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公开(公告)号：CN101933153A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200880111194.5
申请日：2008-10-09
Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特 , 韦国丹 , 徐崑庭
IPC: H01L31/0352 , H01L31/072 , H01L31/18
CPC classification number: B82Y30/00 , H01L31/03046 , H01L31/035281 , H01L31/0735 , Y02E10/544 , Y10S977/932 , Y10S977/948
Abstract: 一种器件包括半导体材料的多个栅栏层以及第二半导体材料的量子点的多个交替层，第二半导体材料嵌入在第三半导体材料之间并且与第三半导体材料直接接触，所述多个交替层被设置在p型和n型半导体材料之间的堆叠中。第二半导体材料的每个量子点和第三半导体材料形成具有II型带对准的异质结。还提供了用于制造该器件的方法。
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公开(公告)号：CN101652876A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200780050192.5
申请日：2007-11-13
Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特 , 杨帆
IPC: H01L51/42
Abstract: 一种具有改善的杂化平面块体异质结的光敏光电子器件，包括布置在阳极(120)和阴极(170)之间的多种光电导材料(950)。光电导材料(950)包括施体材料的第一连续层(152)和受体材料的第二连续层(154)。施体材料的第一网络(953c)从第一连续层(152)朝向第二连续层(154)延伸，提供了将空穴传导到第一连续层(152)的连续路径。受体材料的第二网络(953b)从第二连续层(154)朝向第一连续层(152)延伸，提供了将电子传导到第二连续层(154)的连续路径。第一网络(953c)和第二网络(953b)相互交错。至少一种其他光电导材料(953a、953d)散布在交错的网络之间。该其他的光电导材料(953a、953d)具有与施体和受体材料不同的吸收光谱。
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公开(公告)号：CN101622718A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200780042145.6
申请日：2007-11-06
Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特 , 韦国丹
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035236 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y20/00 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 在第一电极与第二电极之间的堆叠中设置的多个第一半导体材料层和多个多点型围栏势垒。每个多点型围栏势垒基本由第二半导体材料的多个量子点构成，该第二半导体材料嵌入在两个第三半导体材料层之间并且与该两个第三半导体材料层直接接触。量子点的波函数重叠为至少一个中间带。第三半导体材料层布置成隧穿势垒，以要求第一材料层中的第一电子和/或第一空穴执行量子力学隧穿，以达到在相应的量子点内的第二材料，并且要求第一半导体材料层中的第二电子和/或第二空穴执行量子力学隧穿，以达到另一第一半导体材料层。
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公开(公告)号：CN101622718B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200780042145.6
申请日：2007-11-06
Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特 , 韦国丹
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035236 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y20/00 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 在第一电极与第二电极之间的堆叠中设置的多个第一半导体材料层和多个多点型围栏势垒。每个多点型围栏势垒基本由第二半导体材料的多个量子点构成，该第二半导体材料嵌入在两个第三半导体材料层之间并且与该两个第三半导体材料层直接接触。量子点的波函数重叠为至少一个中间带。第三半导体材料层布置成隧穿势垒，以要求第一材料层中的第一电子和/或第一空穴执行量子力学隧穿，以达到在相应的量子点内的第二材料，并且要求第一半导体材料层中的第二电子和/或第二空穴执行量子力学隧穿，以达到另一第一半导体材料层。
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公开(公告)号：CN101652876B8
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200780050192.5
申请日：2007-11-13
Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特 , 杨帆
IPC: H01L51/42
Abstract: 一种具有改善的杂化平面块体异质结的光敏光电子器件，包括布置在阳极(120)和阴极(170)之间的多种光电导材料(950)。光电导材料(950)包括施体材料的第一连续层(152)和受体材料的第二连续层(154)。施体材料的第一网络(953c)从第一连续层(152)朝向第二连续层(154)延伸，提供了将空穴传导到第一连续层(152)的连续路径。受体材料的第二网络(953b)从第二连续层(154)朝向第一连续层(152)延伸，提供了将电子传导到第二连续层(154)的连续路径。第一网络(953c)和第二网络(953b)相互交错。至少一种其他光电导材料(953a、953d)散布在交错的网络之间。该其他的光电导材料(953a、953d)具有与施体和受体材料不同的吸收光谱。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101548407B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200780032808.6
申请日：2007-07-10
Inventor： 杨帆 , 史蒂芬·R·福里斯特
CPC classification number: H01L51/4246 , H01L51/0008 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种光电器件和制造光敏光电器件的方法，包括：将第一有机半导体材料淀积在第一电极上，以形成具有突起的连续的第一层，与第一电极相对立的第一层的一侧具有比下面的横向横截面面积大至少三倍的表面面积；将第二有机半导体材料直接淀积在第一层上以形成不连续的第二层，部分第一层保持暴露；将第三有机半导体材料直接淀积在第二层上以形成不连续的第三层，至少部分第二层保持暴露；将第四有机半导体材料淀积在第三层上以形成连续的第四层，填充第一、第二和第三层中任何暴露的间隙和凹处；以及在第四层上淀积第二电极，其中第一电极和第二电极中的至少一个是透明的，并且第一和第三有机半导体材料相对于是施主类型或受主类型的第二和第四有机半导体材料是另一材料类型。
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公开(公告)号：CN101933153B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200880111194.5
申请日：2008-10-09
Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特 , 韦国丹 , 徐崑庭
IPC: H01L31/0352 , B82Y30/00 , H01L31/0735 , H01L31/18
CPC classification number: B82Y30/00 , H01L31/03046 , H01L31/035281 , H01L31/0735 , Y02E10/544 , Y10S977/932 , Y10S977/948
Abstract: 一种器件包括半导体材料的多个栅栏层以及第二半导体材料的量子点的多个交替层，第二半导体材料嵌入在第三半导体材料之间并且与第三半导体材料直接接触，所述多个交替层被设置在p型和n型半导体材料之间的堆叠中。第二半导体材料的每个量子点和第三半导体材料形成具有II型带对准的异质结。还提供了用于制造该器件的方法。
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公开(公告)号：CN101652876B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200780050192.5
申请日：2007-11-13
Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特 , 杨帆
IPC: H01L51/42
Abstract: 一种具有改善的杂化平面块体异质结的光敏光电子器件，包括布置在阳极(120)和阴极(170)之间的多种光电导材料(950)。光电导材料(950)包括施体材料的第一连续层(152)和受体材料的第二连续层(154)。施体材料的第一网络(953c)从第一连续层(152)朝向第二连续层(154)延伸，提供了将空穴传导到第一连续层(152)的连续路径。受体材料的第二网络(953b)从第二连续层(154)朝向第一连续层(152)延伸，提供了将电子传导到第二连续层(154)的连续路径。第一网络(953c)和第二网络(953b)相互交错。至少一种其他光电导材料(953a、953d)散布在交错的网络之间。该其他的光电导材料(953a、953d)具有与施体和受体材料不同的吸收光谱。
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公开(公告)号：CN101803055B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200880025164.2
申请日：2008-07-16
Inventor： 杨帆 , 史蒂芬·R·福里斯特
IPC: H01L51/42
CPC classification number: H01L51/4246 , B82Y10/00 , H01L27/302 , H01L51/0008 , H01L51/0046 , H01L51/0078 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供光电子器件和制造光敏光电子器件的方法，所述方法包括：在第一电极上淀积第一有机半导体材料以形成连续的第一层；在所述第一层上淀积第二有机半导体材料层以形成不连续的第二层，所述第一层的部分保持暴露；且在所述第二层上淀积所述第一有机半导体材料以形成不连续的第三层，至少所述第二层的部分保持暴露。将淀积所述第一和第二有机半导体材料交替多次，直至添加所述第二有机材料的最终层以形成连续层。在该最终层上淀积第二电极。所述第一电极和所述第二电极中的一个是透明的，并且所述第一有机半导体材料相对于所述第二有机半导体材料，是一种或多种施主型材料或一种或多种受主型材料，所述第二有机半导体材料为一种或多种其他材料类型的材料。
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公开(公告)号：CN101803055A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880025164.2
申请日：2008-07-16
Inventor： 杨帆 , 史蒂芬·R·福里斯特
IPC: H01L51/42
CPC classification number: H01L51/4246 , B82Y10/00 , H01L27/302 , H01L51/0008 , H01L51/0046 , H01L51/0078 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供光电子器件和制造光敏光电子器件的方法，所述方法包括：在第一电极上淀积第一有机半导体材料以形成连续的第一层；在所述第一层上淀积第二有机半导体材料层以形成不连续的第二层，所述第一层的部分保持暴露；且在所述第二层上淀积所述第一有机半导体材料以形成不连续的第三层，至少所述第二层的部分保持暴露。将淀积所述第一和第二有机半导体材料交替多次，直至添加所述第二有机材料的最终层以形成连续层。在该最终层上淀积第二电极。所述第一电极和所述第二电极中的一个是透明的，并且所述第一有机半导体材料相对于所述第二有机半导体材料，是一种或多种施主型材料或一种或多种受主型材料，所述第二有机半导体材料为一种或多种其他材料类型的材料。
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