公开(公告)号：CN109153863A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780031910.8

申请日：2017-06-27

Applicant: 星光PMC株式会社

Inventor： 长谷川俊之 ,  栗村宗稔 ,  酒德绫 ,  池田直人 ,  河口知晃

IPC: C09D5/00 ,  B32B27/18 ,  B32B27/36 ,  C08F2/44 ,  C09D167/00

Abstract: 本发明涉及一种耐候性提高剂，含有化合物(A)、和化合物(B)与化合物(C)二者至少其一，其中，化合物(A)为下述通式(1)或(2)所表示的化合物，化合物(B)为没食子酸、没食子酸衍生物或丹宁酸；化合物(C)为下述通式(3)所表示的化合物。根据该耐候性提高剂，在太阳光长时间暴露下和高温高湿条件下这两者并存情况下，能抑制使用了金属纳米线的透明导电膜之劣化。

公开(公告)号：CN105246962A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201480023528.9

申请日：2014-05-21

Applicant: 星光PMC株式会社

Inventor： 河口知晃 ,  长谷川俊之 ,  栗村宗稔

IPC: C08L1/00 ,  C08K7/06 ,  C08L101/14 ,  H01B1/22 ,  H01B5/14

CPC classification number: H01B1/22 ,  C08L1/284 ,  C08L5/00

Abstract: 本发明目的在于提供一种以高水平且均衡良好地兼备含金属纳米线组合物的保存稳定性及涂布加工适性，经涂布加工的涂膜的导电性、透明性及浊度，涂膜的耐摩擦性、耐水性、耐醇性及基板密接性的含金属纳米线组合物。含金属纳米线组合物特征在于，含有金属纳米线、粘接剂、表面活性剂及溶剂；粘接剂含有粘接剂(A)及粘接剂(B)；粘接剂(A)系多糖类；粘接剂(B)系从水性聚酯树脂、水性聚氨酯树脂、水性丙烯酸树脂及水性环氧树脂选出的至少1种。

公开(公告)号：CN105246962B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201480023528.9

申请日：2014-05-21

Applicant: 星光PMC株式会社

Inventor： 河口知晃 ,  长谷川俊之 ,  栗村宗稔

IPC: C08L1/00 ,  C08K7/06 ,  C08L101/14 ,  H01B1/22 ,  H01B5/14

CPC classification number: H01B1/22 ,  C08L1/284 ,  C08L5/00

Abstract: 本发明目的在于提供一种以高水平且均衡良好地兼备含金属纳米线组合物的保存稳定性及涂布加工适性，经涂布加工的涂膜的导电性、透明性及浊度，涂膜的耐摩擦性、耐水性、耐醇性及基板密接性的含金属纳米线组合物。含金属纳米线组合物特征在于，含有金属纳米线、粘接剂、表面活性剂及溶剂；粘接剂含有粘接剂(A)及粘接剂(B)；粘接剂(A)系多糖类；粘接剂(B)系从水性聚酯树脂、水性聚氨酯树脂、水性丙烯酸树脂及水性环氧树脂选出的至少1种。

公开(公告)号：CN109153863B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201780031910.8

申请日：2017-06-27

Applicant: 星光PMC株式会社

Inventor： 长谷川俊之 ,  栗村宗稔 ,  酒德绫 ,  池田直人 ,  河口知晃

IPC: C09D5/00 ,  B32B27/18 ,  B32B27/36 ,  C08F2/44 ,  C09D167/00

Abstract: 本发明涉及一种耐候性提高剂，含有化合物(A)、和化合物(B)与化合物(C)二者至少其一，其中，化合物(A)为下述通式(1)或(2)所表示的化合物，化合物(B)为没食子酸、没食子酸衍生物或丹宁酸；化合物(C)为下述通式(3)所表示的化合物。根据该耐候性提高剂，在太阳光长时间暴露下和高温高湿条件下这两者并存情况下，能抑制使用了金属纳米线的透明导电膜之劣化。

公开(公告)号：CN110072949B

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201780076745.8

申请日：2017-06-09

Applicant: 星光PMC株式会社

Inventor： 长谷川俊之

IPC: C09D5/00 ,  B32B27/18 ,  B32B27/36 ,  C08F2/44 ,  C09D7/63 ,  C09D167/00

Abstract: 本发明涉及一种耐候性提高剂，含有化合物(A)和化合物(B)，化合物(A)为具有下述结构(1)的化合物，化合物(B)为具有下述结构(2)的化合物或其盐。通过该耐候性提高剂，在太阳光长时间暴露下、人工光长时间暴露下和高温高湿条件下均能够抑制使用金属纳米线的透明导电膜的劣化。结构(1)结构(2)

公开(公告)号：CN110072949A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201780076745.8

申请日：2017-06-09

Applicant: 星光PMC株式会社

Inventor： 长谷川俊之

IPC: C09D5/00 ,  B32B27/18 ,  B32B27/36 ,  C08F2/44 ,  C09D7/63 ,  C09D167/00

Abstract: 本发明涉及一种耐候性提高剂，含有化合物(A)和化合物(B)，化合物(A)为具有下述结构(1)的化合物，化合物(B)为具有下述结构(2)的化合物或其盐。通过该耐候性提高剂，在太阳光长时间暴露下、人工光长时间暴露下和高温高湿条件下均能够抑制使用金属纳米线的透明导电膜的劣化。结构(1)结构(2)

公开(公告)号：CN103167920B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201180049951.2

申请日：2011-10-28

Applicant: 星光PMC株式会社

Inventor： 河口知晃 ,  长谷川俊之

IPC: B22F9/24 ,  B22F1/00

CPC classification number: C08F220/58 ,  B22F1/0025 ,  B22F1/0044 ,  B22F1/0062 ,  B22F9/16 ,  B22F9/24 ,  B22F2009/245 ,  B22F2301/255 ,  B22F2302/45 ,  B22F2998/10 ,  B82Y30/00 ,  C08F120/58 ,  C08F220/06 ,  C08F220/54

Abstract: 本发明目的在于提供一种能宽范地控制银纳米线长轴长的银纳米线制造方法和银纳米线成长控制剂。解决方案为：一种银纳米线制造方法，其特征在于，让含有通过聚合含N-取代(甲基)丙烯酰胺的聚合性单体而得到的聚合物的银纳米线成长控制剂和银化合物在多元醇中25～180℃下反应；一种银纳米线成长控制剂，其特征在于，含有作为聚合性单体而具有N-取代(甲基)丙烯酰胺的聚合物；一种银纳米线成长控制剂，其特征在于，含有作为聚合性单体而具有N-取代(甲基)丙烯酰胺的聚合物。

公开(公告)号：CN103167920A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201180049951.2

申请日：2011-10-28

Applicant: 星光PMC株式会社

Inventor： 河口知晃 ,  长谷川俊之

IPC: B22F9/24 ,  B22F1/00

CPC classification number: C08F220/58 ,  B22F1/0025 ,  B22F1/0044 ,  B22F1/0062 ,  B22F9/16 ,  B22F9/24 ,  B22F2009/245 ,  B22F2301/255 ,  B22F2302/45 ,  B22F2998/10 ,  B82Y30/00 ,  C08F120/58 ,  C08F220/06 ,  C08F220/54

Abstract: 本发明目的在于提供一种能宽范地控制银纳米线长轴长的银纳米线制造方法和银纳米线成长控制剂。解决方案为：一种银纳米线制造方法，其特征在于，让含有通过聚合含N-取代(甲基)丙烯酰胺的聚合性单体而得到的聚合物的银纳米线成长控制剂和银化合物在多元醇中25～180℃下反应；一种银纳米线成长控制剂，其特征在于，含有作为聚合性单体而具有N-取代(甲基)丙烯酰胺的聚合物；一种银纳米线成长控制剂，其特征在于，含有作为聚合性单体而具有N-取代(甲基)丙烯酰胺的聚合物。