公开(公告)号：CN102113120B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN200980130189.3

申请日：2009-07-30

Applicant: 普林斯顿大学理事会

Inventor： 韩琳 ,  P·曼德利克 ,  S·瓦格纳

IPC: H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L29/4908 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31633 ,  H01L29/66765

Abstract: 薄膜晶体管是使用一种有机硅酸盐玻璃(OSG)作为一种绝缘材料来制造的。这些有机硅硅酸盐玻璃可以是通过等离子体增强化学气相沉积法从硅氧烷和氧气沉积的SiO2-有机硅杂化材料。这些杂化材料可以用作栅极电介质，作为一种底层，和/或作为一种反向通道钝化层。这些晶体管可以按任何TFT几何构型来制造。

公开(公告)号：CN102113120A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980130189.3

申请日：2009-07-30

Applicant: 普林斯顿大学理事会

Inventor： 韩琳 ,  P·曼德利克 ,  S·瓦格纳

IPC: H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/316 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L29/4908 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31633 ,  H01L29/66765

Abstract: 薄膜晶体管是使用一种有机硅酸盐玻璃(OSG)作为一种绝缘材料来制造的。这些有机硅硅酸盐玻璃可以是通过等离子体增强化学气相沉积法从硅氧烷和氧气沉积的SiO2-有机硅杂化材料。这些杂化材料可以用作栅极电介质，作为一种底层，和/或作为一种反向通道钝化层。这些晶体管可以按任何TFT几何构型来制造。