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公开(公告)号：CN102544367A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210029472.0
申请日：2003-12-02
Applicant: 普林斯顿大学理事会
Inventor： 金昌淳 , 斯蒂芬·R·弗瑞斯特
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0022 , B33Y10/00 , H01L51/0004 , H01L51/0516 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了用低压冷焊制作装置的方法。本发明提供一种把金属和/或有机层，从已刻图的印模，最好是软的、弹性体印模，转印到基片的方法。该已刻图的金属或有机层，例如可以用于广大范围的电子装置。本方法特别适合用于有机电子部件的纳米尺度的刻图操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102544367B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210029472.0
申请日：2003-12-02
Applicant: 普林斯顿大学理事会
Inventor： 金昌淳 , 斯蒂芬·R·弗瑞斯特
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0022 , B33Y10/00 , H01L51/0004 , H01L51/0516 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了用低压冷焊制作装置的方法。本发明提供一种把金属和/或有机层，从已刻图的印模，最好是软的、弹性体印模，转印到基片的方法。该已刻图的金属或有机层，例如可以用于广大范围的电子装置。本方法特别适合用于有机电子部件的纳米尺度的刻图操作。
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公开(公告)号：CN1795570B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200380109468.4
申请日：2003-12-02
Applicant: 普林斯顿大学理事会
Inventor： 金昌淳 , 斯蒂芬·R·弗瑞斯特
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0022 , B33Y10/00 , H01L51/0004 , H01L51/0516 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供一种把金属和/或有机层，从已刻图的印模，最好是软的、弹性体印模，转印到基片的方法。该已刻图的金属或有机层，例如可以用于广大范围的电子装置。本方法特别适合用于有机电子部件的纳米尺度的刻图操作。
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公开(公告)号：CN1237627C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN00816093.7
申请日：2000-11-21
Applicant: 普林斯顿大学理事会
Inventor： 金昌淳 , 保罗·E·伯鲁斯 , 斯蒂芬·R·弗雷斯特 , 索多尔·周
Abstract: 本发明涉及有机器件的布图方法，更具体地说，涉及利用压模的布图方法。在衬底(602)上淀积有机材料第一层(608)，接着淀积第一电极层(608)。然后将具有升高部分(506)的第一布图压模(500)压到第一电极层(608)上。使得第一布图压模(500)的升高部分(506)接触第一电极层(608)的部分。除去布图压模(500)，以便除去与第一布图压模(500)的升高部分接触的第一电极层(608)。在本发明的一个实施例中，然后在第一电极层上淀积第二有机层，接着淀积第二电极层。将具有升高部分的第二布图压模压到第二电极层上，以便除去与第二布图压模的升高部分接触的第二电极层的部分，最好用粘结剂材料(508)例如金属覆盖布图压模。
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公开(公告)号：CN1399800A
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：CN00816093.7
申请日：2000-11-21
Applicant: 普林斯顿大学理事会
Inventor： 金昌淳 , 保罗·E·伯鲁斯 , 斯蒂芬·R·弗雷斯特 , 索多尔·周
IPC: H01L51/40
Abstract: 本发明涉及有机器件的布图方法，更具体地说，涉及利用压模的布图方法。在衬底(602)上淀积有机材料第一层(608)，接着淀积第一电极层(608)。然后将具有升高部分(506)的第一布图压模(500)压到第一电极层(608)上。使得第一布图压模(500)的升高部分(506)接触第一电极层(608)的部分。除去布图压模(500)，以便除去与第一布图压模(500)的升高部分接触的第一电极层(608)。在本发明的一个实施例中，然后在第一电极层上淀积第二有机层，接着淀积第二电极层。将具有升高部分的第二布图压模压到第二电极层上，以便除去与第二布图压模的升高部分接触的第二电极层的部分，最好用粘结剂材料(508)例如金属覆盖布图压模。
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公开(公告)号：CN1795570A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200380109468.4
申请日：2003-12-02
Applicant: 普林斯顿大学理事会
Inventor： 金昌淳 , 斯蒂芬·R·弗瑞斯特
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0022 , B33Y10/00 , H01L51/0004 , H01L51/0516 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供一种把金属和/或有机层，从已刻图的印模，最好是软的、弹性体印模，转印到基片的方法。该已刻图的金属或有机层，例如可以用于广大范围的电子装置。本方法特别适合用于有机电子部件的纳米尺度的刻图操作。
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