公开(公告)号：CN117317810A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311331939.1

申请日：2018-08-09

Applicant: 松下控股株式会社

Inventor： 持田笃范

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/22 ,  H01S5/02

Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件。半导体激光元件(10)：具备基板(101)；以及激光阵列部(11)，具有排列配置的多个发光部(141)，并且层叠在基板(101)的上方，基板(101)与激光阵列部(11)的层叠体，在相对的面具备一对谐振器端面(140f以及140r)，在多个发光部(141)之中的相邻的两个发光部(141)之间，在一对谐振器端面(140f以及140r)的至少一方形成有从激光阵列部(11)延伸到基板(101)的中途的槽部(133)。

公开(公告)号：CN111133643B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN201880059947.6

申请日：2018-08-09

Applicant: 松下控股株式会社

Inventor： 持田笃范

IPC: H01S5/22

Abstract: 半导体激光元件(10)：具备基板(101)；以及激光阵列部(11)，具有排列配置的多个发光部(141)，并且层叠在基板(101)的上方，基板(101)与激光阵列部(11)的层叠体，在相对的面具备一对谐振器端面(140f以及140r)，在多个发光部(141)之中的相邻的两个发光部(141)之间，在一对谐振器端面(140f以及140r)的至少一方形成有从激光阵列部(11)延伸到基板(101)的中途的槽部(133)。

公开(公告)号：CN115280612A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202180020766.4

申请日：2021-03-02

Applicant: 松下控股株式会社

Inventor： 持田笃范 ,  能崎信一郎 ,  江良正范

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/343

Abstract: 将半导体激光元件的端面保护膜的反射率设为在宽的波长范围内为1％以下。半导体激光元件(1)具备：半导体层叠体(50)，其具有前侧端面(50F)和后侧端面(50R)；以及端面保护膜(1F)，其配置于半导体层叠体(50)的前侧端面(50F)。端面保护膜(1F)具有：第一电介质层(10)，其配置于前侧端面(50F)；以及第二电介质层(20)，其层叠于第一电介质层(10)的外侧。第二电介质层(20)具有：第一层(21)，其层叠于第一电介质层(10)；第二层(22)，其层叠于第一层(21)；以及第三层(23)，其层叠于第二层(22)。对于激光的波长λ，第二层(22)的折射率(n2)比第一层(21)的折射率(n1)及第三层(23)的折射率(n3)高，第二层(22)的膜厚为λ/(8n2)以上且3λ/(4n2)以下。