公开(公告)号：CN103493183B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201280020186.6

申请日：2012-04-19

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 吉田伊织 ,  竹宫聪 ,  朝长浩之

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30625 ,  C09G1/04 ,  H01L21/02024 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供一种用于以高研磨速度对碳化硅单晶基板等非氧化物单晶基板进行研磨、得到平滑且表面性状优异的高品质的表面的研磨方法。该研磨方法是向不包含磨粒的研磨垫供给研磨液、使非氧化物单晶基板的被研磨面和所述研磨垫接触、通过两者间的相对运动进行研磨的方法，其特征在于，所述研磨液含有氧化还原电势为0.5V以上的含过渡金属的氧化剂、和水，且不含磨粒。

公开(公告)号：CN102210013B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN200980144890.0

申请日：2009-10-02

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 吉田伊织 ,  神谷广幸

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  C09K3/14 ,  C09G1/02

CPC classification number: C09K3/1409 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明涉及研磨用组合物，其在对隔着阻挡层设置于绝缘层上的铜层进行研磨从而交替形成铜埋设布线和绝缘层的图案形成中，在进行研磨直至邻接于所述铜层的所述阻挡层露出的工序中使用，该研磨用组合物含有脂环族树脂酸、胶体二氧化硅和四甲基铵离子，所述胶体二氧化硅在研磨用组合物中的含量为0.1～1.5质量％，并且平均初级粒径为10～40nm，平均次级粒径为30～80nm，并且平均次级粒径×含量处于10～40的范围内。

公开(公告)号：CN103503118B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201280020737.9

申请日：2012-05-28

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 吉田伊织 ,  竹宫聪 ,  朝长浩之

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/04 ,  H01L21/02

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/30625

Abstract: 本发明提供一种用于以高研磨速度对碳化硅单晶基板等非氧化物单晶基板进行研磨、得到平滑的表面的研磨剂。该研磨剂的特征在于，含有氧化还原电位为0.5V以上的含过渡金属的氧化剂、氧化硅粒子和氧化铈粒子以及分散介质，所述氧化硅粒子的含量和所述氧化铈粒子的含量的质量比的值为0.2～20。

公开(公告)号：CN103493183A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280020186.6

申请日：2012-04-19

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 吉田伊织 ,  竹宫聪 ,  朝长浩之

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30625 ,  C09G1/04 ,  H01L21/02024 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供一种用于以高研磨速度对碳化硅单晶基板等非氧化物单晶基板进行研磨、得到平滑且表面性状优异的高品质的表面的研磨方法。该研磨方法是向不包含磨粒的研磨垫供给研磨液、使非氧化物单晶基板的被研磨面和所述研磨垫接触、通过两者间的相对运动进行研磨的方法，其特征在于，所述研磨液含有氧化还原电势为0.5V以上的含过渡金属的氧化剂、和水，且不含磨粒。

公开(公告)号：CN101512733A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200780033617.1

申请日：2007-09-10

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 金喜则 ,  吉田伊织 ,  中泽伯人

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/31053 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明提供一种抛光技术，其确保当在半导体集成电路装置的制造中对待抛光面进行抛光时可以获得硼磷硅酸盐玻璃材料层与其它材料之间合适的抛光速率比，从而可以实现包含硼磷硅酸盐玻璃材料层的待抛光面的高度平坦化。本发明涉及化学机械抛光用抛光剂，包含二氧化铈粒子，水溶性多胺，选自单乙醇胺、乙基乙醇胺、二乙醇胺和氨的一种以上的碱性化合物，以及水，其中该抛光剂的pH值为10至13，且其中碱性化合物的含量大于0.01质量％。

公开(公告)号：CN104979184B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201510176570.0

申请日：2012-10-02

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 吉田伊织 ,  竹宫聪 ,  朝长浩之

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/205 ,  C09K3/14 ,  C30B29/36 ,  C30B33/10

CPC classification number: C09G1/04 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶基板，其具备具有包含来源于结晶结构的原子台阶和平台的原子台阶‑平台结构的主面，所述原子台阶‑平台结构中，所述原子台阶的前端线部的平均线粗糙度相对于所述原子台阶的高度的比例为20％以下。

公开(公告)号：CN103857765B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280049471.0

申请日：2012-10-02

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 吉田伊织 ,  竹宫聪 ,  朝长浩之

IPC: C09K3/14 ,  C30B29/36 ,  C30B33/10 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/04 ,  C30B29/36 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶基板，其具备具有包含来源于结晶结构的原子台阶和平台的原子台阶-平台结构的主面，所述原子台阶-平台结构中，所述原子台阶的前端线部的平均线粗糙度相对于所述原子台阶的高度的比例为20%以下。

公开(公告)号：CN101517709B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200780034048.2

申请日：2007-09-10

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 金喜则 ,  吉田伊织

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/31053 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明公开了一种半导体用抛光剂，当该抛光剂在制造半导体集成电路装置过程中用于抛光二氧化硅类材料层的表面时，其显示出优异的分散稳定性。该抛光剂具有用于抛光的优异的平坦化特性。本发明具体公开了一种化学机械抛光用抛光剂，该抛光剂在制造半导体集成电路装置过程中用于抛光作为待抛光目标表面的二氧化硅类材料层的表面。该化学机械抛光用抛光剂包含二氧化铈粒子、水溶性聚醚胺、选自聚丙烯酸和其盐的至少一种物质、以及水。该抛光剂的pH值在6～9的范围内，并且相对于抛光剂的总质量，上述物质的含量为大于0.02质量％。

公开(公告)号：CN101346804B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200680048728.5

申请日：2006-12-21

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 吉田伊织 ,  神谷广幸 ,  竹宫聪 ,  林笃 ,  中泽伯人

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供在将铜用作配线用金属的半导体集成电路中实现高度平坦的表面的技术。本发明提供包含被中和的羧酸、氧化剂和水，所述羧酸的一部分为脂环族树脂酸(A)，pH值在7.5～12的范围内的研磨用组合物。所述脂环族树脂酸(A)较好是选自枞酸、枞酸的异构体、海松酸、海松酸的异构体及它们的衍生物的至少1种或者松香。此外，本发明提供使用该研磨用组合物研磨形成于具有配线用的沟的表面的铜膜的半导体集成电路表面的研磨方法，以及通过该研磨方法形成铜配线的半导体集成电路用铜配线。

公开(公告)号：CN101517709A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780034048.2

申请日：2007-09-10

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 金喜则 ,  吉田伊织

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/31053 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明公开了一种半导体用抛光剂，当该抛光剂在制造半导体集成电路装置过程中用于抛光二氧化硅类材料层的表面时，其显示出优异的分散稳定性。该抛光剂具有用于抛光的优异的平坦化特性。本发明具体公开了一种化学机械抛光用抛光剂，该抛光剂在制造半导体集成电路装置过程中用于抛光作为待抛光目标表面的二氧化硅类材料层的表面。该化学机械抛光用抛光剂包含二氧化铈粒子、水溶性聚醚胺、选自聚丙烯酸和其盐的至少一种物质、以及水。该抛光剂的pH值在6～9的范围内，并且相对于抛光剂的总质量，上述物质的含量为大于0.02质量％。