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公开(公告)号：CN101976684B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201010273937.8
申请日：2007-11-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L27/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L27/0605 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/432 , H01L29/739 , H01L29/8124
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。
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公开(公告)号：CN103168368A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201180049688.7
申请日：2011-12-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/0693 , H01L31/0687 , H01L31/052
CPC classification number: H01L31/0693 , H01L31/0543 , H01L31/0687 , Y02E10/52 , Y02E10/544
Abstract: 一种利用太阳能电池产生电力的方法，具有下面的工序（a）和工序（b）。工序（a）准备具有聚光透镜和太阳能电池元件的上述太阳能电池。在此，太阳能电池元件具有n型GaAs层、p型GaAs层、隧道效应层、n型InGaP层、p型InGaP层、p型窗口层、n侧电极以及p侧电极，Z方向为上述p型GaAs层的法线方向，X方向为与Z方向正交的方向。n型GaAs层被分割为GaAs中央部、第一GaAs周边部以及第二GaAs周边部，n型InGaP层被分割为InGaP中央部、第一InGaP周边部以及第二InGaP周边部。层的厚度、宽度满足规定的不等式组（I）。工序（b）以满足以下不等式（II）的方式经由聚光透镜，使光照射于包含在p型窗口层的表面的区域（S），在n侧电极与p侧电极之间产生电位差。
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公开(公告)号：CN101523614A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780038121.3
申请日：2007-11-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/80 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/808 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L27/0605 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/432 , H01L29/739 , H01L29/8124
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。
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公开(公告)号：CN1154182C
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN98105297.5
申请日：1998-02-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/49503 , H01L23/522 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/10161 , H01L2924/19107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明揭示一种使半导体器件封装小型化，并且使信号端子电极其电气隔离性提高的半导体器件。半导体器件在封装1的中央部位配置引线框2，周边部位配置信号端子电极3至信号端子电极7，在引线框2上搭载半导体芯片8，在信号端子电极4和信号端子电极5之间配置具有接地电位的接地电极16，信号端子电极5和信号端子电极6之间配置具有接地电位的接地电极17。
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公开(公告)号：CN1151542C
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN98120107.5
申请日：1998-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子器件及其制造方法是在基板上形成具有底部的介通孔后，在介通孔的至少侧壁上形成导电层。然后，为使导电层露出，将基板上介通孔形成侧的相反一侧的部分去除，对基板进行薄化处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102959686B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201180030056.6
申请日：2011-04-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/338 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/78 , H01L23/4824 , H01L27/0605 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L29/42312 , H01L29/7787 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体装置。氮化物半导体装置包括具有有缘区域(102A)的氮化物半导体层叠层体(102)、和呈指状的第一电极(131)及呈指状的第二电极(132)，该第一电极(131)和该第二电极(132)彼此留有间隔地形成在有缘区域(102A)上。在第一电极(131)上形成有与该第一电极(131)接触的第一电极布线(151)，在第二电极(132)上形成有与该第二电极(132)接触的第二电极布线(152)。形成有覆盖第一电极布线(151)和第二电极布线(152)的第二绝缘膜，在第二绝缘膜上形成有第一金属层(161)。第一金属层(161)隔着第二绝缘膜形成在有缘区域(102A)上，并与第一电极布线(151)连接。
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公开(公告)号：CN103219375A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310073522.X
申请日：2007-11-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L27/06 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L27/0605 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/432 , H01L29/739 , H01L29/8124
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。
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公开(公告)号：CN103155167A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180049687.2
申请日：2011-10-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0693 , H01L31/035281 , H01L31/0543 , H01L31/184 , Y02E10/544
Abstract: 本发明的目的在于提供具有更高转换效率的太阳能电池。本发明是使用太阳能电池产生电力的方法，具有工序（a）和工序（b）。工序（a）准备具有聚光透镜和太阳能电池元件的太阳能电池。太阳能电池元件具有n型GaAs层、p型GaAs层、p型窗口层、n侧电极和p侧电极，Z方向是p型GaAs层的法线方向，X方向是与Z方向正交的方向。n型GaAs层、p型GaAs层和p型窗口层沿Z方向层叠，p型GaAs层被夹在n型GaAs层和p型窗口层之间。n型GaAs层被分割为中央部、第一周边部和第二周边部，中央部沿X方向被夹在第一周边部和第二周边部之间。第一周边部和第二周边部具有层的形状，满足规定的不等式（I）。工序（b）以满足规定的不等式（II）的方式，经由聚光透镜照射光，使n侧电极和p侧电极之间产生电位差。
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公开(公告)号：CN102239551A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200980148578.9
申请日：2009-11-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/337 , H01L29/778 , H01L29/808 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/41766 , H01L29/66462 , H01L29/808
Abstract: 本发明的目的在于提供一种既能够使阈值电压上升又能够实现低导通电阻化的场效应晶体管以及其制造方法，本发明的场效应晶体管包括：未掺杂GaN层(103)；未掺杂AlGaN层(104)，被形成在未掺杂GaN层(103)上，且比未掺杂GaN层(103)的带隙能大；未掺杂GaN层(105)，被形成在未掺杂AlGaN层(104)上；未掺杂AlGaN层(106)，被形成在未掺杂GaN层(105)上，且比未掺杂GaN层(105)的带隙能大；p型GaN层(107)，被形成在未掺杂AlGaN层(106)的凹部内；栅电极(110)，被形成在p型GaN层上；源电极(108)以及漏电极(109)，被形成在栅电极(110)的两侧的区域；在未掺杂GaN层(103)以及未掺杂AlGaN层(104)的异质结界面形成有沟道。
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公开(公告)号：CN102239550A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200980148577.4
申请日：2009-11-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/41 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/42316 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/7787
Abstract: 本发明的目的在于提供低导通电阻的FET，本发明的FET包括：第一氮化物半导体层(103)；第二氮化物半导体层(104)，第二氮化物半导体层(104)被形成在第一氮化物半导体层(103)上，第二氮化物半导体层(104)的带隙能比第一氮化物半导体层(103)大；第三氮化物半导体层(105)，第三氮化物半导体层(105)被形成在第二氮化物半导体层(104)上；以及第四氮化物半导体层(106)，第四氮化物半导体层(106)被形成在第三氮化物半导体层(105)上，第四氮化物半导体层(106)的带隙能比第三氮化物半导体层(105)大，在第一氮化物半导体层(103)和第二氮化物半导体层(104)的异质结界面形成有沟道。
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