積層膜付き透明基板およびその製造方法
    1.
    发明专利
    積層膜付き透明基板およびその製造方法 有权
    层压薄膜透明基板及其制造方法

    公开(公告)号:JP2016079051A

    公开(公告)日:2016-05-16

    申请号:JP2014209905

    申请日:2014-10-14

    CPC classification number: B32B7/02 B32B9/00 C03C17/34 E06B5/00

    Abstract: 【課題】低緯度から中緯度の暑熱地域における単板での使用に適した、高遮熱性および高演色性に加えて耐久性に優れる積層膜付き透明基板およびその製造方法を提供する。 【解決手段】透明基板と、前記透明基板上に、透明導電層と膜厚が10nm超の窒素含有光吸収層とが積層された積層膜とを有する積層膜付き透明基板、透明基板上に、以下の熱処理によってそれぞれ透明導電層および窒素含有光吸収層となる、透明導電層の前駆層および窒素含有光吸収層の前駆層を形成してコーティング付き透明基板を得るコーティング工程と、コーティング付き透明基板を、550〜750℃の大気中で1〜30分間、または150〜450℃大気中で15分間〜4時間、熱処理する熱処理工程とを具備する上記積層膜付き透明基板の製造方法。 【選択図】図2

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种在低纬度至中纬度的热区域中适合用作单张片材的层压薄膜透明基板,并且除了高隔热性和高显色性之外还具有优异的耐久性,以及 提供了一种制备具有层合薄膜的透明基板的方法。解决方案:具有层压薄膜的透明基板具有透明基板和通过层叠透明导电层和含有10nm的含氮光吸收层而形成的层叠膜 厚度较大。 制造具有层叠膜的透明基板的方法包括:通过涂布方法在透明基板上形成透明导电层的前体层和另外的含氮光吸收层的前体层的涂布步骤, 将通过热处理分别成为透明导电层和含氮光吸收层,以获得涂覆的透明基板; 以及在大气中在550-750℃下热处理涂布的透明基板1-30分钟或在150-450℃下在大气中热处理15分钟至4小时的热处理步骤。图2

    カバーガラス
    3.
    发明专利
    カバーガラス 审中-公开

    公开(公告)号:JP2017171557A

    公开(公告)日:2017-09-28

    申请号:JP2016062200

    申请日:2016-03-25

    Abstract: 【課題】平坦部のみならず、側面部の端部(末端)の強度にも優れたカバーガラスを提供する。 【解決手段】平坦部及び前記平坦部の外周縁に設けられた側面部を有するガラス板と、前記ガラス板に積層された無機物からなる無機膜とを含むカバーガラスであって、前記無機膜は、前記ガラス板の前記平坦部の表面側の全面に積層され、かつ、前記側面部の少なくとも一部の領域において表面側から裏面側にかけて連続的に積層されており、前記無機膜の膜厚が一定である、カバーガラス。 【選択図】図5

    カバーガラス
    4.
    发明专利
    カバーガラス 审中-公开

    公开(公告)号:JP2017171556A

    公开(公告)日:2017-09-28

    申请号:JP2016062199

    申请日:2016-03-25

    Abstract: 【課題】平坦部のみならず、側面部の端部(末端)の強度にも優れたカバーガラスを提供する。 【解決手段】平坦部及び前記平坦部の外周縁に設けられた側面部を有するガラス板と、前記ガラス板に積層された無機物からなる無機膜とを含むカバーガラスであって、前記無機膜は、前記ガラス板の前記平坦部の表面側の全面に積層され、かつ、前記側面部の少なくとも一部の領域において表面側から裏面側にかけて連続的に積層されている、カバーガラス。 【選択図】図5

    プラズマCVD装置
    6.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2018028109A

    公开(公告)日:2018-02-22

    申请号:JP2014259378

    申请日:2014-12-22

    Abstract: 【課題】成膜速度をあまり低下させずに、緻密な膜を成膜する。 【解決手段】プラズマCVD装置であって、1または2以上の交流源に接続され、プラズマを発生させるプラズマ源と、複数の磁石で構成された磁石配列と、を有し、前記プラズマ源は、電極群を有し、該電極群は、第1の電極および第2の電極を含むn個(ただし、nは2以上の偶数)の電極を、前記第1の電極から番号順に配列することにより構成され、前記電極群の各電極は、前記交流源に接続され、前記電極群の隣接する電極同士の間には、原料ガス用の流路の出口が形成され、前記磁石配列は、各磁石のN極またはS極が前記プラズマ源と対向するように配置され、前記磁石配列において、少なくとも一組の隣接する2つの磁石は、前記プラズマ源に対向する側の極性が等しくなるように配置されることを特徴とするプラズマCVD装置。 【選択図】図2

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