公开(公告)号：CN104685614A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201380051565.6

申请日：2013-10-11

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 松田顺一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66681

Abstract: 提供一种能够分别提高截止状态的漏极耐压以及导通状态的漏极耐压的场效应晶体管和半导体装置。具备：场氧化膜(31)，其配置在位于硅衬底(1)中的沟道区域与N型漏极(9)之间的N型漂移区(20)之上；N型漂移层(21)，其配置在硅衬底(1)中的漂移区(20)和漏极(9)之下；以及埋入层(51)，其P型杂质浓度比硅衬底(1)的P型杂质浓度高。埋入层(51)在硅衬底(1)中配置在除了漏极(9)的至少一部分的下方以外的漂移层(21)之下。

公开(公告)号：CN104685614B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201380051565.6

申请日：2013-10-11

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 松田顺一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 提供一种能够分别提高截止状态的漏极耐压以及导通状态的漏极耐压的场效应晶体管和半导体装置。具备：场氧化膜(31)，其配置在位于硅衬底(1)中的沟道区域与N型漏极(9)之间的N型漂移区(20)之上；N型漂移层(21)，其配置在硅衬底(1)中的漂移区(20)和漏极(9)之下；以及埋入层(51)，其P型杂质浓度比硅衬底(1)的P型杂质浓度高。埋入层(51)在硅衬底(1)中配置在除了漏极(9)的至少一部分的下方以外的漂移层(21)之下。