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公开(公告)号：CN103896306A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201310728108.8
申请日：2013-12-25
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C01C1/12 , C01C1/04 , B01D3/02 , C07C31/04 , C07C29/151
Abstract: 本发明的课题是提供一种可以有效率地生产发光特性优异的GaN系化合物半导体的高纯度氨及其制造方法。此外，提供制造上述高纯度氨的高纯度氨制造装置。作为解决本发明课题的方法为在联合生产甲醇和氨的工艺中制造的粗制氨由于含有分子中具有氧原子的烃化合物，因此通过进行精密蒸馏，从而制造上述烃化合物的含有率为1体积ppm以下的高纯度氨。如果将该高纯度氨作为氮源而形成GaN系化合物，使用该GaN系化合物来制造GaN系化合物半导体元件，则可以有效率地生产发光特性优异的GaN系化合物半导体。
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公开(公告)号：CN1462206A
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN01816086.7
申请日：2001-09-27
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: B01D53/04 , B01D53/86 , A61M16/00 , B01D53/047
CPC classification number: B01D53/8631 , A61M16/009 , A61M16/0093 , A61M2230/437 , B01D53/04 , B01D53/86 , B01D53/8625 , B01D2257/2064 , B01D2257/2066 , B01D2257/402 , B01D2259/40 , B01D2259/40001 , B01D2259/40086 , B01D2259/4533 , Y02C20/10
Abstract: 本发明提供一种从手术室排出的包含挥发性麻醉剂和氧化亚氮的废麻醉气体的处理方法和设备，将所述气体引入装有吸附剂的吸附柱，其中所述废麻醉气体中所含挥发性麻醉剂被吸附从而除去，然后将所述气体引入装有氧化亚氮分解催化剂的催化剂层，在其中使氧化亚氮分解成氮气和氧气。通过使用本发明废麻醉气体处理方法和设备，可使有可能破坏臭氧层的挥发性麻醉剂或作为全球变暖气体的氧化亚氮变得无害，同时防止其释放至大气中。
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公开(公告)号：CN1241672C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN01801169.1
申请日：2001-05-24
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: B01D53/02 , B01D53/685 , B01D53/8659 , B01D2253/102 , B01D2253/108 , B01D2253/112 , B01D2253/304 , B01D2253/306 , B01D2255/20738 , B01D2257/20 , B01D2258/0216 , B01J21/18 , B01J23/78 , Y02C20/30
Abstract: 本发明涉及提供一种除去有害气体的试剂和方法，它们对制造半导体器件过程的蚀刻或清洗步骤的废气中包含的含卤素气体具有高的单位体积除去能力，而且价格低廉。本发明特点是使用包括一定量的特定氧化铁、碱土金属化合物和活性炭的除害剂可以除去含卤素气体。当废气中包含如氯的含卤素气体或如二氧化硫的气体时，通过组合使用包括活性炭或沸石的除害剂，可以使这些气体无害。
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公开(公告)号：CN103896306B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310728108.8
申请日：2013-12-25
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C01C1/12 , C01C1/04 , B01D3/02 , C07C31/04 , C07C29/151
Abstract: 本发明的课题是提供一种可以有效率地生产发光特性优异的GaN系化合物半导体的高纯度氨及其制造方法。此外，提供制造上述高纯度氨的高纯度氨制造装置。作为解决本发明课题的方法为在联合生产甲醇和氨的工艺中制造的粗制氨由于含有分子中具有氧原子的烃化合物，因此通过进行精密蒸馏，从而制造上述烃化合物的含有率为1体积ppm以下的高纯度氨。如果将该高纯度氨作为氮源而形成GaN系化合物，使用该GaN系化合物来制造GaN系化合物半导体元件，则可以有效率地生产发光特性优异的GaN系化合物半导体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104022191A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410068735.8
申请日：2014-02-27
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , C23C16/34 , H01L33/32
Abstract: 对于作为原料气体使用的高纯度氨气中的对辉度特性给予较大影响的杂质量进行调查，通过对其进行控制，来提供发光特性优异的GaN系化合物半导体。一种GaN系化合物半导体的制造方法，是通过有机金属化学气相生长来制造GaN系化合物半导体的方法，其特征在于，使作为原料气体使用的氨气中的、在分子中具有氧原子的烃系化合物的浓度为1.0体积ppm以下。
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公开(公告)号：CN1642630B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN03807098.7
申请日：2003-03-25
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: B01J8/02
CPC classification number: B01J8/0085 , B01D53/74 , B01J8/0278 , B01J8/0285 , B01J2208/00061 , B01J2208/00176 , B01J2208/00185 , B01J2208/00194 , B01J2208/00212 , B01J2208/00221 , B01J2208/00398 , B01J2208/00407 , B01J2208/0053 , B01J2208/00814 , F28D7/1669 , F28F2009/226
Abstract: 一种反应装置，包括被封装在一外壳中的一热交换器和一具有一加热器的反应器，该反应器由接触加热器的侧壁和冲压金属板组成，该冲压金属板上放置有催化剂，该热交换器的顶部与该反应器相连，该热交换器的另一端部和所述外壳的底部通过一凸缘彼此固定，所述外壳的顶板和侧壁部分被一体形成，或者所述外壳具有一体结构，其中顶板和侧壁部分被一体地接合，用于引入待处理的气体和排出处理过的气体的一双管与所述热交换器的所述另一端部相连，使得在气体通过所述双管中的内管和外管中的一个被引入至通过另一个管被排出的处理过程中，气体顺序流过所述热交换器、所述反应器和所述热交换器；以及使用该装置的反应方法。
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公开(公告)号：CN1642630A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03807098.7
申请日：2003-03-25
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: B01J8/02
CPC classification number: B01J8/0085 , B01D53/74 , B01J8/0278 , B01J8/0285 , B01J2208/00061 , B01J2208/00176 , B01J2208/00185 , B01J2208/00194 , B01J2208/00212 , B01J2208/00221 , B01J2208/00398 , B01J2208/00407 , B01J2208/0053 , B01J2208/00814 , F28D7/1669 , F28F2009/226
Abstract: 一种反应装置，包括被封装在一外壳6中的一热交换器5和一具有一加热器2的反应器1，该热交换器5的顶部与反应器1相连，热交换器5的另一端部与外壳6的底部借助一凸缘4彼此固定，用于引入待处理的气体和排出处理过的气体的一双管7与该热交换器5的所述另一端部相连，使得在气体经双管中的内管和外管中的一个被引入至经另一个管被排出的处理过程中，气体经过该热交换器5，反应器1和热交换器5；以及使用该装置的反应方法。使用本发明的装置时，反应器内的温度分布可以被保持均匀，且能量回收的有效性可以得到提高。
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公开(公告)号：CN1639058A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN02802243.2
申请日：2002-06-27
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G01N21/3504 , C01B7/20 , G01N21/0303 , G01N21/09 , G01N2030/143 , H01S3/036 , H01S3/225 , Y10T436/19
Abstract: 在容器中分别进行至少一次步骤(1)将氟镍化合物加热以释放氟气体、步骤(2)使氟气体包藏在氟镍化合物内以及步骤(3)将氟镍化合物加热并降低内压，随后在步骤(1)中获得高纯氟气体。此外，在其表面上具有形成的氟化层的容器中，分别进行至少一次步骤(5)将氟镍化合物加热并将降低内压和步骤(6)使氟化氢含量降低的氟气体被包藏到氟镍化合物内，并进一步进行步骤(5)，然后将含不纯物的氟气体与氟镍化合物接触以固定并除去氟气体，和通过气相色谱分析不纯物。
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