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公开(公告)号：CN109256431A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810904607.0
申请日：2018-08-09
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/042
Abstract: 本发明公开了一种用于非掺杂异质n型单抛硅太阳电池的纳米双金属层背接触及其制备方法和应用。所述背接触为n型单抛硅背面依次镀有的纳米超薄金属附着层和电子选择性传输纳米金属层；所述纳米超薄金属附着层为铝、银或金，其厚度为0.5～1 nm；所述电子选择性传输纳米金属层为镁，其厚度为5～20 nm。本发明提供的纳米双金属层背接触中电子选择性传输纳米金属层与硅的接触和附着力更优，其可降低金属电极功函数，更有利于电子从硅到电极的传输，进而改善非掺杂异质n型单抛硅太阳电池的能量转换效率。而且所述纳米双金属层背接触的制备工艺简单，无须退火过程，成本低廉，同时兼顾了制备工艺和产品性能，适于工业大规模化生产。
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