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公开(公告)号：CN106842760B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201710134608.7
申请日：2017-03-08
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本专利涉及电光调制器件的技术领域，公开了一种用阵列电极进行光束偏转的铌酸锂波导，由上而下依次为阵列电极、缓冲层、单晶铌酸锂薄膜、绝缘层、金属电极和衬底，所述阵列电极由形状为平行四边形的微结构电极单元组成，所述单晶铌酸锂薄膜中间包裹有条状的质子交换铌酸锂波导，设置在缓冲层下方并正对阵列电极。本专利制造工艺简单，且损耗低、稳定性强，兼顾器件的高速调制特性和电光效应引起折射率变化的有效性，能够通过电光效应达到光模式偏转和光模场调控目的。
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公开(公告)号：CN106842760A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710134608.7
申请日：2017-03-08
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及电光调制器件的技术领域，公开了一种用阵列电极进行光束偏转的铌酸锂波导，由上而下依次为阵列电极、缓冲层、单晶铌酸锂薄膜、绝缘层、金属电极和衬底，所述阵列电极由形状为平行四边形的微结构电极单元组成，所述单晶铌酸锂薄膜中间包裹有条状的质子交换铌酸锂波导，设置在缓冲层下方并正对阵列电极。本发明制造工艺简单，且损耗低、稳定性强，兼顾器件的高速调制特性和电光效应引起折射率变化的有效性，能够通过电光效应达到光模式偏转和光模场调控目的。
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公开(公告)号：CN109541502A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811600803.5
申请日：2018-12-26
Applicant: 暨南大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明涉及光纤磁场传感器技术领域，具体公开了一种基于侧抛光纤表面等离子体共振的矢量磁场传感器及其制备与检测方法，所述矢量磁场传感器包括侧边抛磨光纤、镀制在抛磨区上的金属薄膜、磁流体、光源以及用于检测透射光谱的光谱仪，所述抛磨光纤是通过光纤抛磨掉部分包层和纤芯制作而成；所述抛磨光纤上设有玻璃毛细管以及光学紫外胶，所述磁流体通过玻璃毛细管以及光学紫外胶密封包裹在抛磨光纤周围。本发明利用表面等离子体共振(SPR)效应，在透射光谱中形成一个共振波谷(透射光强度最低值)，在不同磁场强度或磁场方向下，磁流体在金属膜上方的折射率不同，导致SPR共振波谷位置的不同，通过记录共振光谱的漂移情况，即可标定传感器对磁场方向和强度的传感特性。
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公开(公告)号：CN112014983B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202010947193.7
申请日：2020-09-10
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及电光调制，高速光通信技术领域，更具体地，涉及一种基于铌酸锂波导的电光开关及其制作方法。用于解决传统电光开关消光比大、开关频率低、带宽受限的问题。此种电光开关自上而下的结构为：渐变阵列电极、缓冲层和基底；所述渐变阵列电极为一组底边呈规律性变化的等腰三角形微结构阵列电极单元；所述基底为块状铌酸锂或者铌酸锂薄膜集成波导，所述铌酸锂薄膜集成波导为单晶铌酸锂与衬底的结合，所述块状铌酸锂或单晶铌酸锂内部包裹有质子交换铌酸锂波导；所述质子交换铌酸锂波导形成波导区，所述波导区呈Y字形，所述波导区包括输入端、渐变区和输出端，所述波导区之外的区域为非波导区。通过上述技术方案，以实现低损耗、稳定性强、驱动电压低、调制带宽大的技术效果。
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公开(公告)号：CN112014983A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010947193.7
申请日：2020-09-10
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明涉及电光调制，高速光通信技术领域，更具体地，涉及一种基于铌酸锂波导的电光开关及其制作方法。用于解决传统电光开关消光比大、开关频率低、带宽受限的问题。此种电光开关自上而下的结构为：渐变阵列电极、缓冲层和基底；所述渐变阵列电极为一组底边呈规律性变化的等腰三角形微结构阵列电极单元；所述基底为块状铌酸锂或者铌酸锂薄膜集成波导，所述铌酸锂薄膜集成波导为单晶铌酸锂与衬底的结合，所述块状铌酸锂或单晶铌酸锂内部包裹有质子交换铌酸锂波导；所述质子交换铌酸锂波导形成波导区，所述波导区呈Y字形，所述波导区包括输入端、渐变区和输出端，所述波导区之外的区域为非波导区。通过上述技术方案，以实现低损耗、稳定性强、驱动电压低、调制带宽大的技术效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107976824A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711447761.1
申请日：2017-12-27
Applicant: 暨南大学
IPC: G02F1/035
Abstract: 本发明涉及一种光波导及幅度调制器，包括衬底、第一掩膜板、第二掩膜板、波导芯层、第一偏转电极和第二偏转电极。基于cmos工艺的衬底、第一掩膜板和第二掩膜板形成波导槽，波导槽底部的波导芯层用于待调光束，在第一偏转电极和第二偏转电极接入驱动电压后，通过波导芯层与驱动电压的电光效应，改变待调光束的折射率。基于此，有效降低实现光场偏转所需的驱动电压，缩小实现光场偏转所需的器件的尺寸。
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公开(公告)号：CN107356561A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710517790.4
申请日：2017-06-29
Applicant: 暨南大学
IPC: G01N21/552
CPC classification number: G01N21/554
Abstract: 本发明公开了二硫化钨增敏的表面等离子体共振传感器及其制备方法，在表面等离子体共振传感芯片上沉积有二硫化钨纳米片膜层，所述表面等离体子体共振传感芯片是通过真空蒸镀法将金膜或银膜镀在侧边抛磨光纤抛磨面或棱镜表面制作而成。所述侧边抛磨光纤是通过光纤抛磨掉部分包层和纤芯制作而成。本发明制备方法简单、易操作，制得的传感器兼容性高、响应灵敏、线性好、重复性高。
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公开(公告)号：CN116819681A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310508688.3
申请日：2023-05-08
Applicant: 暨南大学
IPC: G02B6/122 , G02B6/136 , G02B6/125 , G02F1/295 , G02F1/29 , G02B6/13 , G02F1/03 , G02F1/035 , G02B6/12
Abstract: 本发明涉及集成光芯片领域,更具体地,涉及一种基于微结构的电光波导阵列光学相控阵。用于解决传统电光调制的光束扫描器件仍然难于达到高速化(GHZ)、大扫描角度(视场)等要求的问题。这种光束扫描技术自上而下的结构为微结构电极、缓冲层、铌酸锂层或者绝缘体上薄膜铌酸锂平台(LNOI)；上述的微结构电极为周期性矩形打孔电极；所述铌酸锂和缓冲层内包裹有电子束光刻铌酸锂波导；所述电子束光刻波导设置有入射区域、分束区域、调制区域和输出区域共同构成波导区；所述芯片的出射区域设置有超晶格单元；所述超晶格单元为不同间隔分布的铌酸锂波导序列；通过上述技术方案,以实现高速率、大扫描角度的技术效果。
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公开(公告)号：CN109683112A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811602072.8
申请日：2018-12-26
Applicant: 暨南大学
IPC: G01R33/032
CPC classification number: G01R33/032 , G01R33/0052
Abstract: 本发明涉及光纤磁场传感器技术领域，具体公开了一种磁流体披覆侧抛光纤的磁场传感器及其制备与检测方法，所述磁场传感器包括侧边抛磨光纤、披覆在抛磨区周围的磁流体、光源以及用于检测透射光谱的光谱仪，所述抛磨光纤是通过光纤抛磨掉部分包层制作而成；所述抛磨光纤上设有玻璃毛细管以及光学紫外胶，所述磁流体通过玻璃毛细管以及光学紫外胶密封包裹在侧边抛磨光纤周围；在磁场作用下，纳米粒子随磁场方向汇集或分散，使得纳米粒子的折射率受到磁场强度与方向的控制，从而在纳米粒子与抛磨光纤之间的倏逝场相互作用下，透射光谱信号会受到磁场强度与方向的控制，构成磁场传感器。本发明在于能灵敏地检测到磁场强度与方向的变化，有助于实现高灵敏度磁场测量。
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公开(公告)号：CN107389618A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710448585.7
申请日：2017-06-14
Applicant: 暨南大学
IPC: G01N21/552
CPC classification number: G01N21/554
Abstract: 本发明公开了一种二氧化钛增敏的表面等离子体共振传感器及其制备方法，通过旋涂法覆盖二氧化钛纳米颗粒修饰表面等离子体共振传感芯片，所述表面等离体子体共振传感芯片是通过真空蒸镀法将金膜或银膜镀在侧边抛磨光纤抛磨面或棱镜表面制作而成。所述侧边抛磨光纤是通过光纤抛磨掉部分包层和纤芯制作而成。本发明制备简单、低廉，制得的传感器兼容性高、响应灵敏、比表面积大。
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