公开(公告)号：CN1295365A

公开(公告)日：2001-05-16

申请号：CN00129584.5

申请日：2000-10-08

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 中村真嗣 ,  石田昌宏 ,  折田贤儿 ,  今藤修 ,  油利正昭

IPC: H01S5/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: C30B25/183 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/025 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341

Abstract: 一种半导体装置,具备有在表面上设置了从基板的法线方向看具有封闭形状的凹陷104的基板102和至少借助于来自上述凹陷104的内表面(105、106、107)的晶体生长在上述基板102的上述表面上形成的半导体层103。并且提供进一步减少晶格缺陷的半导体装置。