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公开(公告)号：CN116432580A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310393071.1
申请日：2023-04-13
Applicant: 李燕
IPC: G06F30/367 , G11C13/00 , G06F115/12
Abstract: 本发明公开了一种新型忆阻器交叉阵列单元等效电路。为了弥补现有发明中缺乏完整的忆阻器交叉阵列等效电路，本发明的等效电路包括两条位线、两条字线以及忆阻器，所述忆阻器用于连接相互垂直的两条信号线；所述等效电路考虑相邻信号线与上下垂直信号线之间产生的寄生效应，所述寄生效应包含线电阻、耦合电容和耦合电感。基于该电路进行PCB板样品实验测试。实验测试输出电压和ADS电路仿真结果几乎相同。本发明结构直接明了，包含了完整的寄生效应。且为单元结构可以适用于任意维度的交叉阵列。
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