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公开(公告)号：CN1145801C
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN99106299.X
申请日：1999-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01P15/09
CPC classification number: G01P15/0907 , G01P15/0922 , G01P15/18
Abstract: 加速度传感器201包括纵向效应型检测部203和横向效应型检测部204。纵向效应型检测部203包括由薄膜压电体211a和电极211b、211c构成的纵向效应型压电元件211。横向效应型检测部204设有横向效应型压电元件213，使其支撑在在底板105上形成的沟状凹部105a的上方附近。检测电路116根据纵向效应型检测部203和横向效应型检测部204两者的输出检测出规定方向上加速度等。因此，能够检测规定方向上的加速度并实现大动态范围和宽频带。
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公开(公告)号：CN1153398A
公开(公告)日：1997-07-02
申请号：CN96112720.1
申请日：1996-10-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/31
Abstract: 一种有经过精细加工的电介质元件的制造方法。该方法包括利用由氢氟酸和氧化剂构成的腐蚀剂，将在基板上形成的电介质膜蚀刻成规定的图形的工序、以及通过利用由还原剂构成的第1处理液、接着利用由酸构成的第2处理液分别进行处理，将蚀刻残渣除去的工序。能不产生残渣而使电介质膜形成精细的图形。
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公开(公告)号：CN1697735A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000645.X
申请日：2004-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种通过喷墨进行记录的喷墨记录设备，包括：其中填充有墨液的压力腔室；喷嘴孔(116)，形成为与压力腔室相通；压电元件(113)，形成在所述压力腔室上，并通过机械膨胀和收缩而使所述压力腔室变形，据此在压力腔室中产生压力，并从所述喷嘴孔(116)中喷墨；以及露点控制单元(123)，它将所述压电元件(113)及其附近的气氛中的露点保持在比设置所述喷墨记录设备之处的环境中的露点更低的水平上。该露点控制单元(123)包括一压缩机(123a)以及使来自该压缩机(123a)的压缩气体干燥并且将它输送给压电元件(113)的空气干燥器(123b)。
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公开(公告)号：CN1121999A
公开(公告)日：1996-05-08
申请号：CN95101916.3
申请日：1995-02-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01D5/24 , G01P15/125 , H01L49/02
CPC classification number: G01P15/0922 , G01P15/0802 , H01L41/0478 , H01L41/0815 , H01L41/313 , Y10T29/42 , Y10T29/4981
Abstract: 本发明旨在提供小型、轻量、精度高且成本低的加速度传感元件及热电式红外线传感元件等薄膜传感元件。在平板型KBr基板1的表面利用等离子体MOCVD法形成以基板表面垂直方向为结晶取向(100)方向的岩盐式晶体结构氧化物膜12，利用溅射法在其表面外延生长PZT膜4，然后在其表面形成Ni-Cr电极膜15，将上述多层膜反转后用粘接剂20粘接到中央有穿通的空间部分的传感器基板7上，将接续电极19连接后，通过整体进行水洗处理，除去KBr基板1。
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公开(公告)号：CN100509403C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200480000645.X
申请日：2004-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种通过喷墨进行记录的喷墨记录设备，包括：其中填充有墨液的压力腔室；喷嘴孔(116)，形成为与压力腔室相通；压电元件(113)，形成在所述压力腔室上，并通过机械膨胀和收缩而使所述压力腔室变形，据此在压力腔室中产生压力，并从所述喷嘴孔(116)中喷墨；以及露点控制单元(123)，它将所述压电元件(113)及其附近的气氛中的露点保持在比设置所述喷墨记录设备之处的环境中的露点更低的水平上。该露点控制单元(123)包括一压缩机(123a)以及使来自该压缩机(123a)的压缩气体干燥并且将它输送给压电元件(113)的空气干燥器(123b)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1514808A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN03800336.8
申请日：2003-02-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/088 , B41J2/161 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , C01G21/00 , C01G25/006 , C01P2002/34 , C01P2006/40 , C04B35/491 , C04B2235/3213 , C04B2235/3227 , C04B2235/3296 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , C04B2235/79 , H01L41/0973 , H01L41/187
Abstract: 在包括设置于基板1上的第一电极2、设置于此第一电极2上的压电体3和设置于此压电体3上的第二电极4的压电元件中，使上述压电体3具有用通式ABO3表示的该A点的主要成分是Pb且B点的主要成分是Zr、Ti和Pb的钙钛矿型结晶构造，在上述B点，Pb原子占全部原子的比例在3％以上30％以下。即，使压电体3在Pb过剩的同时，将此过剩的Pb原子在成膜时活化，以Pb4+的形式导入到B点中。
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公开(公告)号：CN1088918C
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN95101916.3
申请日：1995-02-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L49/02
CPC classification number: G01P15/0922 , G01P15/0802 , H01L41/0478 , H01L41/0815 , H01L41/313 , Y10T29/42 , Y10T29/4981
Abstract: 本发明旨在提供小型、轻量、精度高且成本低的加速度传感元件及热电式红外线传感元件等薄膜传感元件。在平板型KBr基板1的表面利用等离子体MOCVD法形成以基板表面垂直方向为结晶取向(100)方向的岩盐式晶体结构氧化物膜12，利用溅射法在其表面外延生长PZT膜4，然后在其表面形成Ni-Cr电极膜15，将上述多层膜反转后用粘接剂20粘接到中央有穿通的空间部分的传感器基板7上，将接续电极19连接后，通过整体进行水洗处理，除去KBr基板1。
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公开(公告)号：CN1514808B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN03800336.8
申请日：2003-02-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L41/187
CPC classification number: C23C14/088 , B41J2/161 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1645 , B41J2/1646 , C01G21/00 , C01G25/006 , C01P2002/34 , C01P2006/40 , C04B35/491 , C04B2235/3213 , C04B2235/3227 , C04B2235/3296 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , C04B2235/79 , H01L41/0973 , H01L41/187
Abstract: 在包括设置于基板1上的第一电极2、设置于此第一电极2上的压电体3和设置于此压电体3上的第二电极4的压电元件中，使上述压电体3具有用通式ABO3表示的该A点的主要成分是Pb且B点的主要成分是Zr、Ti和Pb的钙钛矿型结晶构造，在上述B点，Pb原子占全部原子的比例在3％以上30％以下。即，使压电体3在Pb过剩的同时，将此过剩的Pb原子在成膜时活化，以Pb4+的形式导入到B点中。
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公开(公告)号：CN1083104C
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN94119861.8
申请日：1994-12-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01L1/14
CPC classification number: G01L9/0072 , G01D5/2417 , G01P15/125 , Y10T29/43
Abstract: 把KBr等碱金属卤化物材料2溶融并充填在绝缘体板1的厚度方向上设置的贯通孔1a。在贯通孔1a内填埋的碱金属卤化物材料2及其周边的表面形成导电性薄膜4之后，用水洗方法将碱金属卤化物材料2溶解并除去，贯通孔1a与导电性薄膜4构成膜片。将由导电性薄膜4的里外压力差产生的膜片变形作为导电性薄膜4与电极层6之间的静电电容的变化检测出来。从而得到小型高灵敏度的静电电容型压力传感器。
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公开(公告)号：CN1080455C
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：CN96112720.1
申请日：1996-10-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3105
Abstract: 一种有经过精细加工的电介质元件的制造方法。该方法包括利用由氢氟酸和氧化剂构成的腐蚀剂，将在基板上形成的电介质膜蚀刻成规定的图形的工序、以及通过利用由还原剂构成的第1处理液、接着利用由酸构成的第2处理液分别进行处理，将蚀刻残渣除去的工序。能不产生残渣而使电介质膜形成精细的图形。
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