公开(公告)号：CN111403508A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201911280555.5

申请日：2019-12-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中村优也 ,  桥本治寿 ,  入川纯平 ,  今田直人 ,  牧贤一 ,  西脇毅 ,  一之瀬瞳

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/05 ,  H01L31/042 ,  H01L31/048

Abstract: 提供能够提高填充材料的选择性，并提高太阳能电池组件的耐湿性的技术。为此，提供一种太阳能电池组件，其包括：在第1方向上排列配置的多个太阳能单电池；连接多个太阳能单电池的多个配线件；第1透明部件，其配置于多个太阳能单电池各自的受光面侧，且粘接于多个配线件；和第2透明部件，其配置于多个太阳能单电池的相对于受光面侧的各背面侧，且粘接于多个配线件，多个第1透明部件和多个第2透明部件中，彼此相对的第1透明部件和第2透明部件夹着1个太阳能单电池，多个太阳能单电池还在与第1方向交叉的第2方向上排列，第1透明部件和第2透明部件构成为第2方向的长度为太阳能单电池的第2方向的长度以上。

公开(公告)号：CN112219284A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201980036827.9

申请日：2019-05-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 入川淳平 ,  今田直人 ,  西脇毅 ,  桥本治寿 ,  中村优也

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0747

Abstract: 本公开的太阳能单电池包括第1导电型的晶体硅基片和第2导电型的第1半导体层，所述第1半导体层形成于晶体硅基片的第1主面侧。晶体硅基片的沿厚度方向延伸的侧面包括算术平均粗糙度在厚度方向上不同的侧面部，在侧面部的附近具有第1主面侧的薄片电阻较高的高电阻区域，在从侧面部至第1主面的中心之间的区域包括以高电阻区域为起点随着从侧面部远离一个方向，第1主面侧的薄片电阻单调减小的一个方向。