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公开(公告)号：CN113658970A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110890091.0
申请日：2016-02-16
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/363 , H01L27/30 , H04N5/232
Abstract: 本发明的摄像装置，具备：半导体基板，设有电路元件；光电转换元件，被半导体基板支承，对入射光进行光电转换，具有形成在受光面侧的第1电极、遮光性的第2电极以及配置在第1电极与第2电极之间的光电转换膜；多层配线构造，设在半导体基板与光电转换元件的第2电极之间，包括将第2电极与设于半导体基板的电路元件电连接的连接部；以及电容元件，形成在多层配线构造内。电容元件具有下部电极、上部电极以及配置在上部电极与下部电极之间的电介质膜。下部电极及上部电极的至少一方具有连接部所贯通的开口或切缝，开口或切缝从半导体基板的法线方向来看时与第2电极重叠。
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公开(公告)号：CN106576145B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201680002194.6
申请日：2016-06-20
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 摄像装置(100)包括多个单位像素单元(121)，多个单位像素单元中包含的单位像素单元在1帧内的第1曝光期间中取得第1摄像数据，在1帧内的与第1曝光期间不同的第2曝光期间中取得第2摄像数据，单位像素单元的每单位时间的敏感度在第1曝光期间和第2曝光期间是不同的。摄像装置(100)输出至少包括第1摄像数据和第2摄像数据的多重曝光图像数据。
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公开(公告)号：CN107851652A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680044615.1
申请日：2016-07-15
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L51/42 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/307 , G01J1/0407 , G01J1/42 , G01J5/0853 , G01J5/24 , H01L51/0077 , H01L51/4273 , H01L51/442 , H04N5/33 , H04N5/378 , Y02E10/549
Abstract: 本申请的光传感器具备：第一电极；第二电极；光电转换层，该光电转换层位于第一电极与第二电极之间，并通过光电转换来产生电荷；第一电荷阻挡层，该第一电荷阻挡层位于第一电极与光电转换层之间；第二电荷阻挡层，该第二电荷阻挡层位于第二电极与光电转换层之间；电压供给电路，该电压供给电路以使光电转换层内产生从第二电极朝向第一电极的方向的电场的方式对第一电极和第二电极中的至少一者施加电压；以及检测电路，该检测电路对第一电极和第二电极之间的电容变化相对应的信号进行检测，该变化是由光射入光电转换层所产生的，其中，第一电荷阻挡层被构成为抑制空穴从光电转换层向第一电极移动和电子从第一电极向光电转换层移动，第二电荷阻挡层被构成为抑制电子从光电转换层向第二电极移动和空穴从第二电极向光电转换层移动。
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公开(公告)号：CN107113385A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680005377.3
申请日：2016-11-11
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H04N5/374 , H01L27/146
Abstract: 本公开的摄像装置具有：多个单位像素单元，各个单位像素单元包括第1电极、与第1电极对置的第2电极、第1电极和第2电极之间的光电变换层、与第1电极电连接的电荷蓄积区域、以及与电荷蓄积区域电连接的信号检测电路；以及电压供给电路，与第2电极电连接，并且在用于将通过光电变换而生成的电荷蓄积于电荷蓄积区域中的期间即曝光期间中向第2电极提供第1电压，在非曝光期间中向第2电极提供与第1电压不同的第2电压，曝光期间的开始及结束在多个单位像素单元之间是相同的。
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公开(公告)号：CN112929586B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202110102351.3
申请日：2016-11-11
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H04N25/709 , H01L27/146 , H04N25/532 , H04N25/62 , H04N25/76 , H10K39/32 , H04N25/531 , H10K85/30
Abstract: 本公开的摄像装置具有：多个单位像素单元，各个单位像素单元包括第1电极、与第1电极对置的第2电极、第1电极和第2电极之间的光电变换层、与第1电极电连接的电荷蓄积区域、以及与电荷蓄积区域电连接的信号检测电路；以及电压供给电路，与第2电极电连接，并且在用于将通过光电变换而生成的电荷蓄积于电荷蓄积区域中的期间即曝光期间中向第2电极提供第1电压，在非曝光期间中向第2电极提供与第1电压不同的第2电压，曝光期间的开始及结束在多个单位像素单元之间是相同的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107004691B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201680003705.6
申请日：2016-10-27
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/3745
Abstract: 本申请的某个实施方式的光检测装置具备：半导体层，该半导体层包含源极区和漏极区；栅极绝缘层，该栅极绝缘层位于被半导体层的源极区和漏极区所夹持的区域上，并且包含光电转换层；栅极电极，该栅极电极位于栅极绝缘层上；信号检测电路，该信号检测电路包含输入与源极区和漏极区中的一者电连接的第一信号检测晶体管；第一传输晶体管，该第一传输晶体管连接在源极区和漏极区中的一者与第一信号检测晶体管的输入之间；以及第一电容器，该第一电容器的一端与第一信号检测晶体管的输入电连接，其中，信号检测电路对由光经由栅极电极射入光电转换层而产生的与光电转换层的介电常数变化相对应的电信号进行检测。
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公开(公告)号：CN107004691A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201680003705.6
申请日：2016-10-27
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/3745
CPC classification number: G01J5/0853 , G01J1/0407 , G01J1/42 , G01J3/36 , G01J5/0846 , G01J5/20 , H01L27/14609 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/14676 , H04N3/1512 , H04N5/23241 , H04N5/33 , H04N5/3575 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 本申请的某个实施方式的光检测装置具备：半导体层，该半导体层包含源极区和漏极区；栅极绝缘层，该栅极绝缘层位于被半导体层的源极区和漏极区所夹持的区域上，并且包含光电转换层；栅极电极，该栅极电极位于栅极绝缘层上；信号检测电路，该信号检测电路包含输入与源极区和漏极区中的一者电连接的第一信号检测晶体管；第一传输晶体管，该第一传输晶体管连接在源极区和漏极区中的一者与第一信号检测晶体管的输入之间；以及第一电容器，该第一电容器的一端与第一信号检测晶体管的输入电连接，其中，信号检测电路对由光经由栅极电极射入光电转换层而产生的与光电转换层的介电常数变化相对应的电信号进行检测。
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公开(公告)号：CN107004690A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201680003689.0
申请日：2016-10-21
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Inventor： 玉置德彦
IPC: H01L27/146 , H01L31/00 , H01L31/10 , H04N5/3745
CPC classification number: H01L51/428 , H01L27/146 , H01L27/307 , H01L31/00 , H01L31/10 , H01L51/0078 , H01L51/447 , H04N5/33 , H04N5/359 , H04N5/361 , H04N5/3698 , H04N5/374 , H04N5/378 , H04N9/045 , Y02E10/549
Abstract: 本申请的光传感器具备：半导体层；半导体层上的栅极绝缘层，该栅极绝缘层包含光电转换层；栅极绝缘层上的栅极电极；电压供给电路，该电压供给电路对半导体层内的源极区和漏极区中的一者与栅极电极之间施加电压；以及信号检测电路，该信号检测电路与源极区和漏极区中的另一者连接。光电转换层具有下述光电流特性：具有第一电压范围、第二电压范围和第三电压范围，该第一电压范围是随着逆向的偏压增大而使输出电流密度的绝对值增大，该第二电压范围是随着正向的偏压增大而使输出电流密度增大，该第三电压范围是在第一电压范围与第二电压范围之间并且输出电流密度相对于偏压的变化率的绝对值比第一电压范围和第二电压范围小，电压供给电路以使施加于光电转换层的偏压为第三电压范围内的方式施加电压，信号检测电路对与由入射光而产生的光电转换层的容量变化相对应的电信号进行检测。
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公开(公告)号：CN107004690B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201680003689.0
申请日：2016-10-21
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Inventor： 玉置德彦
IPC: H01L27/146 , H01L31/00 , H01L31/10 , H04N5/3745
Abstract: 本申请的光传感器具备：半导体层；半导体层上的栅极绝缘层，该栅极绝缘层包含光电转换层；栅极绝缘层上的栅极电极；电压供给电路，该电压供给电路对半导体层内的源极区和漏极区中的一者与栅极电极之间施加电压；以及信号检测电路，该信号检测电路与源极区和漏极区中的另一者连接。光电转换层具有下述光电流特性：具有第一电压范围、第二电压范围和第三电压范围，该第一电压范围是随着逆向的偏压增大而使输出电流密度的绝对值增大，该第二电压范围是随着正向的偏压增大而使输出电流密度增大，该第三电压范围是在第一电压范围与第二电压范围之间并且输出电流密度相对于偏压的变化率的绝对值比第一电压范围和第二电压范围小，电压供给电路以使施加于光电转换层的偏压为第三电压范围内的方式施加电压，信号检测电路对与由入射光而产生的光电转换层的容量变化相对应的电信号进行检测。
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