公开(公告)号：CN103692105A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310063995.1

申请日：2013-02-28

Applicant: 旭化成电子材料株式会社

Inventor： 木山朋纪 ,  田中轨人 ,  柏木利典 ,  白鸟刚

IPC: B23K35/24 ,  H01L21/48 ,  H01L23/492

CPC classification number: B23K35/24 ,  H01L21/4814 ,  H01L23/4924

Abstract: 本发明提供一种焊料糊剂、半导体装置及其制造方法。提供一种糊剂材料，其不使用需要镀覆浴的复杂的电解镀工艺，通过在金属面上对含有Ni合金颗粒的焊料糊剂进行热处理，就在该金属面上形成连续且均匀厚度的焊料层。前述焊料糊剂，其为包含以下成分的焊料糊剂：(1)作为低熔点金属颗粒的Sn颗粒或者Sn合金颗粒，该Sn合金颗粒含有Sn和选自由Ag、Bi、Cu、Ge、In、Sb、Ni、Zn及Au组成的组中的至少一种金属、并且具有低于240℃的熔点；(2)作为高熔点金属颗粒的Ni合金颗粒，其含有Ni和Sn、并且具有240℃以上的熔点；和(3)助熔糊，相对于100质量份的该(1)低熔点金属颗粒，该焊料糊剂含有15质量份～42质量份的该(2)高熔点金属颗粒。

公开(公告)号：CN101454115B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200780019243.8

申请日：2007-06-26

Applicant: 旭化成电子材料株式会社

Inventor： 田中轨人 ,  白鸟刚

IPC: B23K35/26

CPC classification number: H05K3/3484 ,  B23K35/262 ,  B23K35/30 ,  C22C13/02 ,  H05K2201/0272

Abstract: 本发明提供一种能在比Sn-37Pb共晶焊料的回流热处理条件温度低的低温条件(峰温度181℃以上)下熔融接合，可以在同等耐热用途中使用的导电性填料。该导电性填料是第1金属颗粒和第2金属颗粒的混合物，其混合比是相对于100质量份第1金属颗粒，包含20～10000质量份第2金属颗粒；所述第1金属颗粒由具有25～40质量％Ag、2～8质量％Bi、5～15质量％Cu、2～8质量％In和29～66质量％Sn的组成的合金形成，所述第2金属颗粒由具有5～20质量％Ag、10～20质量％Bi、1～15质量％Cu和50～80质量％Sn的组成的合金形成。