公开(公告)号：CN102017099A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115109.7

申请日：2009-12-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 甲斐隆行 ,  东和司 ,  北武司 ,  山西齐 ,  大熊崇文

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/3065 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/13024

Abstract: 本发明提供一种贯通电极的形成方法及半导体装置。利用贯通电极(3)将半导体基板(1)一侧的面(1a)的电极(5)和半导体基板另一侧的面(1b)连接。在半导体基板，自半导体基板另一侧的面至一侧的面的层间绝缘膜(2)形成通孔(6)，在通孔的侧面及底面、以及半导体基板另一侧的面上形成绝缘膜(4)，同时蚀刻加工所形成的通孔底面的绝缘膜及层间绝缘膜，从而以到达半导体基板一侧的面的电极的方式形成通孔。

公开(公告)号：CN1147670A

公开(公告)日：1997-04-16

申请号：CN96108296.8

申请日：1996-07-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山西齐 ,  青仓勇 ,  小佐野浩一 ,  井上靖 ,  酒井典夫

IPC: G11B5/31

Abstract: 一种磁头，包括基底磁芯以及在该基底磁芯的两对边形成的磁合金薄膜，其薄膜内具有磁隙，磁合金薄膜由内部和外部组成，该内部位于磁隙的附近，并由用以下平均组分作为整个合金薄膜的一种合金组成，即TxMyNz，其中，T为Fe或Mo，M表示从Nb，Zr，Ta，Hf，Cr，W和Mo中选择的至少一种成分，N为氮，x，y，和z分别为原子百分数的一个值，确定65＜＝x＜＝94，5＜＝y＜＝25，0＜z＜＝20，使x+y+z＝100，其外部的氮含量高于内部的氮含量。

公开(公告)号：CN1109512A

公开(公告)日：1995-10-04

申请号：CN94119300.4

申请日：1994-12-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 青仓勇 ,  山西齐 ,  大西阳一 ,  池田种次郎

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3426 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3452

Abstract: 一种真空溅镀装置，使用由强磁性材料制成的矩形中间电极6进行溅镀。通过在中间电极6的表面侧沿其两侧边缘部的各侧边缘配置多个磁铁10，并使这些磁铁的相邻磁极的极性相反配置，同时夹着中间电极6相对的磁铁间的极性也相反配置，在靶板6的背面侧配置与中间电极6的表面侧所配置的磁铁具有同样极性关系的多个磁铁13，从而能在加工的基板表面形成均匀的薄膜。

公开(公告)号：CN102576749B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201080045578.9

申请日：2010-10-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中山一郎 ,  山西齐 ,  大井户良久 ,  上木原伸幸 ,  奥村智洋

IPC: H01L31/18 ,  C01B33/02 ,  C01B33/037

CPC classification number: C01B33/02 ,  C01B33/037 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种硅粉末的制造方法，包括：将纯度等级为99.999％以上的硅锭通过高压纯水切割制成粒径3mm以下的粗硅粉末的工序；利用选自喷射式粉碎、湿式粒化、超声波破坏、冲击波破坏中的至少一种方法，将所述粗硅粉末制成粒径0.01μm以上且10μm以下的硅粉末的工序。由此，提供一种从硅锭迅速地得到硅粉末且不使其纯度下降的技术。

公开(公告)号：CN102282656B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201080004901.8

申请日：2010-11-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 齐藤太志郎 ,  甲斐隆行 ,  大熊崇文 ,  山西齐

IPC: H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置(1)具有：第二氧化膜(9)及焊盘电极(5)，其位于在半导体基板(2)的表面(2a)形成的第一氧化膜(8)上；接触电极(6)及第一势垒层(7)，其形成于第二氧化膜中且与焊盘电极连接；硅化物部(10)，其形成于接触电极和贯通电极层(12)之间且与接触电极及第一势垒层连接；通孔(11)，其自半导体基板的背面(2b)到达硅化物部及第二氧化膜；第三氧化膜(13)，其在通孔的侧壁及半导体基板的背面形成；第二势垒层(14)及再配线层(15)，其在通孔的内部及半导体基板的背面形成且与硅化物部连接。

公开(公告)号：CN101445915A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810180530.3

申请日：2008-11-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山本昌裕 ,  小岩崎刚 ,  村岸勇夫 ,  山西齐

IPC: C23C14/35

Abstract: 本发明提供溅射装置以及溅射方法，具体而言提供具备能够在靶表面大范围地发生等离子的磁控电极的磁控溅射装置以及使用该装置的溅射方法。由此，能够实现可在靶表面大范围地发生等离子的磁场形状，提高靶材料的利用效率，并且抑制灰尘和异常放电。磁控电极的磁路(10)从靶(2)的中央部分向外周部分配置有中心垂直磁体(101)、内侧平行磁体(103)、外侧平行磁体(104)以及外周垂直磁体(102)，使内侧平行磁体(103)接近靶(2)。

公开(公告)号：CN1811009A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200610006980.1

申请日：2006-01-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山下英毅 ,  大熊崇文 ,  早田博 ,  山西齐 ,  木村忠司 ,  中上裕一

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/54

CPC classification number: C23C14/3414 ,  H01J37/3423

Abstract: 一种成膜装置，具有：在其内部形成实施成膜处理的减压空间的处理容器；保持被实施所述成膜处理的基材的基材保持部；支持靶的靶支持部；向所述靶支持部施加电力，使得在所述减压空间中产生等离子体的电源装置，其中，所述靶在其表面上具有由粉体材料构成的粉体靶配置在其内周面上的凹部。通过使用所述靶进行成膜处理，可以提高成膜速度的面内均匀性，实现稳定的成膜。

公开(公告)号：CN1069931C

公开(公告)日：2001-08-22

申请号：CN94119300.4

申请日：1994-12-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 青仓勇 ,  山西齐 ,  大西阳一 ,  池田种次郎

IPC: C23C14/35

CPC classification number: H01J37/3426 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3452

Abstract: 一种真空溅镀装置，使用由强磁性材料制成的矩形中间电极6进行溅镀。通过在中间电极6的表面侧沿其两侧边缘部的各侧边缘配置多个磁铁10，并使这些磁铁的相邻磁极的极性相反配置，同时夹着中间电极6相对的磁铁间的极性也相反配置，在靶板6的背面侧配置与中间电极6的表面侧所配置的磁铁具有同样极性关系的多个磁铁13，从而能在加工的基板表面形成均匀的薄膜。

公开(公告)号：CN104105239A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410100661.1

申请日：2014-03-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 永井久雄 ,  山西齐 ,  谷本宪司

IPC: H05B6/64 ,  F24C7/02

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够减少因热量造成的损伤并同时加热所期望的被处理物的微波加热装置及微波加热方法。本发明所涉及的微波加热装置的特征在于，具备：用于保持被处理物的滚筒；向所述滚筒内照射微波的微波照射装置；使所述滚筒旋转的旋转装置；设置在所述滚筒内的搅拌片；对所述滚筒进行冷却的冷却装置。

公开(公告)号：CN103178149A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210560048.9

申请日：2012-12-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 斋藤光央 ,  山西齐 ,  永井久雄 ,  奥村智洋 ,  中山一郎

IPC: H01L31/077 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/065 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1872 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提高利用pin结型薄膜层构成的薄膜太阳能电池的转换效率。具体而言，提供一种薄膜太阳能电池及其制造方法，该薄膜太阳能电池的内部包括层叠体，该层叠体包括：第一扩散层，其由具有p型或n型的导电性的半导体构成；成膜层，其由具有比第一扩散层低的导电性的半导体构成；和第二扩散层，其由具有与成膜层不同的极性的半导体构成，第一扩散层和第二扩散层的杂质浓度沿各自的膜厚方向梯度性地分布。第一扩散层的表面附近的杂质浓度比第一扩散层的与成膜层之间的界面附近的杂质浓度高。第二扩散层的表面附近的杂质浓度比第二扩散层的与所述成膜层之间的界面附近的杂质浓度高。