公开(公告)号：CN102428519B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201080021659.5

申请日：2010-10-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子幸广 ,  田中浩之 ,  上田路人

IPC: G11C11/22 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: G11C11/22 ,  H01L27/1159 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/78648

Abstract: 在本发明的驱动方法中，具有：通过分别对第一栅极电极(12)、第二栅极电极(17)、源极电极(15s)和漏极电极(15d)施加满足V1＞Vs、V1＞Vd、V2＞Vs和V2＞Vd的关系的电压V1、V2、Vs和Vd，对半导体存储装置写入第一电阻值的工序(1)；通过施加满足V1＞Vs、V1＞Vd、V2＜Vs和V2＜Vd的关系的电压，对半导体存储装置写入第二电阻值的工序(2)；和通过施加满足V1＜Vs、V1＜Vd、V2＜Vs和V2＜Vd的关系的电压，对半导体存储装置写入第三电阻值的工序(3)。

公开(公告)号：CN103493140A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280011100.3

申请日：2012-02-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子幸广

IPC: G11C11/22 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: G11C11/223 ,  G11C11/221 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/11597 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明的目的在于提供一种驱动半导体存储装置的新方法。半导体存储装置包括第一～第四存储单元，各第一～第四存储单元具有第一栅极电极、强电介质膜、半导体膜、源极电极、漏极电极、常电介质膜和第二栅极电极。强电介质膜夹在第一栅极电极与半导体膜之间，源极电极和漏极电极夹在半导体膜与常电介质膜之间，常电介质膜夹在第二栅极电极与半导体膜之间。通过第一栅极电极、强电介质膜、源极电极和漏极电极，形成第一半导体晶体管，通过第二栅极电极、常电介质膜、源极电极和漏极电极，形成第二半导体晶体管。通过以规定的定时调整多个驱动信号，进行向第一、第二晶体管的数据保持和从第一、第二晶体管的数据读取。

公开(公告)号：CN102742162B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201180007890.3

申请日：2011-02-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子幸广

IPC: H03K19/185 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11502

Abstract: 非易失性逻辑电路（20）中，沿着强电介质膜（13）的长度方向，第一输入电极（17a）被夹在电源电极（15）与第二输入电极（17b）之间。沿着强电介质膜（13）的长度方向，第二输入电极（17b）被夹在第一输入电极（17a）与输出电极（16）之间。本发明的非易失性逻辑电路（20）的驱动方法具备：将选自4种状态中的1种状态通过对控制电极（12）、第一输入电极（17a）和第二输入电极（17b）分别施加根据该状态规定的电压V1、Va和Vb而写入到非易失性逻辑电路（20）的工序；和基于在电源电极（15）与输出电极（16）之间施加电压而产生的电流决定非易失性逻辑电路（20）具有高电阻状态还是低电阻状态的工序。

公开(公告)号：CN103460220A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280015280.2

申请日：2012-05-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西谷雄 ,  金子幸广 ,  上田路人

IPC: G06G7/60 ,  G06N3/063

CPC classification number: G06N3/08 ,  G06N3/049 ,  G06N3/0635

Abstract: 突触电路（20）具备可变电阻元件（10），神经元电路（30）具备产生双极性锯齿形脉冲电压或墨西哥帽形脉冲电压（以下称为规定的脉冲电压）的波形发生电路（32），第一输入信号（其他的神经网络电路元件（40）的输出信号）具有规定的脉冲电压波形，将与可变电阻元件（10）相同的神经网络电路元件（40）内生成的规定的脉冲电压波形的时间中间点称为中间点，在以该中间点为基准在前后具有规定的时间宽度的期间（以下称为允许输入期间），通过使第一输入信号能够输入至可变电阻元件（10）的控制电极（15），根据依赖于针对允许输入期间的第一输入信号的输入时刻而产生的第一电极（13）和控制电极（15）之间的电位差，使可变电阻元件（10）的电阻值发生变化。

公开(公告)号：CN102742161A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201180007867.4

申请日：2011-03-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子幸广

IPC: H03K19/185 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L27/10 ,  G11C11/22 ,  G11C11/5657 ,  H01L27/101 ,  H01L27/11502 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的使用非易失性开关装置有选择地流过电流的方法，包含：在非易失性开关装置（20）中，设定电极组（15~17）之间不流过电流的第一状态、在第一电极（15）与第二电极（16）之间有选择地流过电流的第二状态和在第一电极（15）与第三电极（17）之间有选择地流过电流的第三状态的任一个状态的工序。设定第一~第三状态时，对控制电极、第一电极（15）、第二电极（16）和第三电极（17）分别施加分别满足对应第一~第三状态的规定的不等式的电压V1、Va、Vb和Vc。

公开(公告)号：CN102714497A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180003039.3

申请日：2011-05-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子幸广

IPC: H03K19/20

CPC classification number: H03K19/173

Abstract: 本发明提供驱动能够切换成从逻辑与(AND)、逻辑或(OR)、逻辑与非(NAND)、逻辑或非(NOR)或者逻辑异或(XOR)的任一种中选择出的1种逻辑非易失性逻辑电路的新方法。

公开(公告)号：CN102714497B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201180003039.3

申请日：2011-05-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子幸广

IPC: H03K19/20

CPC classification number: H03K19/173

Abstract: 本发明提供驱动能够切换成从逻辑与(AND)、逻辑或(OR)、逻辑与非(NAND)、逻辑或非(NOR)或者逻辑异或(XOR)的任一种中选择出的1种逻辑非易失性逻辑电路的新方法。

公开(公告)号：CN103460375A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201380000970.5

申请日：2013-01-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 金子幸广

IPC: H01L21/8246 ,  G11C11/22 ,  H01L21/336 ,  H01L27/105 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: G11C11/2275 ,  G11C5/025 ,  G11C11/22 ,  G11C11/5657 ,  G11C2013/0092 ,  H01L21/28291 ,  H01L29/516 ,  H01L29/78391 ,  H04L29/12

Abstract: 按照宽度WRH1以及宽度WRH2变大、宽度WRL变小的方式，将电压Vs、Vd以及V3分别施加给源电极(15)、漏电极(16)以及下部栅电极膜(12)，同时在比为了使铁电膜(13)所包含的全部极化反转所需的期间还短的期间内，将脉冲电压V1以及V2分别施加给第1上部栅电极(17a)以及第2上部栅电极(17b)。脉冲电压V1以及V2比为了使铁电膜(13)所包含的全部极化反转所需的电压还小。电压Vs、Vd及V3以及脉冲电压V1以及V2满足Vs、Vd、V3＜V1、V2的关系。

公开(公告)号：CN103283143A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201280004487.X

申请日：2012-03-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西谷雄 ,  金子幸广 ,  上田路人

IPC: H03B5/20

CPC classification number: H03B5/20 ,  H01G7/06 ,  H01L23/64 ,  H01L25/16 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  H01L2924/0002 ,  H03B5/24 ,  H03B2200/004 ,  H03B2201/02 ,  H03B2201/0208 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的RC振荡电路具备放大器和相移电路。相移电路至少包括3个由1个电阻和1个电容器形成的RC电路元件。RC电路元件中的至少1个，包括1个可变电阻和1个可变电容器。可变电阻由第一电极、第二电极、半导体膜的一部分、强电介质膜的一部分和第四电极形成。可变电容器由第二电极、第三电极、第五电极、强电介质膜的另外的一部分、半导体膜的另外的一部分和常电介质膜形成。

公开(公告)号：CN103168419A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201280003341.3

申请日：2012-03-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西谷雄 ,  金子幸广 ,  上田路人

IPC: H03B5/20

CPC classification number: H03B5/20 ,  H01L27/0682 ,  H01L28/20 ,  H01L28/40 ,  H01L28/56 ,  H03B5/24 ,  H03B2200/004 ,  H03B2201/02 ,  H03B2201/0208

Abstract: 本发明的RC振荡电路具备放大器和相移电路。相移电路具备包括一个电阻和一个电容的至少三个RC电路元件。RC电路元件中的至少一个包括一个可变电阻和一个可变电容。可变电阻由第一电极、第二电极、半导体膜的一部分、强电介质膜的一部分和第四电极形成。可变电容由第二电极、第三电极、第五电极、强电介质膜的另一部分、半导体膜的另一部分和常电介质膜形成。