下底データとの相関関係を決定し、第1の実パターンの異なる領域を含む領域における上底から得られたデータ又は第1の実パターンとは異なる第2の実パターンの上底から得られたデータに基づく第2の上底データを取得し、第2の上底データを得るために使用された実パターンのための設計データ、第2の上底データ及び相関関係に基づいて、補正関数を決定し、第2の上底データを得るために使用された実パターンのための露光データを補正関数に基づいて補正する、露光データ補正装置。 【選択図】図1
Abstract translation: 甲同时减少下部基数据的劳动手工测量，抑制曝光数据修正量的误差，提高了电路宽度的精度。 A获得基于从通过使用基于所述设计数据的曝光数据，所述第一实际图案的电路处理获得的第一实际图案的上底所获得的数据中的第一上部基座数据 获得基于从下底座中获得的数据的下基部的数据，以确定在该区域包括第一实际图案的不同区域中的第一上部基础数据和下基部之间的数据的相关性，从上基部 物，以获得基于来自不同的第二真实图案数据或所述第一实际图案的上底所获得的数据的第二上部基础数据，它被用来以获得第二上部底座数据 对于实际的图案的设计数据，基于所述第二上部基础数据和相关性，以确定校正函数，对于用于获得第二上部基础数据的实际图案校正函数曝光数据 它是基于在曝光数据校正装置校正。 点域1
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