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公开(公告)号:CN111406308A
公开(公告)日:2020-07-10
申请号:CN201980005916.7
申请日:2019-03-01
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/56 , B32B7/027 , B32B27/00 , C08G73/14 , C09J7/25 , C09J7/30 , C09J201/00 , C09J201/02 , H01L23/50
Abstract: 本发明公开了一种半导体密封成形用临时保护膜,其具备支撑膜和设置在支撑膜的单面或两面上的粘接层。半导体密封成形用临时保护膜的30℃~200℃下的线膨胀系数在半导体密封成形用临时保护膜的至少1个面内方向上可以为16ppm/℃以上且20ppm/℃以下。
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公开(公告)号:CN111386594A
公开(公告)日:2020-07-07
申请号:CN201980005923.7
申请日:2019-03-01
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明公开一种半导体密封成形用临时保护膜,其具备支撑膜和设置在支撑膜的单面或两面上且含有树脂和硅烷偶联剂的粘接层。半导体密封成形用临时保护膜中,硅烷偶联剂的含量相对于树脂总量可以超过5质量%且为35质量%以下。
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公开(公告)号:CN211182160U
公开(公告)日:2020-08-04
申请号:CN201990000183.3
申请日:2019-03-01
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/56 , B32B27/00 , C08G73/14 , C09J7/25 , C09J7/30 , C09J201/00 , C09J201/02 , H01L23/50 , B32B7/027
Abstract: 本实用新型公开一种卷轴体,其具备卷芯和卷绕在卷芯上的半导体密封成形用临时保护膜。临时保护膜具备支撑膜和设置在支撑膜的单面或两面上的粘接层,临时保护膜的30℃~200℃的线膨胀系数在临时保护膜的至少1个面内方向上可以为16ppm/℃以上且20ppm/℃以下。
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公开(公告)号:CN210956601U
公开(公告)日:2020-07-07
申请号:CN201990000192.2
申请日:2019-03-01
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本实用新型公开一种卷轴体,其具备卷芯和卷绕在卷芯上的半导体密封成形用临时保护膜。临时保护膜可以是:具备支撑膜和设置在支撑膜的单面或两面上且含有树脂和硅烷偶联剂的粘接层,临时保护膜中,硅烷偶联剂的含量相对于树脂总量超过5质量%且为35质量%以下。
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