公开(公告)号：JP6069429B2

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：JP2015154967

申请日：2015-08-05

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 石橋 清隆 ,  森田 治

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/511 ,  C23C16/455 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32201 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/511 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32495 ,  H05H2001/463

公开(公告)号：JP2016145385A

公开(公告)日：2016-08-12

申请号：JP2015022626

申请日：2015-02-06

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 菊地 良幸 ,  榊原 康明 ,  三ツ森 章祥 ,  森田 治

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/509 ,  C23C16/507 ,  C23C16/511

Abstract: 【課題】成膜室で発生する異物に起因した、基板に対する汚染を抑制すること。 【解決手段】成膜装置は、処理容器と、仕切り板と、成膜室内に設けられた載置台と、成膜室へ成膜ガスを供給する第1のガス供給部と、プラズマ生成室へ希ガスを供給する第2のガス供給部と、プラズマ生成室において、成膜ガスのプラズマ、又は希ガスのプラズマを発生させる第1のプラズマ源と、成膜室において、成膜ガスのプラズマを発生させる第2のプラズマ源と、載置台に基板以外の他の基板が載置された状態で、第1のプラズマ源及び第2のプラズマ源に成膜ガスのプラズマを発生させることで、プラズマ生成室及び成膜室に対してプリコート処理を行い、プリコート処理が行われた成膜室内の載置台に基板が載置された状態で、第1のプラズマ源に希ガスのプラズマを発生させることで、中性粒子を用いて、基板に対して成膜処理を行う制御部とを備える。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：抑制由成膜室中产生的异物引起的对基板的污染。解决方案：一种成膜装置，包括处理容器，隔板，安装在成膜室中的安装台， 向成膜室供给成膜气体的第一气体供给部，向等离子体生成室供给稀有气体的第二气体供给部，产生成膜气体的等离子体的第一等离子体源和稀有气体的等离子体 在等离子体生成室中，产生等离子体产生室中的成膜气体的等离子体的第二等离子体源，以及通过产生成膜等离子体而对等离子体生成室和成膜室进行预涂处理的控制部 在待沉积的基板以外的其他基板安装在安装台上的状态下，第一等离子体源和第二等离子体源中的气体， 在基板安装在已经进行预涂处理的成膜室的安装台上的状态下，通过在第一等离子体源中产生稀有气体的等离子体，使用中性粒子对基板进行膜沉积处理。选择图 ： 图1

公开(公告)号：JP5955062B2

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：JP2012088583

申请日：2012-04-09

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 茂山 和基 ,  石橋 清隆 ,  森田 治 ,  谷川 雄洋 ,  松本 直樹 ,  三原 直輝 ,  吉川 弥

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244

公开(公告)号：JP5792315B2

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：JP2013537413

申请日：2012-10-03

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 石橋 清隆 ,  森田 治

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32201 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/511 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32495 ,  H05H2001/463

公开(公告)号：JP6423728B2

公开(公告)日：2018-11-14

申请号：JP2015022626

申请日：2015-02-06

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 菊地 良幸 ,  榊原 康明 ,  三ツ森 章祥 ,  森田 治

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/509 ,  C23C16/507 ,  C23C16/511

公开(公告)号：JP2016015496A

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：JP2015154967

申请日：2015-08-05

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 石橋 清隆 ,  森田 治

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/511 ,  C23C16/455 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32201 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/511 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32495 ,  H05H2001/463

Abstract: 【課題】電磁波をチャンバ内に透過する誘電体窓に処理ガス導入用のガス流路を設ける場合に、そのガス流路におけるプラズマの逆流ないし異常放電を効果的に防止しつつ十分高いガスコンダクタンスが得られるようにする。 【解決手段】このマイクロ波プラズマ処理装置は、チャンバ10内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構として、誘電体窓52の中心部にガスノズル212を設けている。このガスノズル212は、上部ガス導入部のコネクタ部164に気密に接続されており、誘電体窓52に形成される貫通孔(開口)214と、この貫通孔214に嵌め込まれる誘電体のノズルピース216とを有している。このノズルピース216の側面または外周面には、その上端から下端まで軸方向にまっすぐ延びる縦溝218が並列に複数本形成されている。 【選択図】図37

Abstract translation: 要解决的问题：为了实现足够高的气体导通性，同时有效地防止了在用于传送电磁介质的电介质窗口中提供气体管道的情况下，在气体导管的气体管道中反向流动或遭受异常放电的等离子体， 波浪进入腔室。微波等离子体处理装置包括作为将处理气体供应到室10中的处理气体供给机构，设置在电介质窗52的中心部分的气体喷嘴212.气体喷嘴212 与上部气体引入部分的连接器部分164气密地连接，并且具有形成在电介质窗52中的通孔（开口）214和配合在通孔214中的电介质喷嘴片216.喷嘴片216具有垂直 槽218在其侧面或外周面上彼此平行地形成，并且从喷嘴的顶端到底端在其轴向方向上直线延伸 乐谱

公开(公告)号：JP2015129316A

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：JP2012097033

申请日：2012-04-20

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 森田 治

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  C23C14/24

CPC classification number: C23C14/24 ,  C23C14/228

Abstract: 【課題】基板に成膜される有機材料中に含まれる水分量を低減する。 【解決手段】ガスフロー蒸着装置20は、キャリアガスの流量を制御するMFC400と、MFCによって流量を制御されたキャリアガスを加熱する熱交換器300とを備える。また、ガスフロー蒸着装置20は、蒸着材料を内部に収容し、熱交換器によって加熱されたキャリアガスととともに蒸着材料の蒸気を流出する材料容器200と、材料容器200から流出された蒸着材料の蒸気及びキャリアガスを含むガスを噴射する蒸着ヘッド100とを備える。熱交換器300は、キャリアガスの流入側の圧力とキャリアガスの流出側の圧力との差圧が生じるよう形成されている。 【選択図】図2

Abstract translation: 要解决的问题：降低沉积在基板上的有机材料中所含的含水量。解决方案：气流沉积装置20包括：用于控制载气流量的MFC400和用于加热载气的热交换器300 流量由MFC控制的载气。 气流沉积装置20包括：材料容器200，其在内部容纳蒸气材料，并且排出由热交换器加热的载气和蒸汽材料的蒸汽;以及蒸气头100，其喷射蒸发材料的蒸汽 材料容器200和包括载气的气体。 热交换器300形成为在载气的流入侧和载气的流出侧之间存在压力差。