公开(公告)号：CN100576586C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200680009176.7

申请日：2006-04-06

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 武田仁志

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/323

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有优良的静电放电特性和提高的可靠性的III族氮化物半导体元件的制造方法。在本发明的制造方法中，所述III族氮化物半导体元件在衬底上依次具有包括III族氮化物半导体的n型层、有源层以及p型层，其中在所述n型层的生长期间或/和之后并且在所述有源层的生长之前，减小所述半导体的生长速率。

公开(公告)号：CN100481540C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200580004358.0

申请日：2005-02-23

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 小早川真人 ,  武田仁志 ,  三木久幸 ,  桜井哲朗

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓化合物半导体多层结构，用于制造氮化镓化合物半导体发光器件，所述器件在低电压下工作，同时维持令人满意的发光输出。本发明的氮化镓化合物半导体多层结构包括衬底以及形成在所述衬底上的n型层、发光层和p型层，所述发光层具有其中阱层和势垒层重复地交替层叠的多量子阱结构，所述发光层被夹在所述n型层和所述p型层之间，其中所述阱层包括厚部分和薄部分，以及所述势垒层包含掺杂剂。

公开(公告)号：CN100547814C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200580030870.2

申请日：2005-09-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 武田仁志 ,  三木久幸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L29/155 ,  B82Y20/00 ,  H01L24/73 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/02 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01S5/34333 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的一个目的为提供一种在最上表面中产生很少龟裂和凹坑的具有优良平坦度的低电阻n型III族氮化物半导体叠层结构。本发明的n型III族氮化物半导体叠层结构包括第一n型层和第二n型层，所述第一n型层包括含有高浓度n型杂质原子的层和含有低浓度n型杂质原子的层，所述第二n型层含有平均浓度低于所述第一n型层的n型杂质原子的平均浓度的n型杂质原子，所述第二n型层邻近所述第一n型层中的所述含有低浓度n型杂质原子的层。

公开(公告)号：CN101019243A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200580030870.2

申请日：2005-09-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 武田仁志 ,  三木久幸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L29/155 ,  B82Y20/00 ,  H01L24/73 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/02 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01S5/34333 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的一个目的为提供一种在最上表面中产生很少龟裂和凹坑的具有优良平坦度的低电阻n型Ⅲ族氮化物半导体叠层结构。本发明的n型Ⅲ族氮化物半导体叠层结构包括第一n型层和第二n型层，所述第一n型层包括含有高浓度n型杂质原子的层和含有低浓度n型杂质原子的层，所述第二n型层含有平均浓度低于所述第一n型层的n型杂质原子的平均浓度的n型杂质原子，所述第二n型层邻近所述第一n型层中的所述含有低浓度n型杂质原子的层。

公开(公告)号：CN100481539C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200580003365.9

申请日：2005-01-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  樱井哲朗 ,  武田仁志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓化合物半导体多层结构，用于制造氮化镓化合物半导体发光器件，所述器件在低电压下工作，同时维持令人满意的发光输出。所述发明的氮化镓化合物半导体多层结构包括衬底以及形成在所述衬底上的n型层、有源层和p型层，所述有源层被夹在所述n型层与所述p型层之间，并且所述有源层包括厚部分和薄部分，其中所述有源层具有平坦的下表面(在所述衬底侧上)和不平坦的上表面，以形成所述厚部分和所述薄部分。

公开(公告)号：CN101147267A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200680009176.7

申请日：2006-04-06

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 武田仁志

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/323

Abstract: 本发明的目的是提供一种具有优良的静电放电特性和提高的可靠性的III族氮化物半导体元件的制造方法。在本发明的制造方法中，所述III族氮化物半导体元件在衬底上依次具有包括III族氮化物半导体的n型层、有源层以及p型层，其中在所述n型层的生长期间或/和之后并且在所述有源层的生长之前，减小所述半导体的生长速率。

公开(公告)号：CN1918717A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200580004358.0

申请日：2005-02-23

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 小早川真人 ,  武田仁志 ,  三木久幸 ,  桜井哲朗

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓化合物半导体多层结构，用于制造氮化镓化合物半导体发光器件，所述器件在低电压下工作，同时维持令人满意的发光输出。本发明的氮化镓化合物半导体多层结构包括衬底以及形成在所述衬底上的n型层、发光层和p型层，所述发光层具有其中阱层和势垒层重复地交替层叠的多量子阱结构，所述发光层被夹在所述n型层和所述p型层之间，其中所述阱层包括厚部分和薄部分，以及所述势垒层包含掺杂剂。

公开(公告)号：CN1914743A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200580003365.9

申请日：2005-01-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  樱井哲朗 ,  武田仁志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓化合物半导体多层结构，用于制造氮化镓化合物半导体发光器件，所述器件在低电压下工作，同时维持令人满意的发光输出。所述发明的氮化镓化合物半导体多层结构包括衬底以及形成在所述衬底上的n型层、有源层和p型层，所述有源层被夹在所述n型层与所述p型层之间，并且所述有源层包括厚部分和薄部分，其中所述有源层具有平坦的下表面(在所述衬底侧上)和不平坦的上表面，以形成所述厚部分和所述薄部分。