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公开(公告)号：CN115732214A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211059968.2
申请日：2022-08-31
Applicant: 日立金属株式会社
Abstract: 本发明所要解决的技术问题在于：抑制因制造条件的偏差而引起的矫顽力HcJ和方形比Hk/HcJ的下降。解决技术问题的技术手段在于：本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：准备含有稀土元素的合金粉末的成型体的工序；将成型体进行烧结而制作烧结体的烧结工序；在热处理炉内对烧结体以300℃以上且小于400℃的第一温度，热处理30分钟以上900分钟以下的时间的第一热处理工序；和在热处理炉内对烧结体以400℃以上500℃以下的第二温度，热处理30分钟以上900分钟以下的时间的第二热处理工序。第一温度与第二温度之差为50℃以上。
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